FP50R06KE3 [INFINEON]
Solder pin;
| 型号： | FP50R06KE3 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Solder pin 局域网 晶体管 |
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP50R06KE3
EconoPIM™2ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstopꢀIGBT³ꢀundꢀEmCon3ꢀDiodeꢀ
EconoPIM™2ꢀmoduleꢀwithꢀtheꢀtrench/fieldstopꢀIGBT³ꢀandꢀEmCon3ꢀdiodeꢀ
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
600
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
TC = 80°C, Tvj = 175°C
TC = 25°C, Tvj = 175°C
IC nom
IC
50
60
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
tP = 1 ms
ICRM
Ptot
100
190
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalꢀpowerꢀdissipation
TC = 25°C, Tvj = 175°C
ꢀ W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
ꢀ
VGES
+/-20
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 50 A, VGE = 15 V
IC = 50 A, VGE = 15 V
IC = 50 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,45 1,90
1,60
1,70
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 300V
Tvj = 25°C
VGEth
QG
4,9
5,8
0,50
0,0
3,10
0,095
ꢀ
6,5
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
ꢀ
100 nA
µs
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 43 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,10
0,10
0,10
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 43 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,06
0,065
0,07
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 43 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,60
0,65
0,70
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 50 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 43 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,04
0,05
0,06
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = 25 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 900 A/µs (Tvj=150°C)
RGon = 43 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2,30
2,75
2,90
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 50 A, VCE = 300 V, LS = 25 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 2500 V/µs (Tvj=150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 43 Ω
Tvj = 25°C
1,75
2,10
2,15
mJ
mJ
mJ
ꢀ
ꢀ
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
350
250
A
A
ISC
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJC
RthCH
ꢀ
0,80 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,335
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-04
revision:ꢀ2.0
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP50R06KE3
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
600
50
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
ꢀ
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
100
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
330
300
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,55 1,95
1,50
1,45
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 50 A, - diF/dt = 900 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
27,0
A
A
A
ꢀ
ꢀ
ꢀ
34,0
36,0
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 50 A, - diF/dt = 900 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,25
2,85
3,55
µC
µC
µC
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 50 A, - diF/dt = 900 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,20
0,50
0,60
mJ
mJ
mJ
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1,20 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
0,50
λ
Diode,ꢀGleichrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀRectifier
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IFRMSM
IRMSM
IFSM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1600
70
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
DurchlassstromꢀGrenzeffektivwertꢀproꢀChip
TC = 80°C
MaximumꢀRMSꢀforwardꢀcurrentꢀperꢀchip
GleichrichterꢀAusgangꢀGrenzeffektivstrom
TC = 80°C
50
MaximumꢀRMSꢀcurrentꢀatꢀrectifierꢀoutput
StoßstromꢀGrenzwert
Surgeꢀforwardꢀcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
450
370
A
A
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
1000
685
A²s
A²s
I²t
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 50 A
Forwardꢀvoltage
VF
IR
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1,05
1,00
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
Reverseꢀcurrent
mA
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
0,85 K/W
K/W
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
0,355
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-04
revision:ꢀ2.0
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP50R06KE3
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
IGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
600
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
TC = 65°C, Tvj = 175°C
TC = 25°C, Tvj = 175°C
IC nom
IC
30
37
A
A
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
tP = 1 ms
ICRM
Ptot
60
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalꢀpowerꢀdissipation
TC = 25°C, Tvj = 175°C
125
ꢀ W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
ꢀ
VGES
+/-20
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,55 2,00
1,70
1,80
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 0,43 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 V ... +15 V
VGEth
QG
4,9
5,8
0,30
0,0
1,65
0,051
ꢀ
6,5
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Tvj = 25°C
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
1,0 mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
ꢀ
100 nA
µs
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 56 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,10
0,10
0,10
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 56 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,06
0,065
0,07
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 56 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,60
0,65
0,70
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 56 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,04
0,045
0,05
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH
VGE = ±15 V
RGon = 56 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,40
1,70
1,80
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH
VGE = ±15 V
RGoff = 56 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,00
1,15
1,20
mJ
mJ
mJ
ꢀ
ꢀ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
210
150
A
A
ISC
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJC
RthCH
ꢀ
1,20 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
0,50
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-04
revision:ꢀ2.0
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP50R06KE3
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀDiode,ꢀBrake-Chopper
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
600
20
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
ꢀ
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
40
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
45,0
45,0
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 20 A, VGE = 0 V
IF = 20 A, VGE = 0 V
IF = 20 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,60 2,00
1,55
1,50
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 20 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
36,0
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ꢀ
ꢀ
ꢀ
38,0
42,0
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 20 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
1,00
1,70
2,20
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 20 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
0,25
0,40
0,55
mJ
mJ
mJ
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,30 K/W
K/W
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
0,96
λ
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TC = 25°C
R25
∆R/R
P25
ꢀ
-5
ꢀ
5,00
ꢀ
ꢀ
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
TC = 25°C
ꢀ
20,0 mW
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
ꢀ
3375
t.b.d.
