FS100R17N3E4_B11 [INFINEON]
PressFIT;
| 型号： | FS100R17N3E4_B11 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | PressFIT |
| 文件： | 总9页 (文件大小：536K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R17N3E4_B11
EconoPACK™3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und PressFIT / NTC
EconoPACK™3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and PressFIT / NTC
Vorläufige Daten / Preliminary data
V†Š» = 1700V
I† ÒÓÑ = 100A / I†ç¢ = 200A
Typische Anwendungen
Typical Applications
Motorantriebe
USV-Systeme
Motor Drives
UPS Systems
•
•
•
•
Elektrische Eigenschaften
Electrical Features
Erweiterte Sperrschichttemperatur TÝÎ ÓÔ
Niedriges V†ŠÙÈÚ
Extended Operation Temperature TÝÎ ÓÔ
Low V†ŠÙÈÚ
•
•
•
•
•
•
V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten
V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient
Mechanische Eigenschaften
Mechanical Features
Integrierter NTC Temperatur Sensor
Isolierte Bodenplatte
Integrated NTC temperature sensor
Isolated Base Plate
•
•
•
•
•
•
•
•
PressFIT Verbindungstechnik
Standardgehäuse
PressFIT Contact Technology
Standard Housing
Module Label Code
Barcode Code 128
Content of the Code
Digit
Module Serial Number
1 - 5
Module Material Number
Production Order Number
Datecode (Production Year)
Datecode (Production Week)
6 - 11
12 - 19
20 - 21
22 - 23
DMX - Code
prepared by: AS
approved by: RS
date of publication: 2012-01-13
revision: 2.0
material no: 35734
UL approved (E83335)
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R17N3E4_B11
Vorläufige Daten
Preliminary data
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1700
100
V
A
Kollektor-Dauergleichstrom
T† = 100°C, TÝÎ = 175°C
I† ÒÓÑ
I†ç¢
PÚÓÚ
Continuous DC collector current
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom
t« = 1 ms
200
A
Repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
Total power dissipation
600
W
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitter peak voltage
V•Š»
+/-20
Charakteristische Werte / Characteristic Values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I† = 100 A, V•Š = 15 V
I† = 100 A, V•Š = 15 V
I† = 100 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ
TÝÎ = 150°C
1,95 2,30
2,35
2,45
V
V
V
Gate-Schwellenspannung
Gate threshold voltage
I† = 4,00 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
V•ŠÚÌ
Q•
5,2
5,8
1,20
7,5
6,4
V
µC
Â
Gateladung
Gate charge
Interner Gatewiderstand
Internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
CØþÙ
I†Š»
I•Š»
Eingangskapazität
Input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1700 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
9,00
0,29
nF
nF
mA
Rückwirkungskapazität
Reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitter cut-off current
1,0
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitter leakage current
400 nA
Einschaltverzögerungszeit, induktive Last
Turn-on delay time, inductive load
I† = 100 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 0,91 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓÒ
0,20
0,22
0,23
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Anstiegszeit, induktive Last
Rise time, inductive load
I† = 100 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 0,91 Â
TÝÎ = 25°C
tØ
0,03
0,04
0,05
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverzögerungszeit, induktive Last
Turn-off delay time, inductive load
I† = 100 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 0,91 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓËË
0,51
0,61
0,64
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Fallzeit, induktive Last
Fall time, inductive load
I† = 100 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 0,91 Â
TÝÎ = 25°C
tË
0,29
0,52
0,60
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
Turn-on energy loss per pulse
I† = 100 A, V†Š = 900 V, L» = 50 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, di/dt = 3800 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
12,0
19,0
21,0
mJ
mJ
mJ
EÓÒ
R•ÓÒ = 0,91 Â
TÝÎ = 150°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
Turn-off energy loss per pulse
I† = 100 A, V†Š = 900 V, L» = 50 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
18,0
29,0
33,0
mJ
mJ
mJ
EÓËË
R•ÓËË = 0,91 Â
TÝÎ = 150°C
Kurzschlußverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 1000 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
IȠ
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C
450
A
Wärmewiderstand, Chip bis Gehäuse
Thermal resistance, junction to case
pro IGBT / per IGBT
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,25 K/W
Wärmewiderstand, Gehäuse bis Kühlkörper pro IGBT / per IGBT
Thermal resistance, case to heatsink
0,068
K/W
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R17N3E4_B11
Vorläufige Daten
Preliminary data
Diode-Wechselrichter / Diode-inverter
Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values
Periodische Spitzensperrspannung
Repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
1700
100
V
A
A
Dauergleichstrom
Continuous DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
200
Repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C
1800
1750
A²s
A²s
Charakteristische Werte / Characteristic Values
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forward voltage
IŒ = 100 A, V•Š = 0 V
IŒ = 100 A, V•Š = 0 V
IŒ = 100 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,80 2,20
1,90
1,95
V
V
V
VŒ
Iç¢
QØ
Rückstromspitze
Peak reverse recovery current
IŒ = 100 A, - diŒ/dt = 3800 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
110
120
125
A
A
A
Vç = 900 V
V•Š = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recovered charge
IŒ = 100 A, - diŒ/dt = 3800 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
19,0
36,0
40,0
µC
µC
µC
Vç = 900 V
V•Š = -15 V
Abschaltenergie pro Puls
Reverse recovery energy
IŒ = 100 A, - diŒ/dt = 3800 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
10,0
20,0
23,0
mJ
mJ
mJ
Vç = 900 V
V•Š = -15 V
EØþÊ
Wärmewiderstand, Chip bis Gehäuse
Thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,40 K/W
K/W
Wärmewiderstand, Gehäuse bis Kühlkörper pro Diode / per diode
Thermal resistance, case to heatsink ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
0,27
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / Characteristic Values
Nennwiderstand
Rated resistance
min. typ. max.
