FF1500R12IE5BPSA1_技术文档

FF1500R12IE5

PrimePACK™3+ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT5,ꢀEmitterꢀControlledꢀ5ꢀDiodeꢀundꢀNTC

PrimePACK™3+ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT5,ꢀEmitterꢀControlledꢀ5ꢀdiodeꢀandꢀNTC

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 1500A / I_CRM= 3000A

PotentielleꢀAnwendungen

• Hochleistungsumrichter

• Motorantriebe

PotentialꢀApplications

• Highꢀpowerꢀconverters

• Motorꢀdrives

• SolarꢀAnwendungen

• USV-Systeme

• Solarꢀapplications

• UPSꢀsystems

ElektrischeꢀEigenschaften

• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀT_vjꢀop

• HoheꢀKurzschlussrobustheit

• SehrꢀgroßeꢀRobustheit

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ175°C

ElectricalꢀFeatures

• ExtendedꢀoperatingꢀtemperatureꢀT_vjꢀop

• Highꢀshort-circuitꢀcapability

• Unbeatableꢀrobustness

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ175°C

• TrenchꢀIGBTꢀ5

MechanischeꢀEigenschaften

• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400

MechanicalꢀFeatures

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken

• HoheꢀLast-ꢀundꢀthermischeꢀWechselfestigkeit

• HoheꢀLeistungsdichte

• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances

• Highꢀpowerꢀandꢀthermalꢀcyclingꢀcapability

• Highꢀpowerꢀdensity

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

Datasheet

PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument

Vꢀ3.0

www.infineon.com

2017-10-05

FF1500R12IE5

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

I_{C nom}

I_CRM

ꢀ

1200

1500

3000

+/-20

ꢀ

V

A

V

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 100°C, T_{vj max}= 175°C

t_P= 1 ms

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

V_GES

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 1500 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

1,70 2,15

2,00 2,45

2,15 2,60

V

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 41,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V, V_CE= 600V

T_vj= 25°C

V_GEth

Q_G

5,25 5,80 6,35

V

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

7,15

0,6

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

82,0

3,25

nF

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

400 nA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1500 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,82 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

0,26

0,28

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1500 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,82 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

0,16

0,17

0,18

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1500 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 0,82 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

0,51

0,56

0,59

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1500 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 0,82 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

0,09

0,11

0,13

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 1500 A, V_CE= 600 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 7900 A/µs (T_vj= 175°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 0,82 Ω

T_vj= 25°C

120

180

215

mJ

E_on

E_off

T_vj= 175°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 1500 A, V_CE= 600 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 2750 V/µs (T_vj= 175°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 0,82 Ω

T_vj= 25°C

155

195

220

mJ

T_vj= 175°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

t_P≤ 10 µs, T_vj= 175°C

5600

A

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

19,5 K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

12,5

K/kW

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

175

°C

Datasheet

2

Vꢀ3.0

2017-10-05

FF1500R12IE5

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

ꢀ

1200

1500

3000

ꢀ

V

A

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 175°C

575

445

kA²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 1500 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

1,95 2,45

1,85 2,30

1,80 2,25

V

V_F

I_RM

Q_r

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 1500 A, - di_F/dt = 7900 A/µs (T_vj=175°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

745

1000

1150

A

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 1500 A, - di_F/dt = 7900 A/µs (T_vj=175°C) T_vj= 25°C

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

175

300

365

µC

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 1500 A, - di_F/dt = 7900 A/µs (T_vj=175°C) T_vj= 25°C

82,0

135

160

mJ

V_R= 600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

35,0 K/kW

K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

14,1

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

175

°C

NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

5,00

Nennwiderstand

Ratedꢀresistance

T_NTC= 25°C

R₂₅

∆R/R

P₂₅

kΩ

AbweichungꢀvonꢀR100

DeviationꢀofꢀR100

T_NTC= 100°C, R₁₀₀= 493 Ω

-5

5

%

Verlustleistung

Powerꢀdissipation

T_NTC= 25°C

20,0 mW

B-Wert

B-value

R₂= R₂₅exp [B_25/50(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/80(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/100(1/T₂- 1/(298,15 K))]

B_25/50

B_25/80

B_25/100

3375

3411

3433

K

B-Wert

B-value

B-Wert

B-value

AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.

Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.

Datasheet

3

Vꢀ3.0

2017-10-05

FF1500R12IE5

Modulꢀ/ꢀModule

Isolations-Prüfspannung

Isolationꢀtestꢀvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

V_ISOL

ꢀ

4,0

Cu

ꢀ kV

MaterialꢀModulgrundplatte

Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate

ꢀ

InnereꢀIsolation

Internalꢀisolation

Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

Al₂O₃

ꢀ

Kriechstrecke

Creepageꢀdistance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

33,0

ꢀ mm

ꢀ

Luftstrecke

Clearance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

19,0

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

Comperativeꢀtrackingꢀindex

CTI

L_sCE

> 400

min. typ. max.

