FP15R12KS4C [INFINEON]
EconoPIM™ 2 1200 V三相PIM IGBT模块，采用支持高频开关的第二代快速 IGBT 和 NTC温度检测;
| 型号： | FP15R12KS4C |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | EconoPIM™ 2 1200 V三相PIM IGBT模块，采用支持高频开关的第二代快速 IGBT 和 NTC温度检测 开关 双极性晶体管 |
| 文件： | 总12页 (文件大小：172K) |
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP15R12KS4C
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
VRRM
1600
40
V
A
A
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert
RMS forward current per chip
IFRMSM
Dauergleichstrom
TC = 80°C
Id
15
DC forward current
tP = 10 ms, Tvj = 25°C
tP = 10 ms, Tvj = 150°C
tP = 10 ms, Tvj = 25°C
tP = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2t - value
300
230
450
260
A
A
A2s
A2s
I2t
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
VCES
1200
V
IC,nom.
IC
Tc = 80 °C
15
30
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
TC = 25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP = 1 ms,
TC =
ICRM
80 °C
30
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Ptot
180
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
VGES
+/- 20V
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
IF
Tc = 80 °C
tP = 1 ms
15
30
A
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
IFRM
Grenzlastintegral
I2t - value
I2t
A2s
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C
125
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
VCES
1200
V
TC = 80 °C
IC,nom.
IC
10
20
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
TC = 25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP = 1 ms, TC = 80°C
ICRM
Ptot
20
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
100
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
VGES
+/- 20V
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
IF
Tc = 80 °C
10
20
A
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
IFRM
prepared by: A.Schulz
date of publication: 2001-11-28
revision: 2
approved by: M.Hierholzer
1/11
DB-PIM-S_IGBT_V2.xls
2001-11-28
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP15R12KS4C
Modul Isolation/ Module Isolation
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
NTC connected to Baseplate
VISOL
2,5
kV
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
min. typ. max.
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Durchlaßspannung
forward voltage
Tvj = 150°C,
Tvj = 150°C
Tvj = 150°C
Tvj = 150°C,
TC = 25°C
IF =
VF
V(TO)
rT
15 A
-
-
-
-
-
0,95
-
0,8
10,5
-
V
Schleusenspannung
threshold voltage
-
-
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
mW
mA
mW
Sperrstrom
reverse current
VR
=
IR
1600 V
2
8
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
lead resistance, terminals-chip
RAA'+CC'
-
min. typ. max.
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
VGE = 15V, Tvj = 25°C, IC
VGE = 15V, Tvj = 125°C, IC
=
=
VCE sat
15 A
15 A
-
-
3,2
3,7
-
V
V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
3,85
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
VCE = VGE
,
Tvj = 25°C, IC
=
VGE(TO)
0,6 mA
4,5
5,5
1,0
-
6,5
-
V
f = 1MHz, Tvj = 25°C
VCE = 25 V, VGE = 0 V
Eingangskapazität
input capacitance
Cies
-
-
-
nF
mA
nA
Kollektor-Emitter Reststrom
VGE = 0V, Tvj = 25°C, VCE
=
ICES
1200 V
5
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
VCE = 0V, VGE =20V, Tvj =25°C
IC = INenn VCC
IGES
-
400
,
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
600 V
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG
td,on
47 Ohm
47 Ohm
600 V
-
-
60
60
-
-
ns
ns
IC = INenn
,
VCC
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG
tr
47 Ohm
47 Ohm
600 V
-
-
50
50
-
-
ns
ns
IC = INenn
,
VCC
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG
td,off
47 Ohm
47 Ohm
600 V
-
-
340
400
-
-
ns
ns
IC = INenn
,
VCC
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG
tf
47 Ohm
47 Ohm
600 V
-
-
50
60
-
-
ns
ns
IC = INenn
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG
LS =
,
VCC
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
Eon
Eoff
ISC
47 Ohm
75 nH
-
-
-
2
1
-
-
-
mWs
mWs
A
IC = INenn
,
VCC
=
=
600 V
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG
47 Ohm
75 nH
LS =
t
P £ 10µs,
V
GE £ 15V, RG
=
=
47 Ohm
720 V
Kurzschlußverhalten
SC Data
Tvj£125°C,
VCC
90
dI/dt =
1200 A/µs
2/11
DB-PIM-S_IGBT_V2.xls
2001-11-28
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP15R12KS4C
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
min. typ. max.