t.b.d.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
K
K
K
B-Wert
B-value
ꢀ
B-Wert
B-value
ꢀ
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-04
revision:ꢀ2.0
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP50R06KE3
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5
Cu
ꢀ kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
ꢀ
Al2O3
10,0
Kriechstreck
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
ꢀ
ꢀ
ꢀ mm
ꢀ mm
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
7,5
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
ꢀ
CTI
> 225
ꢀ
ꢀ
min. typ. max.
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule
RthCH
LsCE
ꢀ
ꢀ
0,02
60
K/W
nH
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
RCC'+EE'
RAA'+CC'
4,00
3,00
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
ꢀ
ꢀ
mΩ
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
HöchstzulässigeꢀSperrschichttemperatur
Maximumꢀjunctionꢀtemperature
Wechselrichter,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀinverter,ꢀbrake-chopper
Gleichrichterꢀ/ꢀrectifier
175 °C
150 °C
Tvj max
Tvj op
Tstg
M
ꢀ
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
Wechselrichter,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀinverter,ꢀbrake-chopper
Gleichrichterꢀ/ꢀrectifier
-40
-40
150 °C
150 °C
ꢀ
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
ꢀ
-40
3,00
ꢀ
ꢀ
-
125 °C
6,00 Nm
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
Gewicht
Weight
ꢀ
G
180
ꢀ
g
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-04
revision:ꢀ2.0
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP50R06KE3
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ150°C
100
100
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
90
80
70
60
50
40
30
20
10
90
80
70
60
50
40
30
20
10
VGE
= 9V
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
3,0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀꢀIGBT,Inverter(typical)
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ43ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ43ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
100
8
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
90
80
70
60
50
40
30
20
10
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
6
7
8
9
10
11
12
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
VGE [V]
IC [A]
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-04
revision:ꢀ2.0
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP50R06KE3
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichter
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀIGBT,Inverter
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ50ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
10
1
Eon, Tvj = 125°C
ZthJC : IGBT
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
9
Eoff, Tvj = 150°C
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0,1
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,048 0,264 0,256 0,232
τi[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0,01
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
RG [Ω]
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ43ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
110
100
IC, Modul
Tvj = 25°C
IC, Chip
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
100
200
300
400
500
600
700
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
VCE [V]
VF [V]
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-04
revision:ꢀ2.0
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP50R06KE3
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ43ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
IFꢀ=ꢀ50ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
1,0
1,2
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 150°C
0,9
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IF [A]
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
RG [Ω]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichter
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀꢀDiode,ꢀInverter
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀGleichrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀꢀDiode,ꢀRectifierꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
10
100
ZthJC : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
90
80
70
60
50
40
30
20
10
1
0,1
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,072 0,396 0,384 0,348
τi[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0,01
0,001
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
VF [V]
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-04
revision:ꢀ2.0
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP50R06KE3
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
40
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
3,0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VF [V]
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
100000
Rtyp
10000
1000
100
0
20
40
60
80
TC [°C]
100 120 140 160
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-04
revision:ꢀ2.0
9
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP50R06KE3
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines
preparedꢀby:ꢀAS
approvedꢀby:ꢀRS
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-04
revision:ꢀ2.0
10
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP50R06KE3
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Nutzungsbedingungen
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin
Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund
ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch
application.
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof
ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon
ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.
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preparedꢀby:ꢀAS
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dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-04
revision:ꢀ2.0
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