T2180N18TOF VT [INFINEON]
Phase Control Thyristor 1800 V, 2180 A with 100 mm diameter and a height of 26 mm assembled in high reliable, robust and hermetic sealed ceramic housings. The T2600N prime disc is specially optimized for UPS-Bypass applications and offers the highest current capability in the market. ;型号: | T2180N18TOF VT |
厂家: | Infineon |
描述: | Phase Control Thyristor 1800 V, 2180 A with 100 mm diameter and a height of 26 mm assembled in high reliable, robust and hermetic sealed ceramic housings. The T2600N prime disc is specially optimized for UPS-Bypass applications and offers the highest current capability in the market. |
文件: | 总10页 (文件大小:291K) |
中文: | 中文翻译 | 下载: | 下载PDF数据表文档文件 |
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2180N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
1200
1400
1600 V
1800 V
Tvj = -40°C... Tvj max
VDRM,VRRM
PeriodischeVorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
1200
1400
1600 V
1800 V
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
non-repetitive peak forward off-state voltage
1300
1500
1700 V
1900 V
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
A
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
ITRMSM
ITAVM
4460
2180 A
3220 A
5050 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms ITAVM
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
ITRMS
44000 A
38000 A
Tvj = 25 °C °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Stossstrom-Grenzwert
surge current
ITSM
9680 10³ A²s
7220 10³ A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
DIN IEC 60747-6
200 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
critical rate of rise of on-state current
1000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
max.
max.
1,75 V
1,11 V
Tvj = Tvj max , iT = 8 kA
Tvj = Tvj max , iT = 2 kA
vT
0,90 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlasskennlinie
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
0,106 mΩ
500A ≤ iT ≤ 10500 A
A=
8,097E-01
B=
C=
D=
7,834E-05
-3,932E-03
3,960E-03
vT = A + B iT + C ln(iT + 1) + D
iT
Zündstrom
Tvj = 25 °C, vD = 12V
Tvj = 25 °C, vD = 12V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
250 mA
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
max.
2 V
Tvj = Tvj max , vD = 12V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
max.
max.
10 mA
5 mA
0,25 V
Tvj = 25°C, vD = 12V
max.
300 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
IL
max. 1500 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
250 mA
4 µs
forward off-state and reverse current
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
H.Sandmann
date of publication: 2009-03-12
prepared by:
revision:
2.0
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC / 2009-03-12, H.Sandmann
A 11/09
Seite/page
1/10
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2180N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ.
250 µs
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
max. 0,0125 °C/W
max. 0,0117 °C/W
max. 0,0232 °C/W
max. 0,0225 °C/W
max. 0,0250 °C/W
max. 0,0245 °C/W
thermal resistance, junction to case
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
0,003
0,006
max.
max.
°C/W
°C/W
thermal resistance, case to heatsink
einseitig / single-sides
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
30...65 kN
Steueranschlüsse
control terminals
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
A 2,8x0,5 mm
Ø 1,5 mm
A 4,8x0,5 mm
Gewicht
weight
G
typ.
900 g
Kriechstrecke
25 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
IFBIP D AEC / 2009-03-12, H.Sandmann
A 11/09
Seite/page
2/10
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T2180N
Phase Control Thyristor
1: Anode / Anode
2: Kathode / Cathode
4: Gate
4 5
1
2
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
IFBIP D AEC / 2009-03-12, H.Sandmann
A 11/09
Seite/page
3/10
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2180N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Pos. n
2
3
5
6
7
-
-
-
-
-
-
14
Cooling
Rthn [°C/W] 0,00003
0,00057
0,00298
0,0006
0,0023
0,0006
0,0030
0,00091
0,01350
0,00105
0,02400
0,00205
0,05700
0,00274
0,13400
0,0076
0,00425
0,44900
0,0085
1,9000
0,009
0,00319
2,05000
0,00472
6,10000
0,00477
6,10000
beidseitig
two-sided
0,00029
Rthn [°C/W] 0,00004
0,00029
Rthn [°C/W] 0,00004
0,00029
τn [s]
anodenseitig
anode-sided
0,3100
τn [s]
0,00805
0,38000
kathodenseitig
cathode-sided
1,570
τn [s]
nmax
-t
τn
=
−
ZthJC
Rthn 1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,030
0,025
0,020
0,015
0,010
0,005
0,000
c
a
b
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
thJC = f(t)
Z
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
IFBIP D AEC / 2009-03-12, H.Sandmann
A 11/09
Seite/page
4/10
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2180N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
0,00105
0,00170
0,00218
0,00281
0,00376
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆Zth Θ sin
0,00080
0,00098
0,00064
0,00091
0,00067
0,00112
0,00166
0,00096
0,00150
0,00095
0,00154
0,00220
0,00140
0,00194
0,00133
0,00214
0,00298
0,00212
0,00254
0,00189
0,00315
0,00422
0,00345
0,00346
0,00286
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
12.000
10.000
8.000
6.000
4.000
2.000
Tvj = Tvj max
0
0,9
1
1,1
1,2
1,3
1,4
VT [V]
1,5
1,6
1,7
1,8
1,9
2
2,1
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
IFBIP D AEC / 2009-03-12, H.Sandmann
A 11/09
Seite/page
5/10
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T2180N
Phase Control Thyristor
6000
180°
180°
120°
0°
0
90°
4000
60°
θ = 30°
2000
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
I
TAV [A]
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
0°
180°
0
60
40
θ = 30°
1000
60°
90°
120°
2500
180°
20
0
500
1500
I TAV [A]
2000
3000
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
IFBIP D AEC / 2009-03-12, H.Sandmann
A 11/09
Seite/page
6/10
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T2180N
Phase Control Thyristor
8000
DC
0°
180°
0
6000
180°
120°
90°
60°
4000
2000
0
θ = 30°
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
0°
180°
0
60
40
θ = 30°
1500
60°
2000
90°
120°
180°
3000
DC
20
0
500
1000
2500
TAV [A]
3500
4000
4500
5000
I
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
IFBIP D AEC / 2009-03-12, H.Sandmann
A 11/09
Seite/page
7/10
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T2180N
Phase Control Thyristor
100
c
10
1
b
a
0,1
10
iG [mA]
100
1000
10000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms
100000
10000
1000
iTM = 4000A
2000A
1000A
500A
200A
100A
-di/dt [A/µs]
1
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM
IFBIP D AEC / 2009-03-12, H.Sandmann
A 11/09
Seite/page
8/10
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T2180N
Phase Control Thyristor
40
30
20
10
0
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
11
12
13
14
15
16
17
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
I
T(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
IFBIP D AEC / 2009-03-12, H.Sandmann
A 11/09
Seite/page
9/10
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T2180N
Phase Control Thyristor
Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der
Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und
insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei
Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
Terms & Conditions of usage
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product
data with respect to such application.
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the
product and its characteristics.
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com). For those that
are specifically interested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
contact the sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.
IFBIP D AEC / 2009-03-12, H.Sandmann
A 11/09
Seite/page
10/10
相关型号:
T218N10TOF
Silicon Controlled Rectifier, 400A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element
INFINEON
T218N12TOF
Silicon Controlled Rectifier, 400A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element
INFINEON
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明