Modulinduktivität
stray inductance module
Ls CE
-
-
-
100
-
nH
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
TC = 25°C
RCC'+EE'
11
mW
lead resistance, terminals-chip
min. typ. max.
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
VGE = 0V, Tvj = 25°C,
VGE = 0V, Tvj = 125°C,
IF =
IF =
VF
IRM
Qr
15 A
-
-
1,75
1,6
2,1
-
V
V
Durchlaßspannung
forward voltage
15 A
IF=INenn
,
- diF/dt =
1000A/µs
600 V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR
=
=
-
-
22
25
-
-
A
A
600 V
IF=INenn
,
- diF/dt =
1000A/µs
600 V
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR
=
=
-
-
1,6
3,2
-
-
µAs
µAs
600 V
IF=INenn
,
- diF/dt =
1000A/µs
600 V
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR
=
=
ERQ
-
-
0,5
1,2
-
-
mWs
mWs
600 V
min. typ. max.
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
VGE = 15V, Tvj = 25°C, IC
VGE = 15V, Tvj = 125°C, IC
=
=
VCE sat
10,0 A
10,0 A
-
-
2,4
2,85
-
V
V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
2,75
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
VCE = VGE
,
Tvj = 25°C, IC
=
VGE(TO)
0,35mA
4,5
-
5,5
0,6
6,5
-
V
f = 1MHz, Tvj = 25°C
VCE = 25 V, VGE = 0 V
Eingangskapazität
input capacitance
Cies
ICES
nF
VGE = 0V, Tvj = 25°C, VCE
VGE = 0V, Tvj = 125°C, VCE
=
=
1200 V
1200 V
-
-
0,5
0,8
500
-
µA
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
IGES
-
-
300
nA
Schaltverluste und -bedingungen
Switching losses and conditions
siehe Datenblatt (Wechselrichter)
see datasheet (inverter)
BSM10GP120
min. typ. max.
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Tvj = 25°C,
Tvj = 125°C,
IF =
IF =
VF
10,0 A
10,0 A
-
-
2,2
2,1
2,55
-
V
V
Durchlaßspannung
forward voltage
Schaltverluste und -bedingungen
Switching losses and conditions
siehe Datenblatt (Wechselrichter)
see datasheet (inverter)
BSM10GP120
min. typ. max.
NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor
Nennwiderstand
rated resistance
TC = 25°C
R25
-
5
-
kW
%
Abweichung von R100
deviation of R100
TC = 100°C, R100 = 493 W
TC = 25°C
-5
5
DR/R
P25
Verlustleistung
power dissipation
20
mW
K
B-Wert
B-value
R2 = R1 exp [B(1/T2 - 1/T1)]
B25/50
3375
3/11
DB-PIM-S_IGBT_V2.xls
2001-11-28
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP15R12KS4C
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min. typ. max.
