FP75R12N2T4_技术文档

FP75R12N2T4

EconoPIM™2ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀDiodeꢀundꢀNTC

EconoPIM™2ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiodeꢀandꢀNTC

-

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 75A / I_CRM= 150A

PotentielleꢀAnwendungen

• Hilfsumrichter

PotentialꢀApplications

• Auxiliaryꢀinverters

• Motorꢀdrives

• Motorantriebe

• Servoumrichter

• Servoꢀdrives

ElektrischeꢀEigenschaften

• NiedrigeꢀSchaltverluste

• NiedrigesꢀV_CEsat

ElectricalꢀFeatures

• Lowꢀswitchingꢀlosses

• LowꢀV_CEsat

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

• V_CEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient

MechanischeꢀEigenschaften

• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor

• Kupferbodenplatte

MechanicalꢀFeatures

• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor

• Copperꢀbaseꢀplate

• Lötverbindungstechnik

• Standardgehäuse

• Solderꢀcontactꢀtechnology

• Standardꢀhousing

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

Datasheet

PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument

Vꢀ3.0

www.infineon.com

2017-12-19

FP75R12N2T4

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

I_{C nom}

I_CRM

ꢀ

1200

75

ꢀ

V

A

V

Kollektor-Dauergleichstrom

T_C= 95°C, T_{vj max}= 175°C

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

t_P= 1 ms

150

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

V_GES

+/-20

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 75 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,85 2,15

2,15

2,25

V

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 2,40 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

5,25 5,80 6,35

V

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

0,57

10

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

4,30

0,16

nF

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

1,0 mA

100 nA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,11

0,12

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,04

0,05

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,26

0,35

0,38

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,11

0,19

0,22

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 75 A, V_CE= 600 V, L_S= 40 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 1100 A/µs (T_vj= 150°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 1,1 Ω

T_vj= 25°C

7,85

11,5

13,0

mJ

E_on

E_off

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 75 A, V_CE= 600 V, L_S= 40 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 1,1 Ω

T_vj= 25°C

4,30

7,10

8,00

mJ

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 800 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

t_P≤ 10 µs, T_vj= 150°C

270

A

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

0,380 K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,140

K/W

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

Datasheet

2

Vꢀ3.0

2017-12-19

FP75R12N2T4

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

ꢀ

1200

75

ꢀ

V

A

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

150

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 150°C

960

920

A²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 75 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,70 2,15

1,65

V

V_F

I_RM

Q_r

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 75 A, - di_F/dt = 1100 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

30,0

37,5

39,5

A

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 75 A, - di_F/dt = 1100 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

6,65

11,5

13,5

µC

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 75 A, - di_F/dt = 1100 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

2,40

4,10

4,75

mJ

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

0,555 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,150

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

Diode,ꢀGleichrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀRectifier

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_FRMSM

I_RMSM

I_FSM

ꢀ

1600

75

ꢀ

V

A

DurchlassstromꢀGrenzeffektivwertꢀproꢀChip

T_C= 100°C

MaximumꢀRMSꢀforwardꢀcurrentꢀperꢀchip

GleichrichterꢀAusgangꢀGrenzeffektivstrom

T_C= 100°C

100

MaximumꢀRMSꢀcurrentꢀatꢀrectifierꢀoutput

StoßstromꢀGrenzwert

Surgeꢀforwardꢀcurrent

t_p= 10 ms, T_vj= 25°C

t_p= 10 ms, T_vj= 150°C

600

470

A

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

t_p= 10 ms, T_vj= 25°C

t_p= 10 ms, T_vj= 150°C

1800

1100

A²s

I²t

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

Durchlassspannung

T_vj= 150°C, I_F= 75 A

Forwardꢀvoltage

min. typ. max.

