FF600R07ME4 [INFINEON]

Solder Pin;
FF600R07ME4
型号: FF600R07ME4
厂家: Infineon    Infineon
描述:

Solder Pin

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FF600R07ME4  
EconoDUAL™3ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀundꢀNTC  
EconoDUAL™3ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀdiodeꢀandꢀNTC  
VCES = 650V  
IC nom = 600A / ICRM = 1200A  
PotentielleꢀAnwendungen  
• Hybrid-Nutzfahrzeuge  
• Motorantriebe  
PotentialꢀApplications  
• CommercialꢀAgricultureꢀVehicles  
• Motorꢀdrives  
• SolarꢀAnwendungen  
• USV-Systeme  
• Solarꢀapplications  
• UPSꢀsystems  
ElektrischeꢀEigenschaften  
• ErhöhteꢀSperrspannungsfestigkeitꢀaufꢀ650V  
• ErhöhteꢀZwischenkreisspannung  
• HoheꢀKurzschlussrobustheit  
• HoheꢀStoßstromfestigkeit  
• HoheꢀStromdichte  
ElectricalꢀFeatures  
• Increasedꢀblockingꢀvoltageꢀcapabilityꢀupꢀtoꢀ650V  
• IncreasedꢀDC-linkꢀvoltage  
• Highꢀshort-circuitꢀcapability  
• Highꢀsurgeꢀcurrentꢀcapability  
• Highꢀcurrentꢀdensity  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• TrenchꢀIGBTꢀ4  
• TrenchꢀIGBTꢀ4  
MechanischeꢀEigenschaften  
• HoheꢀLeistungsdichte  
• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor  
• IsolierteꢀBodenplatte  
MechanicalꢀFeatures  
• Highꢀpowerꢀdensity  
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor  
• Isolatedꢀbaseꢀplate  
• Kupferbodenplatte  
• Copperꢀbaseꢀplate  
• Standardgehäuse  
• Standardꢀhousing  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
Digit  
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
DMXꢀ-ꢀCode  
Datasheet  
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument  
Vꢀ3.0  
www.infineon.com  
2019-08-27  
FF600R07ME4  
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Collector-emitterꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VCES  
ICDC  
ICRM  
VGES  
650  
600  
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
TC = 60°C, Tvj max = 175°C  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom  
tP = 1 ms  
1200  
+/-20  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 600 A  
VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,55 1,95  
1,70  
1,75  
V
V
V
VCE sat  
Gate-Schwellenspannung  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 9,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 / 15 V  
VGEth  
QG  
4,90 5,80 6,50  
V
µC  
Gateladung  
Gateꢀcharge  
6,50  
0,67  
37,0  
1,10  
InternerꢀGatewiderstand  
Internalꢀgateꢀresistor  
Tvj = 25°C  
RGint  
Cies  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
Eingangskapazität  
Inputꢀcapacitance  
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
Kollektor-Emitter-Reststrom  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
1,0 mA  
100 nA  
Gate-Emitter-Reststrom  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 600 A, VCE = 300 V  
VGE = -15 / 15 V  
RGon = 1,8 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,12  
0,13  
0,13  
µs  
µs  
µs  
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 600 A, VCE = 300 V  
VGE = -15 / 15 V  
RGon = 1,8 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,12  
0,12  
0,12  
µs  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 600 A, VCE = 300 V  
VGE = -15 / 15 V  
RGoff = 0,33 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,43  
0,46  
0,46  
µs  
µs  
µs  
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 600 A, VCE = 300 V  
VGE = -15 / 15 V  
RGoff = 0,33 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,08  
0,11  
0,11  
µs  
µs  
µs  
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 600 A, VCE = 300 V, Lσ = 30 nH  
di/dt = 4500 A/µs (Tvj = 150°C)  
VGE = -15 / 15 V, RGon = 1,8 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
7,00  
9,40  
9,70  
mJ  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 600 A, VCE = 300 V, Lσ = 30 nH  
du/dt = 3200 V/µs (Tvj = 150°C)  
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 0,33 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
35,5  
39,5  
40,5  
mJ  
mJ  
mJ  
Kurzschlußverhalten  
SCꢀdata  
VGE 15 V, VCC = 360 V  
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
ISC  
tP 10 µs, Tvj = 150°C  
2700  
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
0,0830 K/W  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
0,0400  
K/W  
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
°C  
Datasheet  
2
Vꢀ3.0  
2019-08-27  
FF600R07ME4  
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
650  
600  
V
A
A
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
tP = 1 ms  
1200  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
Grenzlastintegral  
I²tꢀ-ꢀvalue  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
19500  
17500  
A²s  
A²s  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 600 A, VGE = 0 V  
IF = 600 A, VGE = 0 V  
IF = 600 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,55 1,95  
1,50  
1,45  
V
V
V
VF  
IRM  
Qr  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 600 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 300 V  
VGE = -15 V  
185  
285  
310  
A
A
A
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 600 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 300 V  
VGE = -15 V  
13,5  
30,0  
36,5  
µC  
µC  
µC  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 600 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
