T470N16TOF [INFINEON]
T470N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 41mm，高度 14mm。;
| 型号： | T470N16TOF |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | T470N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 41mm，高度 14mm。 |
| 文件： | 总10页 (文件大小：241K) |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T470N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
1200 V
1400 V
1600 V
1200 V
1400 V
1600 V
Tvj = -40°C... Tvj max
VDRM,VRRM
PeriodischeVorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
1300 V
1500 V
1700 V
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
800 A
470 A
670 A
1060 A
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
ITRMSM
ITAVM
TC = 85 °C
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms ITAVM
ITRMS
7100 A
6350 A
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Stossstrom-Grenzwert
surge current
ITSM
252 10³ A²s
202 10³ A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
DIN IEC 60747-6
150 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
critical rate of rise of on-state current
1000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
max.
max.
1,85 V
1,10 V
Tvj = Tvj max, iT = 1200 A
Tvj = Tvj max, iT = 300 A
vT
0,80 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlasskennlinie
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
0,75 mΩ
100 A ≤ iT ≤ 2400 A
A=
9,865E-01
B=
C=
D=
2,622E-04
-1,155E-01
3,953E-02
vT = A + B iT + C ln(iT + 1) + D
iT
Zündstrom
Tvj = 25 °C, vD = 12V
Tvj = 25 °C, vD = 12V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
200 mA
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
max.
2 V
Tvj = Tvj max, vD = 12V
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
Tvj = 25°C, vD = 12V
max.
max.
max.
10 mA
5 mA
0,2 V
Haltestrom
holding current
max.
300 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
IL
max. 1200 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
50 mA
3 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
H.Sandmann
date of publication: 2009-12-16
prepared by:
revision:
3.1
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC / 2009-12-01, H.Sandmann
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T470N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ.
250 µs
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,051 °C/W
0,046 °C/W
0,084 °C/W
0,079 °C/W
0,114 °C/W
0,109 °C/W
thermal resistance, junction to case
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
0,015
0,030
max.
max.
°C/W
°C/W
thermal resistance, case to heatsink
einseitig / single-sides
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
4...8 kN
Steueranschlüsse
control terminals
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
A 2,8x0,5 mm
Ø 1,5 mm
A 4,8x0,5 mm
Gewicht
weight
G
typ.
70
g
Kriechstrecke
creepage distance
6
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s²
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T470N
Phase Control Thyristor
1: Anode / Anode
2: Kathode / Cathode
4: Gate
4 5
1
2
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T470N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Pos. n
2
3
5
6
7
-
-
-
-
-
-
[°C/W] 0,0010244
Cooling
Rthn
τn [s]
Rthn [°C/W] 0,00024
0,00013
Rthn [°C/W] 0,00024
0,00013
0,00459
0,00156
0,00459
0,00156
0,00459
0,00156
0,00647
0,01010
0,00647
0,01010
0,00647
0,01010
0,0185
0,0836
0,0185
0,0836
0,0185
0,0836
0,0162
0,4750
0,0162
0,5350
0,0162
0,7750
-
beidseitig
two-sided
0,00013
-
0,033
2,830
0,063
2,930
anodenseitig
anode-sided
τn [s]
kathodenseitig
cathode-sided
τn [s]
nmax
-t
τn
=
−
ZthJC
Rthn 1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,12
0,1
c
a
0,08
0,06
0,04
0,02
0
b
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T470N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
0,00906
0,01560
0,02095
0,02929
0,04385
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆Zth Θ sin
0,00498
0,00909
0,00502
0,00910
0,00503
0,00779
0,01562
0,00783
0,01560
0,00783
0,01190
0,02101
0,01195
0,02101
0,01195
0,01937
0,02935
0,01942
0,02936
0,01942
0,03446
0,04393
0,03454
0,04394
0,03455
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
2500
2000
1500
1000
500
Tvj = Tvj max
0
vT [V]
0,5
1
1,5
2
2,5
3
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T470N
Phase Control Thyristor
900
800
180°
120°
700
0°
90°
180°
0
60°
600
500
400
300
200
100
0
θ = 30°
0
50
100
150
200
250
ITAV [A]
300
350
400
450
500
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
90°sin
60°sin
120°sin
180°sin
θ = 30°
60
40
0°
180°
0
20
0
50
100
150
200
250
TAV [A]
300
350
400
450
500
I
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T470N
Phase Control Thyristor
1200
DC
1000
0°
180°
0
180°
800
600
400
200
0
120°
90°
60°
θ = 30°
0
100
200
300
400
ITAV [A]
500
600
700
800
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
0°
180°
0
120°
180°
90°
DC
60°
θ = 30°
60
40
20
0
100
200
300
400
TAV [A]
500
600
700
800
I
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T470N
Phase Control Thyristor
100
10
1
d
c
b
a
0,1
10
iG [mA]
100
1000
10000
100000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 40W / 10ms b - 80W / 1ms c - 100W / 0,5ms d - 150W / 0,1ms
10000
1000
100
iTM = 500A
200A
100A
50A
20A
-di/dt [A/µs]
1
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T470N
Phase Control Thyristor
7
6
5
4
3
2
1
0
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
11
12
13
14
15
16
17
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
I
T(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T470N
Phase Control Thyristor
Nutzungsbedingungen
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Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der
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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
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machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
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- to perform joint Risk and Quality Assessments;
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- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
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If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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相关型号：
T470N16TOFXPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 1060A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
T4771N
Phase Control ThyristorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
EUPEC
T4771N22TOF
Silicon Controlled Rectifier, 10110A I(T)RMS, 4770000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
T4771N22TOFXPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 10110A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
T4771N26TOF
Silicon Controlled Rectifier, 10110A I(T)RMS, 4770000mA I(T), 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 ElementWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
T4771N28TOF
Silicon Controlled Rectifier, 10110A I(T)RMS, 4770000mA I(T), 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
T4771N29TOF
Silicon Controlled Rectifier, 10110A I(T)RMS, 4770000mA I(T), 2900V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
INFINEON
T4773
CMOS 256K-BIT EPROMWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TOSHIBA
T4809
RF Coaxial ConnectorsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ITT
T481010A
MODEL T48 - 1/16 DIN TEMPERATURE CONTROLLERWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
REDLION
T4810117
MODEL T48 - 1/16 DIN TEMPERATURE CONTROLLERWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
REDLION
T4811103
MODEL T48 - 1/16 DIN TEMPERATURE CONTROLLERWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
REDLION
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