RthJC
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
Diode Wechsr./ Diode Inverter
Trans. Bremse/ Trans. Brake
Diode Bremse/ Diode Brake
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
Diode Wechsr./ Diode Inverter
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
0,7
1,2
1,2
2,3
-
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
-
-
-
-
l
l
Paste=1W/m*K
grease=1W/m*K
RthCK
Übergangs-Wärmewiderstand
0,08
0,04
0,08
-
thermal resistance, case to heatsink
-
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tvj op
Tstg
-
-
-
-
150
125
125
°C
°C
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
-40
-40
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
225
CTI
comperative tracking index
M
G
3
Nm
g
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
±10%
Gewicht
weight
180
4/11
DB-PIM-S_IGBT_V2.xls
2001-11-28
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP15R12KS4C
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
Output characteristic Inverter (typical)
IC = f (VCE)
VGE = 15 V
30
25
20
15
10
5
Tj = 25°C
Tj = 125°C
0
0
1
2
3
4
5
6
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
Output characteristic Inverter (typical)
IC = f (VCE)
Tvj = 125°C
30
25
20
15
10
5
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8V
0
0
1
2
3
4
5
6
VCE [V]
5/11
DB-PIM-S_IGBT_V2.xls
2001-11-28
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP15R12KS4C
Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch)
Transfer characteristic Inverter (typical)
IC = f (VGE)
VCE = 20 V
30
25
20
15
10
5
Tj = 25°C
Tj = 125°C
0
0
2
4
6
8
10
12
14
VGE [V]
Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch)
Forward characteristic of FWD Inverter (typical)
IF = f (VF)
30
25
20
15
10
5
Tj = 25°C
Tj = 125°C
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
VF [V]
6/11
DB-PIM-S_IGBT_V2.xls
2001-11-28
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP15R12KS4C
Schaltverluste Wechselr. (typisch) Eon = f (IC), Eoff = f (IC), Erec = f (IC) VCC
=
600 V
47 Ohm
Switching losses Inverter (typical)
Tj = 125°C,
VGE = ±15 V,
RGon = RGoff =
6
5
4
3
2
1
0
Eon
Eoff
Erec
0
5
10
15
20
25
30
35
IC [A]
Schaltverluste Wechselr. (typisch)
Switching losses Inverter (typical)
Eon = f (RG), Eoff = f (RG), Erec = f (RG)
600 V
Tj = 125°C, VGE = +-15 V , Ic = Inenn
,
VCC =
3
2,5
2
Eon
Eoff
Erec
1,5
1
0,5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
RG [W]
7/11
DB-PIM-S_IGBT_V2.xls
2001-11-28
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP15R12KS4C
Transienter Wärmewiderstand Wechselr.
Transient thermal impedance Inverter
ZthJC = f (t)
10
Zth-IGBT
Zth-FWD
1
0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
1
10
t [s]
Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA)
IC = f (VCE)
47 Ohm
Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA) Tvj = 125°C, VGE = ±15V, RG
=
35
30
25
20
15
10
5
IC,Modul
IC,Chip
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
VCE [V]
8/11
DB-PIM-S_IGBT_V2.xls
2001-11-28
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP15R12KS4C
Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch)
Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical)
IC = f (VCE)
VGE = 15 V
20
18
Tj = 25°C
Tj = 125°C
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
VCE [V]
Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) IF = f (VF)
Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical)
20
18
16
14
12
10
8
Tj = 25°C
Tj = 125°C
6
4
2
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
VF [V]
9/11
DB-PIM-S_IGBT_V2.xls
2001-11-28
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP15R12KS4C
Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch)
Forward characteristic of Rectifier Diode (typical)
IF = f (VF)
30
25
20
15
10
5
Tj = 25°C
Tj = 150°C
0
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
VF [V]
NTC- Temperaturkennlinie (typisch)
R = f (T)
NTC- temperature characteristic (typical)
100000
10000
1000
Rtyp
100
0
20
40
60
80
100
120
140
160
TC [°C]
10/11
DB-PIM-S_IGBT_V2.xls
2001-11-28
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP15R12KS4C
Schaltplan/ Circuit diagram
8
9
21 22
20
7
18
4
16
5
NTC
19
17
15
6
1
2
3
14
23 24
13
12
11
10
Gehäuseabmessungen/ Package outlines
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
11/11
DB-PIM-S_IGBT_V2.xls
2001-11-28
Nutzungsbedingungen
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相关型号：
FP15R12KS4CBOSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24
INFINEON
FP15R12KT3BOSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24
INFINEON
FP15R12W1T4
EasyPIM™ module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
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FP15R12W1T4B11BOMA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23
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FP15R12W1T4PBPSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23
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FP15R12W1T4_B3
EasyPIM™ module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
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