Modulstreuinduktivität

Strayꢀinductanceꢀmodule

10

nH

mΩ

°C

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-

Chip

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

R_CC'+EE'

R_AA'+CC'

0,10

0,09

T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch

Lagertemperatur

Storageꢀtemperature

T_stg

M

-40

150

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage

Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting

SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

3,00

6,00 Nm

2,1 Nm

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse

Terminalꢀconnectionꢀtorque

SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

1,8

8,0

-

M

G

10

Nm

g

Gewicht

Weight

1400

Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur T_BPmax= 150°C

Maximum baseplate operation temperature

T_BPmax= 150°C

Datasheet

4

Vꢀ3.0

2017-10-05

FF1500R12IE5

AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

T_vjꢀ=ꢀ175°C

3000

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

V_GE= 20V

V_GE= 15V

V_GE= 12V

V_GE= 10V

V_GE= 9V

V_GE= 8V

2700

2400

2100

1800

1500

1200

900

2700

2400

2100

1800

1500

1200

900

600

300

0

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0

V_CE[V]

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE

)

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ0.82ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ0.82ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

3000

700

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

E_on, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 175°C

E_off, T_vj= 125°C

2700

2400

2100

1800

1500

1200

900

E_off, T_vj= 175°C

600

500

400

300

200

100

0

600

300

0

5

6

7

8

9

10

11

12

13

0

300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400 2700 3000

V_GE[V]

I_C[A]

Datasheet

5

Vꢀ3.0

2017-10-05

FF1500R12IE5

SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ1500ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

1400

100

E_on, T_vj= 125°C

Z_thJC: IGBT

1300

1200

1100

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0

E_on, T_vj= 175°C

E_off, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 175°C

10

1

i:

r_i[K/kW]: 0,527 8,61

τ_i[s]:

1

2

3

8,74

4

1,63

0,0012 0,0271 0,0739 0,967

0,1

0,001

0,0

1,0

2,0

3,0

4,0

R_G[Ω]

5,0

6,0

7,0

8,0

0,01

0,1

t [s]

1

10

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter

(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)

GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)

gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)

V_GEꢀ=ꢀf(Q_G)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀ1500ꢀA,ꢀT_vjꢀ=ꢀ25°C

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ0.82ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ175°C

3600

15

I_C, Modul

I_C, Chip

V_CC= 600V

12

9

3000

2400

1800

1200

600

6

3

0

-3

-6

-9

-12

-15

0

200

400

600

800

1000 1200 1400

0

1

2

3

4

5

6

7

8

V_CE[V]

Q_G[µC]

Datasheet

6

Vꢀ3.0

2017-10-05

FF1500R12IE5

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

R_Gonꢀ=ꢀ0.82ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

3000

240

T_vj= 25°C

E_rec, T_vj= 125°C

T_vj= 125°C

T_vj= 175°C

E_rec, T_vj= 175°C

220

2700

2400

2100

1800

1500

1200

900

200

180

160

140

120

100

80

60

600

40

300

20

0

0,0

0,5

1,0

1,5

V_F[V]

2,0

2,5

0

300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400 2700 3000

I_F[A]

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

I_Fꢀ=ꢀ1500ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ600ꢀV

180

100

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 175°C

Z_thJC: Diode

160

140

120

100

80

10

60

40

i:

r_i[K/kW]: 2,72

τ_i[s]:

1

2

13,4

3

16,5

4

2,35

20

0,0012 0,0221 0,0782 1,53

0

1

0,0

1,0

2,0

3,0

4,0

R_G[Ω]

5,0

6,0

7,0

8,0

0,001

0,01

0,1

t [s]

1

10

Datasheet

7

Vꢀ3.0

2017-10-05

FF1500R12IE5

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)

NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)

Rꢀ=ꢀfꢀ(T)

100000

R_typ

10000

1000

100

0

20

40

60

80

T_NTC[°C]

100 120 140 160

Datasheet

8

Vꢀ3.0

2017-10-05

FF1500R12IE5

Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines

B0,2

B0,1

B0,2

36

(2x)

8

(8x)

18

(4x)

B1

250

A

224

187

recommended design height lower side

bus bar to baseplate

150

113

76

screwing depth

max. 8mm (8x)

58

M8 (8x)

P5,5_-(14x)

0,2

P0,8ABC

L

8x

B0,25

38,25

P0,5ABC

14x

L

24

6

7,5^+0,5

max. 3

screwing depth

max. 16mm (8x)

(P5,5)

14

M4 (8x)

max. 2

(P5,5)

B

P0,8ABC

L

8x

B0,25

26

C

25

recommended design height lower side

PCB to baseplate

39

64

78

92

103

117

156

195

234

Datasheet

9

Vꢀ3.0

2017-10-05

Trademarks

Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.

ꢀ

Editionꢀ2017-10-05

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81726ꢀMünchen,ꢀGermany

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型号：	FF1500R12IE5BPSA1
厂家：	Infineon
描述：	Insulated Gate Bipolar Transistor, 栅
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FF1500R12IE5BPSA1 [INFINEON]

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