FS35R12KE3 [INFINEON]

Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES,;


型号：	FS35R12KE3
厂家：	Infineon
描述：	Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, 栅
文件：	总8页 (文件大小：142K)
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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS35R12KE3

vorläufige Daten

preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Kollektor Emitter Sperrspannung

V_CES

1200

collector emitter voltage

I_{C, nom}

I_C

Kollektor Dauergleichstrom

DC collector current

T_c= 80°C

T_c= 25°C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_p= 1ms, T_c= 80°C

T_c= 25°C

I_CRM

200

+20

Gesamt Verlustleistung

total power dissipation

P_tot

Gate Emitter Spitzenspannung

gate emitter peak voltage

V_GES

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forward current

t_p= 1ms

I_FRM

Grenzlastintegral

I²t value

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C

RMS, f= 50Hz, t= 1min

I²t

300

2,5

A²s

Isolations Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

typ.

1,7

2,0

max.

2,1

V_GE= 15V, T_vj= 25°C, I_C= I_C,nom

Kollektor Emitter Sättigungsspannung

V_CEsat

V_GE(th)

Q_G

collector emitter saturation voltage

V_GE= 15V, T_vj= 125°C, I_C= I_C,nom

t.b.d.

Gate Schwellenspannung

gate threshold voltage

V_CE= V_GE, T_vj= 25°C, I_C= 1,5mA

5,0

5,8

0,33

2,5

0,09

6,5

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V...+15V

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V

V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

Kollektor Emitter Reststrom

collector emitter cut off current

I_CES

Gate Emitter Reststrom

gate emitter leakage current

I_GES

400

prepared by: M. Münzer

approved: M. Hierholzer

date of publication: 2001-08-16

revision: 2

Datenblatt FS35R12KE3 V2.xls

2001-08-16

1 (8)

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS35R12KE3

vorläufige Daten

preliminary data

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

typ.

max.

I_C= I_{C, nom}, V_CC= 600V

Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)

turn on delay time (inductive load)

t_d,on

V_GE= ±15V, R_G= 27W, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 27W, T_vj= 125°C

I_C= I_{C, nom}, V_CC= 600V

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

t_r

V_GE= ±15V, R_G= 27W, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 27W, T_vj= 125°C

I_C= I_{C, nom}, V_CC= 600V

Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)

turn off delay time (inductive load)

t_d,off

V_GE= ±15V, R_G= 27W, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 27W, T_vj= 125°C

I_C= I_{C, nom}, V_CC= 600V

420

520

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

t_f

V_GE= ±15V, R_G= 27W, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 27W, T_vj= 125°C

I_C= I_{C, nom}, V_CC= 600V, L_s= 70nH

V_GE= ±15V, R_G= 27W, T_vj= 125°C

I_C= I_{C, nom}, V_CC= 600V, L_s= 70nH

V_GE= ±15V, R_G= 27W, T_vj= 125°C

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn on energy loss per pulse

E_on

E_off

3,5

4,8

140

Ausschaltverlustenergie pro Puls

turn off energy loss per pulse

t_P£ 10µsec, V_GE£ 15V, T_Vj£ 125°C

Kurzschlussverhalten

SC data

I_SC

V_CC= 900V, V_CEmax= V_CES- L_{s CE}·di/dt

Modulindiktivität

stray inductance module

L_{s CE}

Leitungswiderstand, Anschluss-Chip

lead resistance, terminal-chip

T_c= 25°C

R_CC´/EE´

2,5

Charakteristische Werte / characteristic values

Diode Wechselrichter / diode inverter

I_F= I_{C, nom}, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

Durchlassspannung

1,65

2,1

V_F

forward voltage

I_F= I_{C, nom}, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

t.b.d.

