LSST670 [INFINEON]
Multi TOPLED; 多TOPLED
Infineon 
Multi TOPLED®
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Besondere Merkmale
● Gehäusebauform: P-LCC-4
● Gehäusefarbe: weiß
● als optischer Indikator einsetzbar
● beide Leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar
● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
● gegurtet (8-mm-Filmgurt)
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● P-LCC-4 package
● color of package: white
● for use as optical indicator
● both chips can be controlled separately
● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
● suitable for all SMT assembly and soldering methods
● available taped on reel (8 mm tape)
● load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
1)
Typ
Emissions- Farbe der
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Ordering Code
farbe
Lichtaustritts-
fläche
Type
Color of
Color of the
Luminous
Luminous
Flux
1)
Emission
Light Emitting Intensity
Area
I = 10 mA
F
I = 10 mA
F
IV (mcd)
ΦV (mlm)
■ LSS T670-JO super-red/
colorless clear ≥ 4.0 (8 typ.)
colorless clear ≥ 4.0 (8 typ.)
colorless clear ≥ 4.0 (8 typ.)
24 (typ.)
Q62703-Q2902
Q62703-Q2903
Q62703-Q2904
Q62703-Q2905
Q62703-Q2906
super-red
■
LOO T670-JO orange/
orange
24 (typ.)
24 (typ.)
■ LYY T670-JO yellow/
yellow
LGG T670-JO green/
green
colorless clear ≥ 4.0 (10 typ.) 30 (typ.)
LPP T670-HO pure green/ colorless clear ≥ 2.5 (5 typ.)
15 (typ.)
pure green
■ Not for new design / Nicht für Neuentwicklungen
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.1)
Streuung der Lichtstärke in einer LED IV max / IV min ≤ 2.0.
1)
Bei MULTILED® mit 2 gleichfarbigen Chips in einem Gehäuse wird die Helligkeitsgruppe aus dem Mittelwert
der Lichtstärken ermittelt.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.1)
Luminous intensity ratio in one LED IV max / IV min ≤ 2.0.
1)
In case of MULTILED® with two chips of the same color in one package, the mean of the brightness determines
the brightness group of the LED.
Semiconductor Group
2
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670 LPP T670
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 55 ... + 100
– 55 ... + 100
+ 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
IF
30
Stoßstrom
IFM
0.5
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspanung
VR
5
V
Reverse voltage
Verlustleistung
Ptot
100
mW
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
2
1)
Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm ) Rth JA
480
650
K/W
K/W
2
2)
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm )
Rth JA
)
*
PC-board: FR4
1)
1)
2)
nur ein Chip betrieben
beide Chips betrieben
one system on
2)
both systems on simultaneously
Notes
Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip.
The stated maximum ratings refer to one chip.
Semiconductor Group
3
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LO
LY
LG
LP
Wellenlänge des emittierten
Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
λpeak
635 610 586 565 557 nm
(typ.)
(typ.)
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
λdom
∆λ
628 605 590 570 560 nm
Spektrale Bandbreite
45
40
45
25
22
nm
bei 50 % Irel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 % Irel max (typ.)
IF = 10 mA
Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % Iv
2ϕ
120 120 120 120 120 deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 10 mA
(typ.)
(max.)
VF
VF
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.)
(max.)
IR
IR
0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA
10
10
10
10
10
µA
Kapazität
(typ.)
C0
12
8
10
15
15
pF
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
(typ.)
(typ.)
tr
tf
300 300 300 450 450 ns
150 150 150 200 200 ns
IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω
Semiconductor Group
4
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Relative spektrale Emission I = f (λ), TA = 25 ˚C, I = 10 mA
rel
F
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik I = f (ϕ)
rel
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Durchlaßstrom I = f (VF)
Zulässige ImpulsbelastbarkeitI = f (tp)
F
F
Forward current
Permissible pulse handling capability
TA = 25 ˚C
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I = f (TA)
F
Semiconductor Group
6
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Wellenlänge der Stahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 10 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
Semiconductor Group
7
LSS T670, LOO T670, LYY T670
LGG T670, LPP T670
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Semiconductor Group
8
相关型号：
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