5,00
T† = 25°C
Rèë
ÆR/R
Pèë
kÂ
%
Abweichung von R100
Deviation of R100
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
-5
5
Verlustleistung
Power dissipation
T† = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
Bèëõîå
Bèëõæåå
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
Angaben gemäß gültiger Application Note.
Specification according to the valid application note.
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3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R17N3E4_B11
Vorläufige Daten
Preliminary data
Modul / Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolation test voltage
Vš»¥¡
3,4
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
Material of module baseplate
Innere Isolation
Internal isolation
AlèOé
10,0
Kriechstrecke
Creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
mm
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
7,5
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
Comperative tracking index
CTI
> 200
min. typ. max.
0,009
Wärmewiderstand, Gehäuse bis Kühlkörper pro Modul / per module
Thermal resistance, case to heatsink
RÚ̆™
LÙ†Š
R††óôŠŠó
TÝÎ ÑÈà
TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
K/W
nH
mÂ
°C
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Stray inductance module
28
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
Module lead resistance, terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
1,80
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
Maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper
175
Temperatur im Schaltbetrieb
Temperature under switching conditions
-40
-40
150
125
°C
Lagertemperatur
Storage temperature
°C
Anzugsdrehmoment f. Modulmontage
Mounting torque for modul mounting
Schraube M5 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M5 - mounting according to valid application note
M
3,00
-
6,00 Nm
g
Gewicht
Weight
G
300
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4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R17N3E4_B11
Vorläufige Daten
Preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 150°C
V•Š = 15 V
200
200
180
160
140
120
100
80
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
V•Š = 20V
V•Š = 15V
V•Š = 12V
V•Š = 10V
V•Š = 9V
V•Š = 8V
180
160
140
120
100
80
60
60
40
40
20
20
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V†Š [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 0.91 Â, R•ÓËË = 0.91 Â, V†Š = 900
V
200
60
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
180
50
40
30
20
10
0
EÓËË, TÝÎ = 150°C
160
140
120
100
80
60
40
20
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]
10
11
12
13
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
I† [A]
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R17N3E4_B11
Vorläufige Daten
Preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 100 A, V†Š = 900 V
50
1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
ZÚÌœ† : IGBT
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0,1
0,01
i:
rÍ[K/W]: 0,015 0,0825 0,08 0,0725
τÍ[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1
1
2
3
4
0
0,001
0,001
0
1
2
3
4 5
R• [Â]
6
7
8
9
0,01
0,1
1
t [s]
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0.91 Â, TÝÎ = 150°C
250
200
I†, Modul
I†, Chip
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
180
200
150
100
50
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
V†Š [V]
0,0
0,5
1,0
1,5
VΠ[V]
2,0
2,5
3,0
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6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R17N3E4_B11
Vorläufige Daten
Preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 0.91 Â, V†Š = 900 V
IŒ = 100 A, V†Š = 900 V
40
40
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
35
35
30
25
20
15
10
5
30
25
20
15
10
5
0
0
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
IΠ[A]
0
1
2
3
4 5
R• [Â]
6
7
8
9
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
1
100000
ZÚÌœ† : Diode
RÚáÔ
10000
1000
100
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,024 0,132 0,128 0,116
4
τÍ[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
1
0
20
40
60
80
T† [°C]
100 120 140 160
t [s]
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7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R17N3E4_B11
Vorläufige Daten
Preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
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8
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R17N3E4_B11
Vorläufige Daten
Preliminary data
Nutzungsbedingungen
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9
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FS100R17PE4
EconoPACK™4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / NTC
INFINEON
FS100SM-03
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN
MITSUBISHI
FS100SMH-03
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN
POWEREX
FS100SMH-03
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN
MITSUBISHI
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