FF1000R17IE4DP_B2 [INFINEON]

TIM;
FF1000R17IE4DP_B2
型号: FF1000R17IE4DP_B2
厂家: Infineon    Infineon
描述:

TIM

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FF1000R17IE4DP_B2  
PrimePACK™3ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiode  
PrimePACK™3ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀdiode  
VCES = 1700V  
IC nom = 1000A / ICRM = 2000A  
TypischeꢀAnwendungen  
• Traktionsumrichter  
• Windgeneratoren  
TypicalꢀApplications  
• Tractionꢀdrives  
• Windꢀturbines  
ElektrischeꢀEigenschaften  
• HoheꢀKurzschlussrobustheit  
• HoheꢀStoßstromfestigkeit  
• HoheꢀStromdichte  
ElectricalꢀFeatures  
• Highꢀshort-circuitꢀcapability  
• Highꢀsurgeꢀcurrentꢀcapability  
• Highꢀcurrentꢀdensity  
• NiedrigeꢀSchaltverluste  
• Lowꢀswitchingꢀlosses  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten  
• VerstärkteꢀDiodeꢀfürꢀRückspeisebetrieb  
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient  
• Enlargedꢀdiodeꢀforꢀregenerativeꢀoperation  
MechanischeꢀEigenschaften  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit  
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400  
MechanicalꢀFeatures  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation  
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken  
• HoheꢀLast-ꢀundꢀthermischeꢀWechselfestigkeit  
• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor  
• RoHSꢀkonform  
• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances  
• Highꢀpowerꢀandꢀthermalꢀcyclingꢀcapability  
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor  
• RoHSꢀcompliant  
Thermisches Interface Material bereits  
• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial  
aufgetragen  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
Digit  
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀSM  
approvedꢀby:ꢀRN  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-07  
revision:ꢀV3.0  
ULꢀapprovedꢀ(E83335)  
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FF1000R17IE4DP_B2  
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Collector-emitterꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VCES  
IC nom  
ICRM  
1700  
1000  
2000  
+/-20  
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
TH = 55°C, Tvj max = 175°C  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom  
tP = 1 ms  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
VGES  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 1000 A, VGE = 15 V  
IC = 1000 A, VGE = 15 V  
IC = 1000 A, VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
2,00 2,45  
2,35 2,80  
2,45 3,00  
V
V
V
VCE sat  
Gate-Schwellenspannung  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 36,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 V ... +15 V  
VGEth  
QG  
5,20 5,80 6,40  
V
µC  
Gateladung  
Gateꢀcharge  
10,0  
1,8  
InternerꢀGatewiderstand  
Internalꢀgateꢀresistor  
Tvj = 25°C  
RGint  
Cies  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
Eingangskapazität  
Inputꢀcapacitance  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
81,0  
2,60  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
Kollektor-Emitter-Reststrom  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
5,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter-Reststrom  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1000 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 0,3 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,66  
0,70  
0,71  
µs  
µs  
µs  
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1000 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 0,3 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,10  
0,11  
0,12  
µs  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1000 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 1,2 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,15  
1,30  
1,35  
µs  
µs  
µs  
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 1000 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 1,2 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,25  
0,48  
0,56  
µs  
µs  
µs  
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 1000 A, VCE = 900 V, LS = 30 nH  
VGE = ±15 V, di/dt = 8900 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C  
RGon = 0,3 Ω  
Tvj = 25°C  
260  
365  
415  
mJ  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
Tvj = 150°C  
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 1000 A, VCE = 900 V, LS = 30 nH  
VGE = ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C  
RGoff = 1,2 Ω  
Tvj = 25°C  
210  
315  
345  
mJ  
mJ  
mJ  
Tvj = 150°C  
Kurzschlußverhalten  
SCꢀdata  
VGE 15 V, VCC = 1000 V  
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
ISC  
tP 10 µs, Tvj = 150°C  
4000  
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink  
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial  
RthJH  
Tvj op  
38,2 K/kW  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
°C  
preparedꢀby:ꢀSM  
approvedꢀby:ꢀRN  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-07  
revision:ꢀV3.0  
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FF1000R17IE4DP_B2  
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
1700  
1000  
2000  
V
A
A
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
tP = 1 ms  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
Grenzlastintegral  
I²tꢀ-ꢀvalue  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
185  
175  
kA²s  
kA²s  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 1000 A, VGE = 0 V  
IF = 1000 A, VGE = 0 V  
IF = 1000 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,70 2,15  
1,70 2,15  
1,70 2,15  
V
V
V
VF  
IRM  
Qr  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 1000 A, - diF/dt = 8900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 900 V  
VGE = -15 V  
1300  
1400  
1450  
A
A
A
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 1000 A, - diF/dt = 8900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 900 V  
VGE = -15 V  
285  
460  
520  
µC  
µC  
µC  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 1000 A, - diF/dt = 8900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
145  
260  
295  
mJ  
mJ  
mJ  
VR = 900 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial  
RthJH  
Tvj op  
59,0 K/kW  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
°C  
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
5,00  
Nennwiderstand  
Ratedꢀresistance  
TNTC = 25°C  
R25  
R/R  
P25  
kΩ  
AbweichungꢀvonꢀR100  
DeviationꢀofꢀR100  
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω  
-5  
5
%
Verlustleistung  
Powerꢀdissipation  
TNTC = 25°C  
20,0 mW  
B-Wert  
B-value  
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]  
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]  
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]  
B25/50  
B25/80  
B25/100  
3375  
3411  
3433  
K
K