I_F=I_C,nom, -di_F/dt= 1500A/µs

Rückstromspitze

I_RM

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

I_F=I_C,nom, -di_F/dt= 1500A/µs

peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung

recoverred charge

Q_r

µQ

3,7

6,8

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

I_F=I_C,nom, -diF/dt= 1500A/µs

Ausschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

E_rec

1,4

2,7

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS35R12KE3

vorläufige Daten

preliminary data

Charakteristische Werte / characteristic values

NTC-Widerstand / NTC-thermistor

min.

typ.

max.

Nennwiderstand

rated resistance

T_c= 25°C

R₂₅

Abweichung von R₁₀₀

deviation of R₁₀₀

T_c= 100°C, R₁₀₀= 493W

T_c= 25°C

-5

DR/R

P₂₅

Verlustleistung

power dissipation

B-Wert

B-value

R₂= R₁exp[B(1/T₂- 1/T₁)]

B_25/50

3375

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Transistor Wechelr. / transistor inverter

Innerer Wärmewiderstand; DC

0,60

0,95

K/W

R_thJC

R_thCK

T_vjmax

T_vjop

thermal resistance, juncton to case; DC

Diode Wechselrichter / diode inverter

pro Modul / per module

Übergangs Wärmewiderstand

0,02

K/W

°C

l _Paste= 1W/m*K / l _grease= 1W/m*K

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemp.

maximum junction temperature

150

125

Betriebstemperatur

operation temperature

-40

°C

Lagertemperatur

storage temperature

T_stg

°C

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Innere Isolation

internal insulation

Al₂O₃

225

CTI

comperative tracking index

Schraube M 5

Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung

mounting torque

screw M 5

Gewicht

weight

180

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften

zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with

the belonging technical notes.

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3 (8)

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS35R12KE3

vorläufige Daten

preliminary data

Ausgangskennlinie (typisch)

output characteristic (typical)

I_C= f(V_CE)

V_GE= 15V

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

V_CE[V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch)

output characteristic (typical)

I_C= f(V_CE)

T_vj= 125°C

VGE=19V

VGE=17V

VGE=15V

VGE=13V

VGE=11V

VGE=9V

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

V_CE[V]

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS35R12KE3

vorläufige Daten

preliminary data

Übertragungscharakteristik (typisch)

transfer characteristic (typical)

I_C= f(V_GE)

V_CE= 20V

Tvj=25°C

Tvj=125°C

V_GE[V]

I_F= f(V_F)

Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)

forward caracteristic of inverse diode (typical)

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

0,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

1,6

1,8

2,0

2,2

2,4

V_F[V]

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS35R12KE3

vorläufige Daten

preliminary data

E_on= f(I_C), E_off= f(I_C), E_rec= f(I_C)

Schaltverluste (typisch)

Switching losses (typical)

V_GE= 15V, R_Gon=R_Goff= 27W, V_CE= 600V, T_vj= 125°C

Eon

Eoff

Erec

I_C[A]

E_on= f (R_G) , E_off= f (R_G) , E_rec= f (R_G)

Schaltverluste (typisch)

Switching losses (typical)

V_GE= 15V, I_C= 35A, V_CE= 600V, T_vj= 125°C

Eon

Eoff

Erec

100

R_G[W]

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS35R12KE3

vorläufige Daten

preliminary data

Transienter Wärmewiderstand

Transient thermal impedance

Z_thJC= f (t)

0,1

Zth : IGBT

Zth : Diode

0,01

0,001

0,01

0,1

t [s]

r_i[K/kW] : IGBT

t_i[s] : IGBT

r_i[K/kW] : Diode

t_i[s] : Diode

6,769E-02

2,345E-03

9,674E-02

3,333E-03

1,052E-01

2,820E-01

6,249E-01

3,429E-02

2,709E-01

2,820E-02

1,800E-01

1,294E-01

1,523E-01

1,128E-01

5,701E-02

7,662E-01

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA)

V_GE=15V, T_j=125°C

IC,Chip

200

400

600

800

1000

1200

1400

V_CE[V]

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS35R12KE3

vorläufige Daten

preliminary data

Gehäusemaße / Schaltbild

Package outline / Circuit diagram

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FS35R12KE3 [INFINEON]

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