LV5413-V [INFINEON]

Visible LED, Clear;


型号：	LV5413-V
厂家：	Infineon
描述：	Visible LED, Clear
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Hyper 5 mm (T1 ¾) LED, Non Diffused

Hyper-Bright LED

LB 5413, LV 5413, LT 5413

Vorläufige Daten / Preliminary Data

Besondere Merkmale

Features

• Gehäusetyp: nicht eingefärbtes, klares 5 mm

(T1 ¾) Gehäuse

• package: colorless, clear 5 mm (T1 ¾)

package

• Besonderheit des Bauteils: enge

Abstrahlcharakteristik für große Lichtstärken

• Wellenlänge: 470 nm (blau), 505 nm (verde),

528 nm (true green)

• feature of the device: narrow viewing angle for

more brightness

• wavelength: 470 nm (blue), 505 nm (verde),

528 nm (true green)

• Abstrahlwinkel: engwinklig (15°)

• Technologie: InGaN

• viewing angle: narrow (15°)

• technology: InGaN

• optischer Wirkungsgrad: 2 lm/W (blau),

6 lm/W (verde), 8 lm/W (true green)

• Gruppierungsparameter: Lichtstärke

• Lötmethode: Wellenlöten (TTW)

• Verpackung: Schüttgut, gegurtet lieferbar

• ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kV nach

MIL STD 883 D, Method 3015.7

• optical efficiency: 2 lm/W (blue),

6 lm/W (verde), 8 lm/W (true green)

• grouping parameter: luminous intensity

• soldering methods: TTW soldering

• packing: bulk, available taped on reel

• ESD-withstand voltage: up to 2 kV acc. to

MIL STD 883 D, Method 3015.7

Anwendungen

Applications

• Ampelanwendungen

• traffic lights

• Hinterleuchtung (LCD, Schalter, Tasten,

Displays, Werbebeleuchtung,

Allgemeinbeleuchtung)

• Innenbeleuchtung im Automobilbereich

(z.B. Tastenbeleuchtung, u. ä.)

• Ersatz von Kleinst-Glühlampen

• backlighting (LCD, switches, keys, displays,

illuminated advertising, general lighting)

• interior automotive lighting (e.g. key

backlighting, etc.)

• substitution of micro incandescent lamps

2000-03-01

OPTO SEMICONDUCTORS

LB 5413, LV 5413, LT 5413

Typ

Emissions-

farbe

Color of

Emission

Gehäusefarbe

Lichtstärke

Lichtstrom

Bestellnummer

Ordering Code

Type

Color of

Package

Luminous

Intensity

I_F= 20 mA

I_V(mcd)

Luminous

Flux

I_F= 20 mA

Φ_V(mlm)

LB 5413-TV

LB 5413-VBW

LB 5413-T

LB 5413-U

LB 5413-V

blue

colorless clear

280 ... 1120

710 ... 2800

280 ... 450

450 ... 710

710 ... 1120

1120 ... 1800

1800 ... 2800

120 (typ.)

300 (typ.)

60 (typ.)

100 (typ.)

150 (typ.)

240 (typ.)

380 (typ.)

on request

LB 5413-AW

LB 5413-BW

LV 5413-VBW verde

LV 5413-BWDW

LV 5413-V

LV 5413-AW

LV 5413-BW

710 ... 2800

1800 ... 7100 1200 (typ.)

470 (typ.)

710 ... 1120

1120 ... 1800

1800 ... 2800

2800 ... 4500

4500 ... 7100 1400 (typ.)

710 ... 2800 470 (typ.)

1800 ... 7100 1200 (typ.)

710 ... 1120

1120 ... 1800

1800 ... 2800

2800 ... 4500

230 (typ.)

370 (typ.)

590 (typ.)

900 (typ.)

LV 5413-CW

LV 5413-DW

LV 5413-VBW true green

LV 5413-BWDW

LV 5413-V

LV 5413-AW

LV 5413-BW

230 (typ.)

370 (typ.)

590 (typ.)

900 (typ.)

LV 5413-CW

LV 5413-DW

4500 ... 7100 1400 (typ.)

Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprägedauer von 25 ms und einer Genauigkeit von ±11 %

ermittelt.

Luminous intensity is tested at a current pulse duration of 25 ms and an accuracy of ±11 %.

2000-03-01

OPTO SEMICONDUCTORS

LB 5413, LV 5413, LT 5413

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Betriebstemperatur

Operating temperature range

T_op

T_stg

T_j

– 55 … + 100

+ 100

°C

Lagertemperatur

Storage temperature range

Sperrschichttemperatur

Junction temperature

Durchlaßstrom

Forward current

I_F

Stoßstrom

I_FM

t.b.d.

Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

Sperrspannung

Reverse voltage

V_R

Leistungsaufnahme

Power dissipation

T_A≤ 25 °C

P_tot

Wärmewiderstand

Thermal resistance

Sperrschicht/Umgebung

Junction/ambient

Sperrschicht/Lötpad

R_{th JA}

R_{th JS}

400

180

K/W

Junction/solder point

Montage auf PC-Board FR 4 (Padgröße ≥ 16 mm²)

mounted on PC board FR 4 (pad size ≥ 16 mm ²)

Minimale Beinchenlänge

Minimum lead length

2000-03-01

OPTO SEMICONDUCTORS

LB 5413, LV 5413, LT 5413

Kennwerte (T_A= 25 °C)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

Wellenlänge des emittierten Lichtes

Wavelength at peak emission

I_F= 20 mA

(typ.) λ_peak

465

503

523

Dominantwellenlänge

Dominant wavelength

I_F= 20 mA

(typ.) λ_dom

(typ.) ∆λ

(typ.) 2ϕ

470

± 7

505

± 8

528

± 10

Spektrale Bandbreite bei 50 % I_{rel max}

Spectral bandwidth at 50 % I_{rel max}

I_F= 20 mA

Abstrahlwinkel bei 50 % I_V(Vollwinkel)

Viewing angle at 50 % I_V

Grad

deg.