K
B-Wert  
B-value  
B-Wert  
B-value  
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.  
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.  
preparedꢀby:ꢀSM  
approvedꢀby:ꢀRN  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-07  
revision:ꢀV3.0  
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FF1000R17IE4DP_B2  
Modulꢀ/ꢀModule  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
VISOL  
4,0  
Cu  
kV  
MaterialꢀModulgrundplatte  
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate  
InnereꢀIsolation  
Internalꢀisolation  
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)  
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)  
Al2O3  
Kriechstrecke  
Creepageꢀdistance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
33,0  
33,0  
mm  
mm  
Luftstrecke  
Clearance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
19,0  
19,0  
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
CTI  
> 400  
min. typ. max.  
Modulstreuinduktivität  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
LsCE  
RCC'+EE'  
Tstg  
10  
nH  
mΩ  
°C  
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  
Chip  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
THꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  
0,20  
Lagertemperatur  
Storageꢀtemperature  
-40  
125  
125  
Höchstzulässige  
Bodenplattenbetriebstemperatur  
Maximumꢀbaseplateꢀoperationꢀtemperature  
TBPmax  
°C  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
M
3,00  
6,00 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse  
Terminalꢀconnectionꢀtorque  
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
1,8  
8,0  
-
-
M
G
10  
Nm  
g
Gewicht  
Weight  
1200  
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM: siehe AN2012-07  
Storage and shipment of modules with TIM: see AN2012-07  
preparedꢀby:ꢀSM  
approvedꢀby:ꢀRN  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-07  
revision:ꢀV3.0  
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FF1000R17IE4DP_B2  
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
2000  
2000  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
VGE = 20V  
VGE = 15V  
VGE = 12V  
VGE = 10V  
VGE = 9V  
VGE = 8V  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
600  
400  
200  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
VCE [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
VCE [V]  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ0.3ꢀ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.2ꢀ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
2000  
1100  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
900  
1000  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
600  
400  
200  
0
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000  
VGE [V]  
IC [A]  
preparedꢀby:ꢀSM  
approvedꢀby:ꢀRN  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-07  
revision:ꢀV3.0  
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FF1000R17IE4DP_B2  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ  
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ1000ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
1200  
100  
Eon, Tvj = 125°C  
ZthJH : IGBT  
Eon, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
1100  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
10  
1
i:  
ri[K/kW]: 3,1  
τi[s]:  
1
2
11,6  
3
17  
4
6,52  
0,000914 0,0318 0,129 0,817  
100  
0,1  
0,001  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
RG []  
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter  
(RBSOA)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1.2ꢀ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C  
2200  
2000  
IC, Modul  
Tvj = 25°C  
IC, Chip  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
2000  
1800  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800  
VCE [V]  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
VF [V]  
preparedꢀby:ꢀSM  
approvedꢀby:ꢀRN  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-07  
revision:ꢀV3.0  
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FF1000R17IE4DP_B2  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ0.3ꢀ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
IFꢀ=ꢀ1000ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
350  
350  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
325  
300  
250  
200  
150  
100  
300  
275  
250  
225  
200  
175  
150  
125  
100  
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000  
IF [A]  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
RG []  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ  
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)  
SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(SOA)  
safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)  
IRꢀ=ꢀf(VR)  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
100  
2200  
ZthJH : Diode  
IR, Modul  
2000  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
10  
i:  
ri[K/kW]: 4,74  
τi[s]:  
1
2
19,7  
3
26  
4
8,6  
0,00104 0,0304 0,127 0,919  
1
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800  
VR [V]  
preparedꢀby:ꢀSM  
approvedꢀby:ꢀRN  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-07  
revision:ꢀV3.0  
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FF1000R17IE4DP_B2  
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)  
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)  
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)  
100000  
Rtyp  
10000  
1000  
100  
0
20  
40  
60  
80  
TNTC [°C]  
100 120 140 160  
preparedꢀby:ꢀSM  
approvedꢀby:ꢀRN  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-07  
revision:ꢀV3.0  
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FF1000R17IE4DP_B2  
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram  
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines  
1
232  
restricted area for Thermal Interface Material  
screwing depth  
max. 16 (6x)  
36B0,2  
18B0,2 (4x)  
screwing depth  
max. 8 (7x)  
A
250B0,5  
224  
187  
150  
113  
103  
92  
recommeded design height  
lower side PCB to baseplate  
76  
58  
+
-
0
Ž5,5  
0,1  
25,9B0,25  
8B0,1 (7x)  
P0,25ABC  
(10x)  
L
0,4A  
(7x)  
H
1 MAX  
M4  
P0,6ABC  
(7x)  
L
25  
14  
M8  
P0,6ABC  
(6x)  
L
28B0,1  
5,5  
39  
17B0,1  
C
37,7B0,25  
recommeded design height  
lower side bus bar to baseplate  
B
64  
78  
117  
156  
195  
234  
preparedꢀby:ꢀSM  
approvedꢀby:ꢀRN  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-07  
revision:ꢀV3.0  
9
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FF1000R17IE4DP_B2  
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theꢀuseꢀthereofꢀcan  
reasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.  
preparedꢀby:ꢀSM  
approvedꢀby:ꢀRN  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-07  
revision:ꢀV3.0  
10  

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