T1900N16TOF VT [INFINEON]

直径75 mm、高度26 mm的1600 V、1810 A 相位控制晶闸管，采用高度可靠、坚固且密封式的陶瓷封装。该T1900N Prime Disc专为UPS-旁路应用而优化，电流能力为市场最高水平。;


型号：	T1900N16TOF VT
厂家：	Infineon
描述：	直径75 mm、高度26 mm的1600 V、1810 A 相位控制晶闸管，采用高度可靠、坚固且密封式的陶瓷封装。该T1900N Prime Disc专为UPS-旁路应用而优化，电流能力为市场最高水平。
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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1900N

Key Parameters

V_DRM/ V_RRM

1600V - 1800V

I_TAVM

1810A (T_C=85 °C)

I_TSM

30700A

0,83V

V_T0

r_T

0,15mΩ

17K/kW

24...56kN

75 mm

R_thJC

Clamping Force

Max. Diameter

Contact Diameter

Height

50 mm

26,5 mm

For type designation please refer to actual

short form catalog

http://www.ifbip.com/catalog

Merkmale

Features



Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten

Temperaturbereich



Full blocking 50/60Hz over a wide range

temperature range



Hohe DC Sperrstabilität



High DC blocking stability

High surge current capability

Industial standard package

Hohe Stoßstrombelastbarkeit

Industrie-Standard-Gehäuse

Typische Anwendungen

Typical Applications



Sanftanlasser



Soft starter

Mittelspannungsumrichter

Gleichrichter für Antriebsapplikationen

Medium voltage converters

Rectifier for drives applications

content of customer DMX code

DMX code

digit

DMX code

digit quantity

serial number

SP material number

1..7

8..16

datecode (production day)

datecode (production year)

datecode (production month)

vT class (optional)

17..18

19..20

21..22

23..26

27..30

QR class (optional)

www.ifbip.com

support@infineon-bip.com

Date of publication: 2021-03-10

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1900N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1600 V

1800 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

V_DRM,V_RRM

1600 V

1800 V

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

1700 V

1900 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

2840

Durchlassstrom-Effektivwert

RMS on-state current

T_C= 85°C

I_TRMS

I_TAVM

1810 A

2490 A

3900 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85°C

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 55°C, θ = 180°sin, t_P= 10ms

I_TAVM

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

I_TSM

T_vj= 25°C, t_P= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10ms

39000 A

30700 A

Stossstrom-Grenzwert

surge current

7605 10³ A²s

4713 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25°C, t_P= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10ms

I²t

200 A/µs

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

DIN IEC 60747-6

f = 50 Hz, i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

max

1,1 V

0,83 V

0,15 mΩ

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1,8kA

T_vj= T_{vj max}

v_T

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

Durchlasskennlinie

200A ≤ i_T≤ 3600A

T_vj= T_{vj max}

5,636E-01

on-state characteristic

8,645E-05

1,727E-02

5,882E-03

v_T A  B  i_T C  ln(i_T 1)  D  i_T

Zündstrom

gate trigger current

T_vj= 25°C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

250 mA

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

2 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,2 V

Haltestrom

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

500 mA

holding current

Einraststrom

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10Ω

I_L

max. 2500 mA

latching current

i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs, t_g= 20µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

i_D, i_R

t_gd

max.

300 mA

4 µs

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25°C, i_GM= 1A,

di_G/dt = 1A/µs

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1900N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

typ.

270 µs

Freiwerdezeit

T_vj= T_{vj max}, i_TM= I_TAVM

t_q

circuit commutated turn-off time

v_RM= 100V, v_DM= 0,67 V_DRM

dv_D/dt = 20V/µs, -di_T/dt = 10A/µs

4.Kennbuchstabe / 4^thletter O

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

max.

18,4 K /kW

17,0 K/kW

34,4 K/kW

33,0 K/kW

36,4 K/kW

35,0 K/kW

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sides

einseitig / single-sides

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

2,5

5,0

max.

K/kW

135 °C

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

Betriebstemperatur

operating temperature

-40...+135 °C

-40...+150 °C

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

Seite 4

page 4

Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpresskraft

24...56 kN

clamping force

Steueranschlüsse

control terminals

Gate (flat)

Gate (round, based on AMP 60598)

Kathode / cathode

A 2,8x0,5 mm

Ø 1,5 mm

A 4,8x0,5 mm

Gewicht

weight

typ.

