FZ1200R17HE4P [INFINEON]
TIM;型号: | FZ1200R17HE4P |
厂家: | Infineon |
描述: | TIM |
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FZ1200R17HE4P
IHM-BꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀDiodeꢀundꢀbereitsꢀaufgetragenem
ThermalꢀInterfaceꢀMaterial
IHM-BꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiodeꢀandꢀpre-appliedꢀThermal
InterfaceꢀMaterial
VCES = 1700V
IC nom = 1200A / ICRM = 2400A
TypischeꢀAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Motorantriebe
TypicalꢀApplications
• Highꢀpowerꢀconverters
• Motorꢀdrives
ElektrischeꢀEigenschaften
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀTvjꢀop
• NiedrigeꢀSchaltverluste
• NiedrigesꢀVCEsat
ElectricalꢀFeatures
• ExtendedꢀoperatingꢀtemperatureꢀTvjꢀop
• Lowꢀswitchingꢀlosses
• LowꢀVCEsat
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C
MechanischeꢀEigenschaften
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken
• HoheꢀLeistungsdichte
• IHMꢀBꢀGehäuse
MechanicalꢀFeatures
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400
• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances
• Highꢀpowerꢀdensity
• IHMꢀBꢀhousing
• Kupferbodenplatte
• Copperꢀbaseꢀplate
• RoHSꢀkonform
• RoHSꢀcompliant
• Thermisches Interface Material bereits
• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial
aufgetragen
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ3.0
www.infineon.com
2016-10-17
FZ1200R17HE4P
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
IC nom
ICRM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1700
1200
2400
+/-20
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom
TH = 90°C, Tvj max = 175°C
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
VGES
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 1200 A, VGE = 15 V
IC = 1200 A, VGE = 15 V
IC = 1200 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,95 2,30
2,35 2,75
2,45 2,90
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 48,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 V ... +15 V
VGEth
QG
5,20 5,80 6,40
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
12,5
1,6
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Tvj = 25°C
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
97,0
3,15
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
5,0 mA
400 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1200 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 0,68 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,68
0,79
0,81
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1200 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 0,68 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,14
0,145
0,145
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1200 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,10
1,20
1,25
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 1200 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,18
0,43
0,51
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 1200 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 9000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 0,68 Ω
Tvj = 25°C
280
370
400
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 1200 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 2950 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C
RGoff = 1,0 Ω
Tvj = 25°C
240
380
420
mJ
mJ
mJ
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
5500
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial
RthJH
Tvj op
23,4 K/kW
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
2
Vꢀ3.0
2016-10-17
FZ1200R17HE4P
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1700
1200
2400
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
235
225
kA²s
kA²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 1200 A, VGE = 0 V
IF = 1200 A, VGE = 0 V
IF = 1200 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,80 2,20
1,90 2,30
1,95 2,40
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 1200 A, - diF/dt = 9000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
VGE = -15 V
1350
1600
1650
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 1200 A, - diF/dt = 9000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
VGE = -15 V
300
515
580
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 1200 A, - diF/dt = 9000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
170
325
370
mJ
mJ
mJ
VR = 900 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial
RthJH
Tvj op
39,0 K/kW
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
3
Vꢀ3.0
2016-10-17
FZ1200R17HE4P
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
4,0
Cu
ꢀ kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al2O3
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
32,2
32,2
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
19,1
19,1
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
> 400
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
LsCE
RCC'+EE'
Tstg
9,0
nH
mΩ
°C
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
THꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
0,18
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
-40
125
125
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumꢀbaseplateꢀoperationꢀtemperature
TBPmax
°C
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
M
4,25
5,75 Nm
2,1 Nm
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
1,8
8,0
-
-
M
G
10
Nm
g
Gewicht
Weight
1300
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM laut AN2012-07
Storage and shipment of modules with TIM according to AN2012-07
