T1601N30TOF [INFINEON]

Silicon Controlled Rectifier, 4050A I(T)RMS, 1600000mA I(T), 3000V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element,;


型号：	T1601N30TOF
厂家：	Infineon
描述：	Silicon Controlled Rectifier, 4050A I(T)RMS, 1600000mA I(T), 3000V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element,
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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 1601N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

3000

3400

3200 V

3500 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^PerK^iode^isn^cn^heda^Vt^oe^rwn^{ärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

3100

3500

3300 V

3600 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= 0°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

4050 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

1900 A

2600 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

T_C= 60 °C

42500 A

38500 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

9000 10³ A²s

7400 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

300 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

typ.

1,35 V

1,5 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 2000A

T_vj= T_{vj max}

v_T

max.

on-state voltage

typ.

0,9 V

1 V

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

max.

typ. 0,225 mΩ

max. 0,25 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

typ.

-0,0978

0,000187

0,15

Durchlaßkennlinie

T_vj= T_{vj max}

on-state characteristic

v_T= A + B ⋅ i_T+ C ⋅ Ln(i_T+ 1) + D ⋅ i_T

-0,00173

-0,0981

0,000187

0,143

max.

0,00466

350

Zündstrom

gate trigger current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

2,5

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

20 mA

10 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,4 V

350 mA

3 A

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

Einraststrom

latching current

I_L

i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs, t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

i_D, i_R

t_gd

400 mA

1,5 µs

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

J. Przybilla

date of publication: 15.05.03

prepared by:

revision:

approved by: R. Keller

BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 1601N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit

T_vj= T_{vj max}, i_TM= I_TAVM

t_q

circuit commutated turn-off time

v_RM= 100 V, v_DM= 0,67 V_DRM

Thermische Eigenschaften

dv_D/dt = 20 V/µs, -di_T/dt = 10 A/µs

4.Kennbuchstabe / 4^thletter O

typ.

300 µs

Mechanische Eigenschaften

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

T_vj= T_{vj max}

Q_r

i_TM= I_TAVM, -di_T/dt = 10 A/µs

V_R= 0,5V_RRM, V_RM= 0,8V_RRM

max.

8,5 mAs

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

T_vj= T_{vj max}

i_TM= I_TAVM, -di_T/dt = 10 A/µs

V_R= 0,5V_RRM, V_RM= 0,8V_RRM

I_RM

max.

270

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, DC

R_thJC

max. 0,0097 °C/W

max. 0,009

max. 0,017

°C/W

Kathode / cathode, DC

max. 0,0191 °C/W

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

0,0025

0,005

max.

°C/W

einseitig / single-sided

125 °C

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

Betriebstemperatur

operating temperature

-40...+125 °C

-40...+150 °C

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

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Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpresskraft

clamping force

36...52 kN

Steueranschlüsse

control terminals

DIN 46244

f = 50 Hz

Gate

Kathode /Cathode

A 4,8x0,8

A 6,3x0,8

Gewicht

weight

typ.

1700 g

Kriechstrecke

creepage distance

33 mm

50 m/s²

Schwingfestigkeit

vibration resistance

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in

Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging

technical notes.

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 1601N

Phase Control Thyristor

Maßbild

1: Anode/Anode

2: Kathode/Cathode

4: Gate

4 5

5: Hilfskathode/

Cathode (control terminal)

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 1601N

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z _thJC

Analytical elements of transient thermal impedance Z _thJC

R,t – Werte

Pos. n

R,T-Werte

R_thn[°C/W] 0,00237 0,004

2,15 0,27

0,0017

0,056

0,0017

0,056

0,0017

0,056

0,0008

0,0068

0,0008

0,0068

0,0008

0,0068

0,00013

0,0017

0,00013

0,0017

0,00013

beidseitig

two-sided

τ_n[s]

R_thn[°C/W] 0,01037 0,004

anodenseitg

anode-sided

9,4

0,27

τ_n[s]

R_thn[°C/W] 0,01247 0,004

kathodenseitig

cathode-sided

11,3

0,27

0,0017

τ_n[s]

n_max

-t

τ_n

Analytische Funktion / Analytical function:

−

Z_thJC

R_thn1 e

n=1

0,025

0,02

0,015

0,01

0,005

0,001

0,01

0,1

100

t [s ]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z _thJC= f(t) for DC

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 1601N

Phase Control Thyristor

4 5 0 0

Diagramme

Durchlasskennlinie

4 0 0 0

3 5 0 0

3 0 0 0

2 5 0 0

2 0 0 0

1 5 0 0

1 0 0 0

5 0 0

typ .

m a x.

0 ,5

1 ,5

2 ,5

v _T[V ]

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i_T= f(v_T)

T_vj= T_{vj max}

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 1601N

Phase Control Thyristor

Durchlassverluste

-40°C

+25°C

v_G[V]

+125°C

0,5

0,2

100

200

500

1000

2000

5000 10000

i_G[mA]

Steuercharakteristik v_G= f (i_G) mit Zündbereichen für V_D= 6 V

Gate characteristic v_G= f (i_G) with triggering area for V_D= 6 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P_GM= f (t_g) :

a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 1601N

Phase Control Thyristor

1 6

Tc beidseitig

1 4

1 2

1 0

2 0

3 0

-d i/d t [A /µs ]

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q_r= f(-di/dt)

T_vj=T_vjmax, v_R=0,5 V_RRM, V_RM=0,8 V_RRM

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

T 1601N

Phase Control Thyristor

70 0

Ta bei Sinus

60 0

50 0

40 0

30 0

20 0

10 0

1 0

2 0

3 5

-d i/d t [A /µs ]

Rückstromspitze / Peak reverse recovery current I_RM= f(-di/dt)

T_vj=T_vjmax, v_R=0,5 V_RRM, V_RM=0,8 V_RRM

BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller

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