1,15

V_F

I_R

V

Sperrstrom

T_vj= 150°C, V_R= 1600 V

Reverseꢀcurrent

1,00

mA

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

0,619 K/W

K/W

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

0,161

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

λ

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

Datasheet

3

Vꢀ3.0

2017-12-19

FP75R12N2T4

IGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

I_{C nom}

I_CRM

ꢀ

1200

50

ꢀ

V

A

V

Kollektor-Dauergleichstrom

T_C= 95°C, T_{vj max}= 175°C

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

t_P= 1 ms

100

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

V_GES

+/-20

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 50 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,85 2,15

2,15

2,25

V

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 1,60 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

5,25 5,80 6,35

V

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

0,38

4,0

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

2,80

0,10

nF

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

1,0 mA

100 nA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 50 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 15 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,07

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 50 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 15 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,03

0,04

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 50 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 15 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,31

0,39

0,41

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 50 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 15 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,11

0,20

0,23

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 50 A, V_CE= 600 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 1400 A/µs (T_vj= 150°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 15 Ω

T_vj= 25°C

3,60

4,80

5,10

mJ

E_on

E_off

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 50 A, V_CE= 600 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 15 Ω

T_vj= 25°C

3,00

4,70

5,40

mJ

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 800 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

t_P≤ 10 µs, T_vj= 150°C

180

A

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

0,498 K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,146

K/W

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

Datasheet

4

Vꢀ3.0

2017-12-19

FP75R12N2T4

Diode,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀDiode,ꢀBrake-Chopper

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

ꢀ

1200

25

ꢀ

V

A

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

50

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 150°C

90,0

80,0

A²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 25 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,75 2,25

1,75

V

V_F

I_RM

Q_r

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 25 A, - di_F/dt = 1100 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

29,5

33,0

34,5

A

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 25 A, - di_F/dt = 1100 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

2,05

3,35

4,05

µC

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 25 A, - di_F/dt = 1100 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

0,75

1,25

1,55

mJ

V_R= 600 V

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

1,16 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,177

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

5,00

Nennwiderstand

Ratedꢀresistance

T_NTC= 25°C

R₂₅

∆R/R

P₂₅

kΩ

AbweichungꢀvonꢀR100

DeviationꢀofꢀR100

T_NTC= 100°C, R₁₀₀= 493 Ω

-5

5

%

Verlustleistung

Powerꢀdissipation

T_NTC= 25°C

20,0 mW

B-Wert

B-value

R₂= R₂₅exp [B_25/50(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/80(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/100(1/T₂- 1/(298,15 K))]

B_25/50

B_25/80

B_25/100

3375

3411

3433

K

B-Wert

B-value

B-Wert

B-value

AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.

Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.

Datasheet

5

Vꢀ3.0

2017-12-19

FP75R12N2T4

Modulꢀ/ꢀModule

Isolations-Prüfspannung

Isolationꢀtestꢀvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

V_ISOL

ꢀ

2,5

Cu

ꢀ kV

MaterialꢀModulgrundplatte

Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate

ꢀ

InnereꢀIsolation

Internalꢀisolation

Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

Al₂O₃

10,0

ꢀ

Kriechstrecke

Creepageꢀdistance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

ꢀ mm

ꢀ

Luftstrecke

Clearance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

7,5

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

Comperativeꢀtrackingꢀindex

CTI

L_sCE

> 200

min. typ. max.

Modulstreuinduktivität

Strayꢀinductanceꢀmodule

35

nH

mΩ

°C

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-

Chip

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

R_CC'+EE'

R_AA'+CC'

4,00

3,00

T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch

Lagertemperatur

Storageꢀtemperature

T_stg

M

-40

125

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage

Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting

SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

3,00

6,00 Nm

g

Gewicht

Weight

G

180

Dieses Produkt ist für die Antriebsapplikationen und unterbrechungsfreie Stromversorgungen entwickelt worden. Eine Verwendung in

weiteren Anwendungen ist vom Benutzer eigenverantwortlich zu prüfen.

This product has been developed for drives and uninterruptible power supplies (UPS) applications. The utilization in further applications

needs to be proven by the user on one’s own responsibility.