4,10  
8,70  
10,0  
mJ  
mJ  
mJ  
VR = 300 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
0,145 K/W  
K/W  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
0,0420  
λPasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
°C  
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
5,00  
Nennwiderstand  
Ratedꢀresistance  
TNTC = 25°C  
R25  
R/R  
P25  
kΩ  
AbweichungꢀvonꢀR100  
DeviationꢀofꢀR100  
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω  
-5  
5
%
Verlustleistung  
Powerꢀdissipation  
TNTC = 25°C  
20,0 mW  
B-Wert  
B-value  
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]  
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]  
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]  
B25/50  
B25/80  
B25/100  
3375  
3411  
3433  
K
K
K
B-Wert  
B-value  
B-Wert  
B-value  
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.  
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.  
Datasheet  
3
Vꢀ3.0  
2019-08-27  
FF600R07ME4  
Modulꢀ/ꢀModule  
Isolations-Prüfspannung  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
VISOL  
2,5  
Cu  
kV  
MaterialꢀModulgrundplatte  
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate  
InnereꢀIsolation  
Internalꢀisolation  
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)  
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)  
Al2O3  
Kriechstrecke  
Creepageꢀdistance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
14,5  
13,0  
mm  
mm  
Luftstrecke  
Clearance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
12,5  
10,0  
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
CTI  
> 200  
min. typ. max.  
Modulstreuinduktivität  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
LsCE  
20  
nH  
mΩ  
°C  
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  
Chip  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  
RCC'+EE'  
1,00  
Lagertemperatur  
Storageꢀtemperature  
Tstg  
M
-40  
3,00  
3,0  
125  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
6,00 Nm  
6,0 Nm  
g
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse  
Terminalꢀconnectionꢀtorque  
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
M
-
Gewicht  
Weight  
G
345  
Datasheet  
4
Vꢀ3.0  
2019-08-27  
FF600R07ME4  
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)  
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
1200  
1200  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
VGE = 19V  
VGE = 17V  
VGE = 15V  
VGE = 13V  
VGE = 11V  
VGE = 9V  
1000  
800  
600  
400  
200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0
0,0  
0,4  
0,8  
1,2  
1,6  
2,0  
2,4  
2,8  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
VCE [V]  
VCE [V]  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ1.8ꢀ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.33ꢀ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV  
1200  
100  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
1000  
800  
600  
400  
200  
80  
60  
40  
20  
0
0
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
0
200  
400  
600  
IC [A]  
800  
1000  
1200  
Vꢀ3.0  
VGE [V]  
Datasheet  
5
2019-08-27  
FF600R07ME4  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ600ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV  
160  
1
Eon, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 150°C  
ZthJC : IGBT  
140  
120  
100  
80  
Eoff, Tvj = 150°C  
0,1  
60  
0,01  
40  
i:  
ri[K/W]: 0,00593 0,00832 0,0625 0,00625  
τi[s]: 0,00032 0,00598 0,03466 0,73105  
1
2
3
4
20  
0
0,001  
0,0001  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
RG []  
t [s]  
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter  
(RBSOA)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.33ꢀ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C  
1400  
1200  
IC, Modul  
IC, Chip  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
700  
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0  
VCE [V]  
VF [V]  
Datasheet  
6
Vꢀ3.0  
2019-08-27  
FF600R07ME4  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ1.8ꢀ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV  
IFꢀ=ꢀ600ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV  
16  
16  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
14  
12  
10  
8
14  
12  
10  
8
6
6
4
4
2
2
0
0
0
200  
400  
600  
IF [A]  
800  
1000  
1200  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
RG []  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)  
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)  
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)  
1
100000  
ZthJC : Diode  
Rtyp  
0,1  
10000  
1000  
100  
0,01  
i:  
ri[K/W]: 0,0164 0,0215 0,098  
τi[s]:  
1
2
3
4
0,0091  
0,00026 0,00612 0,03389 0,59044  
0,001  
0,0001  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
0
20  
40  
60  
80  
TNTC [°C]  
100 120 140 160  
t [s]  
Datasheet  
7
Vꢀ3.0  
2019-08-27  
FF600R07ME4  
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram  
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines  
Infineon  
Datasheet  
8
Vꢀ3.0  
2019-08-27  
Trademarks  
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.  
Editionꢀ2019-08-27  
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Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof  
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