600 g

Kriechstrecke

creepage distance

20 mm

50 m/s²

Schwingfestigkeit

f = 50Hz

vibration resistance

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1900N

1: Anode / Anode

2: Kathode / Cathode

4: Gate

4 5

5: Hilfskathode/

Auxiliary Cathode

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1900N

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z _thJCfür DC

Analytical elements of transient thermal impedance Z _thJCfor DC

Kühlung /

Cooling

Pos. n

0,21

0,00137

0,65

0,0091

R_thn[K/kW]

4,89

1,79

5,99

0,467

4,25

1,736

5,51

2,58

3,08

0,132

3,81

0,260

6,04

0,154

1,53

1,30

beidseitig

two-sided

0,0247

2,39

0,0033

1,90

_n[s]

R_thn[K/kW]

anodenseitig

anode-sided

7,21

20,84

7,007

0,0791

2,06

0,0091

0,55

_n[s]

R_thn[K/kW]

kathodenseitig

cathode-sided

0,00857

0,0014

_n[s]

n_max

-t

_n





R_thn1 e

Z_thJC

Analytische Funktion / Analytical function:



n=1

0,001

0,01

0,1

100

t [s]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC

Z _thJC= f(t)

a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1900N

Erhöhung des Z_{th DC}bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ

Rise of Z_{th DC}for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ

ΔZ_{th Θ sin}/ ΔZ_{th Θ rec}



ΔZ_{th Θ sin180°}

ΔZ_{th Θ rec 180°}

ΔZ_{th Θ rec 120°}

ΔZ_{th Θ rec 90°}

ΔZ_{th Θ rec 60°}

ΔZ_{th Θ rec 30°}

Kühlung / Cooling

[K/kW]

1,890

[K/kW]

beidseitig

two-sided

1,368

1,444

1,316

3,192

2,254

3,021

4,160

2,681

3,897

5,526

3,163

5,193

7,458

3,688

7,241

anodenseitig

anode-sided

1,526

1,853

kathodenseitig

cathode-sided

Z_{th Θ sin}= Z_{th DC}+ Z_{th Θ sin}

Z_{th Θ rec}= Z_{th DC}+ Z_{th Θ rec}

4.000

3.500

3.000

2.500

2.000

1.500

1.000

500

T_vj= T_{vj max}

0,7

0,8

0,9

1,1

1,2

1,3

1,4

V_T[V]

Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i_T= f(v_T)

T_vj= T_{vj max}

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1900N

100

0,1

100

1000

10000

i_G[mA]

Steuercharakteristik v_G= f (i_G) mit Zündbereichen für V_D= 12 V

Gate characteristic v_G= f (i_G) with triggering area for V_D= 12 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P_GM= f (t_g) :

a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms

10000

1000

100

i_TM=2000A

1000A

500A

200A

100A

-di/dt [A/µs]

100

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q_r= f(di/dt)

T_vj= T_vjmax, v_R≤ 0,5 V_RRM, V_RM= 0,8 V_RRM

Parameter: Durchlassstrom / On-state current i_TM

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1900N

6000

5000

4000

3000

2000

1000

rec

180°

sin

180°

rec

120°

rec

90°

rec

60°

θ =

rec 30°

500

1000

1500

2000

I_TAV[A]

2500

3000

3500

4000

Durchlassverlustleistung / On-state power loss P_TAV= f(I_TAV

)

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

140

120

100

θ =

rec 30°

rec

60°

rec

90°

rec

120°

rec

180°

sin

180°

500

1000

1500

2000

I _TAV[A]

2500

3000

3500

4000

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T_C= f(I_TAV

)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1900N

0-50V

0,33 V_RRM

0,67 V_RRM

10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen

Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I_T(OV)Mvon der Anzahl für eine Folge von Sinus

Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V_RM

Typical dependency of maximum overload on-state current I_T(OV)Mas a number of a sequence of

sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V_RM

I_T(OV)M= f (pulses, V_RM) ; T_vj= T_vjmax

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1900N

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Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten

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In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung

übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen

Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

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eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen

Vertriebsbüro in Verbindung. Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu

den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in

Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen

einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

die gemeinsame Einführung von Maßnahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die

Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

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any such applications we urgently recommend

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to establish joint measures of an ongoing product survey,

and that we may make delivery depended on the realization of any such

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If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

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T1900N16TOF VT [INFINEON]

相关型号：

T1900N18TOF VT

T1901N

T1901N70TOH

T1901N75TOH

T1901N80TOHHOSA1

T1902100225-009

T1902100229-009

T1902100232-009

T1902101225-009

T1902101229-009

T1902101232-009

T1902102225-009