IPB019N08N3 G
更新时间:2024-09-19 05:40:26
品牌:INFINEON
描述:OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源(例如服务器和通信)以及功耗(例如电动车)领域。
IPB019N08N3 G 概述
OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源(例如服务器和通信)以及功耗(例如电动车)领域。
IPB019N08N3 G 数据手册
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IPB019N08N3 G 相关器件
型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
IPB019N08N3G | INFINEON | OptiMOS3 Power-transistor | 获取价格 | |
IPB019N08N3GXT | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TO-263, 7 PIN | 获取价格 | |
IPB019N08N5 | INFINEON | 与前几代产品相比,英飞凌OptiMOS™5 80V工业功率MOSFETIPB019N08N5,其R DS(on)降低了43%,非常适合高开关频率。该器件专为通信和服务器电源中的同步整流而设计。此外,它们还可以在其他工业应用中使用,例如太阳能、低压驱动器和适配器。 | 获取价格 | |
IPB019N08NF2S | INFINEON | Infineon's StrongIRFET? 2 power MOSFET 80 V features low RDS(on) of 1.9 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency. | 获取价格 | |
IPB020N04NG | INFINEON | OptiMOS3 Power-Transistor | 获取价格 | |
IPB020N08N5 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 | 获取价格 | |
IPB020N10N5 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 | 获取价格 | |
IPB020N10N5ATMA1 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3/2 | 获取价格 | |
IPB020N10N5LF | INFINEON | OptiMOS™线性FET是一种全新方法,实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻(R DS(on) )和线性模式能力的出色平衡。它提供先进的沟槽栅MOSFET R DS(on)以及经典平面MOSFET的宽安全工作区。 | 获取价格 | |
IPB020N10N5LFATMA1 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 100V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 | 获取价格 |
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