Durchlaßspannung

Forward voltage

I_F= 20 mA

(typ.) V_F

(max.) V_F

3.5

4.2

3.3

4.2

3.3

4.2

Sperrstrom

Reverse current

V_R= 5 V

(typ.) I_R

(max.) I_R

0.01

µA

Temperaturkoeffizient von λ_peak

Temperature coefficient of λ_peak

I_F= 20 mA

(typ.) TC_λpeak

(typ.) TC_λdom

(typ.) TC_V

0.04

0.02

– 2.9

0.03

0.02

– 3.2

0.04

0.03

– 3.6

nm/K

mV/K

lm/W

Temperaturkoeffizient von λ_dom

Temperature coefficient of λ_dom

I_F= 20 mA

Temperaturkoeffizient von V_F

Temperature coefficient of V_F

I_F= 20 mA

Optischer Wirkungsgrad

Optical efficiency

I_F= 20 mA

(typ.) η_opt

2000-03-01

OPTO SEMICONDUCTORS

LB 5413, LV 5413, LT 5413

Relative spektrale Emission I_rel= f (λ), T_A= 25 °C, I_F= 20 mA

Relative Spectral Emission

V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

OHL00492

100

I_rel

blue

verde

true green

400

450

500

550

600

650

700

Abstrahlcharakteristik I_rel= f (ϕ)

Radiation Characteristic

40˚

30˚

20˚

10˚

0˚

OHL00493

1.0

50˚

0.8

0.6

0.4

60˚

70˚

0.2

80˚

90˚

100˚

1.0

0.8

0.6

0.4

0˚

20˚

40˚

60˚

80˚

100˚

120˚

2000-03-01

OPTO SEMICONDUCTORS

LB 5413, LV 5413, LT 5413

Durchlaßstrom I_F= f (V_F)

Forward Current

T_A= 25 °C

Relative Lichtstärke I_V/I_{V(20 mA)}= f (I_F)

Relative Luminous Intensity

T_A= 25 °C

OHL00494

10 ¹

OHL00495

10 ²

I_V

I_F

I_{V (20 mA)}

10 ⁰

10 ¹

blue

verde,

true green

10 ^-1

10 ⁰

10 ^-2

10 ^-1

10 ⁰

10 ¹

mA 10 ²

2.5

3.5

4.5 V 5

I_F

V_F

Maximal zulässiger Durchlaßstrom I_F= f (T)

Max. Permissible Forward Current

OHL01212

OHL01088

I_F

blue

verde,

true green

verde,

true green

T_Atemp. ambient

T_Stemp. solder point

20 40

80 ˚C 100

20 40 60

80 ˚C 100

2000-03-01

OPTO SEMICONDUCTORS

LB 5413, LV 5413, LT 5413

Relative Lichtstärke I_V/I_{V(25 °C)}= f (T_A)

Relative Luminous Intensity

I_F= 20 mA

Dominante Wellenlänge λ_dom= f (I_F)

Dominant Wavelength

LB, T_A= 25 °C

OHL00500

OHL00870

472.5

1.2

I_V

λ _dom

I_{V (25 ˚C)}

471.5

471.0

0.8

0.6

0.4

0.2

470.5

blue

470.0

469.5

469.0

40 mA 50

-10

˚C 100

I_F

Dominante Wellenlänge λ_dom= f (I_F)

Dominant Wavelength

LV, T_A= 25 °C

Dominante Wellenlänge λ_dom= f (I_F)

Dominant Wavelength

LT, T_A= 25 °C

OHL00882

OHL00503

541

511

^dom510

_dom539

537

509

535

508

533

507

verde

531

true green

506

529

505

527

504

525

503

523

521

502

40 mA 50

I_F

2000-03-01

OPTO SEMICONDUCTORS

LB 5413, LV 5413, LT 5413

Maßzeichnung

Package Outlines

Area not flat

7.8 (0.307)

7.5 (0.295)

5.9 (0.232)

5.5 (0.217)

1.8 (0.071)

1.2 (0.047)

29.0 (1.142)

27.0 (1.063)

0.6 (0.024)

0.4 (0.016)

GEXY6713

Cathode

9.0 (0.354)

8.2 (0.323)

Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch).

Kathodenkennung:

Cathode mark:

kürzerer Lötspieß

short solder lead

Gewicht / Approx. weight: 0.35 g

2000-03-01

OPTO SEMICONDUCTORS

LB 5413, LV 5413, LT 5413

Lötbedingungen

Soldering Conditions

Wellenlöten (TTW) (nach CECC 00802)

TTW Soldering

(acc. to CECC 00802)

OHLY0598

300

10 s

Normalkurve

standard curve

250

200

150

100

235 C ... 260 C

Grenzkurven

limit curves

2. Welle

2. wave

1. Welle

1. wave

ca 200 K/s

2 K/s

5 K/s

100 C ... 130 C

Zwangskühlung

2 K/s

forced cooling

100

150

200

250

Empfohlenes Lötpaddesign Wellenlöten (TTW)

Recommended Solder Pad

TTW Soldering

OHLP0985

2000-03-01

OPTO SEMICONDUCTORS

LV5413-V [INFINEON]

相关型号：

LV5413-VBW

LV5413-VBW-35

LV5433

LV5433-AW

LV5433-BW

LV5433-T

LV5433-TV

LV5433-U

LV5433-V

LV5433-VBW

LV549

LV549-CHIP