Datasheet
4
Vꢀ3.0
2016-10-17
FZ1200R17HE4P
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ150°C
2400
2400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
600
400
400
200
200
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ0.68ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
2400
1000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
800
600
400
200
0
600
400
200
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
0
400
800
1200
IC [A]
1600
2000
2400
Vꢀ3.0
VGE [V]
Datasheet
5
2016-10-17
FZ1200R17HE4P
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ1200ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
2000
100
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
ZthJH : IGBT
1750
1500
1250
1000
750
500
250
0
Eoff, Tvj = 150°C
10
1
i:
ri[K/kW]: 1,95
τi[s]:
1
2
10,5
3
4
7,69 3,27
0,00155 0,0332 0,145 1,11
0,1
0,001
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
2800
2400
IC, Modul
IC, Chip
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2200
2400
2000
1600
1200
800
400
0
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
VCE [V]
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
Datasheet
6
Vꢀ3.0
2016-10-17
FZ1200R17HE4P
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ0.68ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
IFꢀ=ꢀ1200ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
500
500
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
450
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
450
400
350
300
250
200
150
100
50
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400
IF [A]
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
6,0
7,0
RG [Ω]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
100
ZthJH : Diode
10
1
i:
ri[K/kW]: 3,66
τi[s]:
1
2
18,7
3
4
11,5 5,22
0,00138 0,0315 0,138 1,11
0,1
0,001
0,01
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t [s]
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10
Datasheet
7
Vꢀ3.0
2016-10-17
FZ1200R17HE4P
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Datasheet
8
Vꢀ3.0
2016-10-17
TrademarksꢀofꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG
µHVIC™,ꢀµIPM™,ꢀµPFC™,ꢀAU-ConvertIR™,ꢀAURIX™,ꢀC166™,ꢀCanPAK™,ꢀCIPOS™,ꢀCIPURSE™,ꢀCoolDP™,ꢀCoolGaN™,ꢀCOOLiR™,
CoolMOS™,ꢀCoolSET™,ꢀCoolSiC™,ꢀDAVE™,ꢀDI-POL™,ꢀDirectFET™,ꢀDrBlade™,ꢀEasyPIM™,ꢀEconoBRIDGE™,ꢀEconoDUAL™,
EconoPACK™,ꢀEconoPIM™,ꢀEiceDRIVER™,ꢀeupec™,ꢀFCOS™,ꢀGaNpowIR™,ꢀHEXFET™,ꢀHITFET™,ꢀHybridPACK™,ꢀiMOTION™,
IRAM™,ꢀISOFACE™,ꢀIsoPACK™,ꢀLEDrivIR™,ꢀLITIX™,ꢀMIPAQ™,ꢀModSTACK™,ꢀmy-d™,ꢀNovalithIC™,ꢀOPTIGA™,ꢀOptiMOS™,
ORIGA™,ꢀPowIRaudio™,ꢀPowIRStage™,ꢀPrimePACK™,ꢀPrimeSTACK™,ꢀPROFET™,ꢀPRO-SIL™,ꢀRASIC™,ꢀREAL3™,ꢀSmartLEWIS™,
SOLIDꢀFLASH™,ꢀSPOC™,ꢀStrongIRFET™,ꢀSupIRBuck™,ꢀTEMPFET™,ꢀTRENCHSTOP™,ꢀTriCore™,ꢀUHVIC™,ꢀXHP™,ꢀXMC™
ꢀ
TrademarksꢀupdatedꢀNovemberꢀ2015
ꢀ
OtherꢀTrademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
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Editionꢀ2016-10-17
©ꢀ2016ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.
AllꢀRightsꢀReserved.
Publishedꢀby
InfineonꢀTechnologiesꢀAG
81726ꢀMünchen,ꢀGermany
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Email:ꢀerratum@infineon.com
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WICHTIGERꢀHINWEIS
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes
(“Beschaffenheitsgarantie“)ꢀdar.ꢀFürꢀBeispiele,ꢀHinweiseꢀoderꢀtypischeꢀWerte,ꢀdieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenꢀsind,ꢀund/oderꢀAngaben,
dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,
einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem
DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon
ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder
EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen
ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen
benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).
WARNHINWEIS
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnenꢀProdukteꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀFragenꢀzuꢀdenꢀinꢀdiesem
ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.
SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten
Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen
vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu
Personenverletzungenꢀführen.
ꢀ
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IMPORTANTꢀNOTICE
Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics
(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe
applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout
limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.
Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany
applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies
inꢀcustomer’sꢀapplications.
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical
departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin
thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.
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Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).
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nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.
ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon
Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof
theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.
相关型号:
FZ1200R17HP4HOSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
INFINEON
FZ1200R17KF4
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
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