Datasheet

6

Vꢀ3.0

2017-12-19

FP75R12N2T4

AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

T_vjꢀ=ꢀ150°C

150

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

V_GE= 19V

V_GE= 17V

V_GE= 15V

V_GE= 13V

V_GE= 11V

135

120

105

90

135

120

105

90

75

60

45

30

15

0

V_GE

= 9V

75

60

45

30

15

0

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

V_CE[V]

2,5

3,0

3,5

4,0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V_CE[V]

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE

)

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ1.1ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ1.1ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

150

50

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_on, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 150°C

135

120

105

90

45

40

35

30

25

20

15

10

5

75

60

45

30

15

0

5

0

6

7

8

9

10

11

12

13

0

25

50

75

I_C[A]

100

125

150

V_GE[V]

Datasheet

7

Vꢀ3.0

2017-12-19

FP75R12N2T4

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ75ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

20

1

E_on, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 150°C

Z_thJC: IGBT

18

16

14

12

10

8

0,1

6

4

i:

r_i[K/W]: 0,0254 0,0888 0,233 0,0328

τ_i[s]: 0,0007 0,0167 0,06 1,172

1

2

3

4

2

0

0,01

0,001

0

2

4

6

8

10

12

0,01

0,1

t [s]

1

10

R_G[Ω]

SchaltzeitenꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀtimesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

t_donꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀt_doffꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀt_rꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀt_fꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ1.1ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ1.1ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150°C

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ1.1ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150°C

1

180

t_don

t_doff

t_r

I_C, Modul

I_C, Chip

165

t_f

150

135

120

105

90

0,1

75

60

45

30

15

0,01

0

25

50

75

I_C[A]

100

125

150

0

200

400

600

800

1000 1200 1400

V_CE[V]

Datasheet

8

Vꢀ3.0

2017-12-19

FP75R12N2T4

SchaltzeitenꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀtimesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

t_donꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀt_doffꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀt_rꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀt_fꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ75ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150°C

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

1

150

t_don

t_doff

t_r

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

135

120

105

90

75

60

45

30

15

0

t_f

0,1

0,01

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10 11

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4

R_G[Ω]

V_F[V]

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

R_Gonꢀ=ꢀ1.1ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

I_Fꢀ=ꢀ75ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

8,0

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

7,0

6,0

5,0

4,0

3,0

2,0

1,0

0,0

7,0

6,0

5,0

4,0

3,0

2,0

1,0

0,0

0

25

50

75

I_F[A]

100

125

150

0

2

4

6

8

10

12

R_G[Ω]

Datasheet

9

Vꢀ3.0

2017-12-19

FP75R12N2T4

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀGleichrichterꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀRectifierꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

1

150

Z_thJC: Diode

T_vj= 25°C

T_vj= 150°C

135

120

105

90

0,1

75

60

45

30

i:

r_i[K/W]: 0,0412 0,255 0,226 0,0328

τ_i[s]: 0,00101 0,0207 0,0719 1,01

1

2

3

4

15

0,01

0,001

0

0,01

0,1

t [s]

1

10

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0

V_F[V]

AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

100

1

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

Z_thJC: IGBT

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0,1

i:

r_i[K/W]: 0,0406 0,18

τ_i[s]: 0,00106 0,0204 0,061 0,786

1

2

3

4

0,2502 0,0272

0

0,01

0,001

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

V_CE[V]

2,5

3,0

3,5

4,0

0,01

0,1

t [s]

1

10

Datasheet

10

Vꢀ3.0

2017-12-19

FP75R12N2T4

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

50

10

T_vj= 25°C

Z_thJC: Diode

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

45

40

35

30

25

20

15

10

5

1

0,1

i:

r_i[K/W]: 0,13

τ_i[s]:

1

2

0,45

3

4

0,532 0,048

0,000959 0,0118 0,0431 0,609

0

0,01

0,001

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

0,01

0,1

t [s]

1

10

V_F[V]

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)

NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)

Rꢀ=ꢀfꢀ(T)

100000

R_typ

10000

1000

100

0

20

40

60

80

T_NTC[°C]

100 120 140 160

Datasheet

11

Vꢀ3.0

2017-12-19

FP75R12N2T4

Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram

J

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines

Infineon

Datasheet

12

Vꢀ3.0

2017-12-19

Trademarks

Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.

ꢀ

Editionꢀ2017-12-19

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81726ꢀMünchen,ꢀGermany

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applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies

inꢀcustomer’sꢀapplications.

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical

departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin

thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.

Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon

Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).

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nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.

ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon

Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof

theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.


型号：	FP75R12N2T4
厂家：	Infineon
描述：	Solder pin
文件：	总13页 (文件大小：792K)
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FP75R12N2T4 [INFINEON]

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