T1401N42TOHXPSA1 [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 3450A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 4200V V(RRM), 1 Element,;
| 型号： | T1401N42TOHXPSA1 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 3450A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 4200V V(RRM), 1 Element, 栅 栅极 |
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1401N
Key Parameters
VDRM / VRRM
3800V … 4400V
ITAVM
1590A (TC=85°C)
40000A
ITSM
vT0
1,29V
rT
0,33mΩ
9,0K/kW
36 … 52kN
121mm
RthJC
Clamping Force
Max. Diameter
Contact Diameter
Height
86mm
35mm
For type designation please refer to actual shortform
catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking 50/60Hz over a wide range temperature
range
Hohe DC Sperrstabilität
High DC blocking stability
High surge current capability
High case non-rupture current
High di/dt capability
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hoher Gehäusebruchstrom
Hohe Einschalt di/dt Fähigkeit
Typische Anwendungen
Typical Applications
Mittelspannungssanftanlasser
Statische Kompensation SVC
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Mittelspannungsumrichter
Medium Voltage Softstarter
Static Var Compensation SVC
Rectifier for Drives Applications
Medium Voltage Drives
Lastgeführte Umrichter
Load Commutating Inverter
4
5
content of customer DMX code
DMX code
digit
DMX code
digit quantity
1
2
serial number
1..7
8..16
7
9
2
2
2
4
4
SP material number
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
QR class
Revision: 6.0
Seite/page: 1/11
Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1401N
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
VDRM,VRRM
Tvj = -40°C... Tvj max
3800 V
4000 V
4200 V
4400 V
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
ITRMSM
2500 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
TC = 85 °C
ITAVM
1590 A
1960 A
2290 A
40000 A
36000 A
Dauergrenzstrom
TC = 85 °C
TC = 70 °C
TC = 55 °C
average on-state current
ITSM
I²t
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
8000 10³ A²s
6480 10³ A²s
300 A/µs
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
2000 V/µs
Kritische Spannungssteilheit
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter H
critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 2000A
Tvj = Tvj max
vT
typ.
Max.
1,7 V
1,95 V
Schleusenspannung
threshold voltage
V(TO)
rT
typ.
max.
1,1 V
1,29 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
typ.
Max.
0,3 mΩ
0,33 mΩ
A
B
C
D
A
B
C
D
-0,0105
0,000182
0,13062
0,008028
-0,0266
0,00025
0,1662
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
200A iF 2500A
Tvj = Tvj max
typ.
vT A B iT C Ln(iT 1) D iT
max.
0,005006
Tvj = 25°C, vD = 12 V
Tvj = 25°C, vD = 12 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
max.
350 mA
Zündstrom
gate trigger current
2,5 V
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 12 V
max.
max.
20 mA
10 mA
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = 25°C, vD = 12 V
max.
max.
max.
max.
max.
0,4 V
350 mA
3 A
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
IL
Einraststrom
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
latching current
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
400 mA
2 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
gate controlled delay time
date of publication: 2011-05-02
prepared by: TM
approved by: JP
revision:
6.0
Revision: 6.0
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Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1401N
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Charakteristische Werte / characteristic values
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
350
tq
typ.
µs
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvj max
Qr
max.
max.
7
mAs
A
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IRM
220
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
RthJC
max.
9,7 K/kW
9,0 K/kW
17,0 K/kW
19,5 K/kW
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
max.
max.
max.
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
Übergangs-Wärmewiderstand
max.
max.
2,5 K/kW
thermal resistance, case to heatsink
5,0
K/kW
125 °C
Tvj max
Tc op
Tstg
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 4
page 4
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
F
36...52 kN
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46244
Gate
Kathode /Cathode
A 4,8x0,8
A 6,3x0,8
G
typ.
1700 g
Gewicht
weight
33 mm
50 m/s²
Kriechstrecke
creepage distance
f = 50 Hz
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Revision: 6.0
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Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1401N
1: Anode/anode
2: Kathode/cathode
4: Gate
4 5
1
2
5: Hilfskathode/
cathode (control terminal)
Revision: 6.0
Seite/page: 4/11
Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1401N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
/
analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n
Rthn [K/kW]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
2,23
2
2,7
2,8
0,8
0,47
beidseitig
two-sided
0,44
2,7
0,11
2,8
0,015
0,8
0,0041
0,47
Rthn [K/kW]
τn [s]
10,23
9,2
anodenseitig
anode-sided
0,44
2,7
0,11
2,8
0,015
0,8
0,0041
0,47
Rthn [K/kW]
τn [s]
12,73
11,4
kathodenseitig
cathode-sided
0,44
0,11
0,015
0,0041
nmax
-t
n
Analytische Funktion / analytical function:
ZthJC
Rthn 1 e
n=1
25
20
15
10
5
ci
ai
bi
0
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
a : Anodenseitige Kühlung / anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / cathode-sided cooling
Revision: 6.0
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Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1401N
3000
2500
2000
1500
1000
500
typ.
max.
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
vT [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
Revision: 6.0
Seite/page: 6/11
Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1401N
30
20
10
c
5
b
a
-40ꢀC
2
1
+25ꢀC
+125ꢀC
0,5
0,2
2000
5000 10000
20
50
100
200
500
1000
iG [mA]
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V /
gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
Revision: 6.0
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1401N
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
Revision: 6.0
Seite/page: 8/11
Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1401N
600
500
400
300
200
100
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-di/dt [A/µs]
Rückstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
Revision: 6.0
Seite/page: 9/11
Date of Publication: 2011-05-02
Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1401N
40
35
30
25
20
15
10
5
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half wave
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz.
Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves
at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
Revision: 6.0
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Technische Information /
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1401N
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