F3L200R07W2S5F_B11 [INFINEON]
SiC Schottky diode;
| 型号： | F3L200R07W2S5F_B11 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | SiC Schottky diode |
| 文件： | 总17页 (文件大小：1111K) |
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F3L200R07W2S5F_B11
EasyPACK™ꢀModulꢀmitꢀTRENCHSTOP™ꢀ5ꢀundꢀCoolSiC™ꢀSchottkyꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
EasyPACK™ꢀmoduleꢀwithꢀTRENCHSTOP™ꢀ5ꢀandꢀCoolSiC™ꢀSchottkyꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
J
VCES = 650V
IC nom = 100A / ICRM = 200A
PotentielleꢀAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• Motorantriebe
PotentialꢀApplications
• 3-level-applications
• Motorꢀdrives
• SolarꢀAnwendungen
• USV-Systeme
• Solarꢀapplications
• UPSꢀsystems
ElektrischeꢀEigenschaften
ElectricalꢀFeatures
• CoolSiCTMꢀSchottkyꢀDiodeꢀGenꢀ5
• ErhöhteꢀSperrspannungsfestigkeitꢀaufꢀ650V
• NiedrigeꢀSchaltverluste
• CoolSiCTMꢀSchottkyꢀdiodeꢀgenꢀ5
• Increasedꢀblockingꢀvoltageꢀcapabilityꢀupꢀtoꢀ650V
• Lowꢀswitchingꢀlosses
MechanischeꢀEigenschaften
MechanicalꢀFeatures
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
• Al2O3ꢀsubstrateꢀwithꢀlowꢀthermalꢀresistance
Widerstand
• KompaktesꢀDesign
• Compactꢀdesign
• PressFITꢀVerbindungstechnik
• PressFITꢀcontactꢀtechnology
• Robuste Montage durch integrierte
• Rugged mounting due to integrated mounting
Befestigungsklammern
clamps
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ3.0
www.infineon.com
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
IGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ/ꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ICN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
200
95
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
V
ImplementierterꢀKollektor-Strom
Implementedꢀcollectorꢀcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
TH = 65°C, Tvj max = 175°C
ICDC
ICRM
VGES
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms
400
+/-20
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 100 A
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,17 1,38
1,20
1,21
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 2,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 / 15 V, VCE = 400 V
Tvj = 25°C
VGEth
QG
3,25 4,00 4,75
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
0,84
0,0
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
14,3
0,05
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
1,0 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 100 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,097
0,087
0,082
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 100 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,046
0,05
0,054
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 100 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 39 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,654
0,687
0,704
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 100 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 39 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,029
0,033
0,033
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 100 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 1800 A/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2,79
3,20
3,51
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 100 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 3700 V/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 39 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,21
1,48
1,61
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C
1600
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJH
Tvj op
0,814
K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
2
Vꢀ3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
IGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ/ꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ICN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
200
95
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
V
ImplementierterꢀKollektor-Strom
Implementedꢀcollectorꢀcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
TH = 65°C, Tvj max = 175°C
ICDC
ICRM
VGES
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms
400
+/-20
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 100 A
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,17 1,38
1,20
1,21
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 2,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 / 15 V, VCE = 400 V
Tvj = 25°C
VGEth
QG
3,25 4,00 4,75
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
0,84
0,0
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
14,3
0,05
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
0,044 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 100 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,098
0,087
0,085
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 100 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,037
0,043
0,046
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 100 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 39 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,651
0,685
0,695
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 100 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 39 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,018
0,024
0,026
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 100 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 2200 A/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2,18
2,56
2,79
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 100 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 3500 V/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 39 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,28
1,65
1,80
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C
1600
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJH
Tvj op
0,814
K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
3
Vꢀ3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
Diode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ/ꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IFN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
120
100
240
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
ImplementierterꢀDurchlassstrom
Implementedꢀforwardꢀcurrent
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
IF
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
IFRM
I²t
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
700
690
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 100 A, VGE = 0 V
IF = 100 A, VGE = 0 V
IF = 100 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,38 1,65
1,49
1,52
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 100 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
58,3
74,4
77,6
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 100 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
3,10
5,40
5,50
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 100 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
0,50
0,57
0,69
mJ
mJ
mJ
VR = 300 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJH
Tvj op
1,15
K/W
°C
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
Diode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ/ꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IFN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
150
100
300
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
ImplementierterꢀDurchlassstrom
Implementedꢀforwardꢀcurrent
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
IF
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
IFRM
I²t
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
770
690
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 100 A, VGE = 0 V
IF = 100 A, VGE = 0 V
IF = 100 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,33 1,55
1,29
1,26
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 100 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
VGE = -15 V
47,6
49,8
52,7
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 100 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
VGE = -15 V
1,90
2,00
2,10
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 100 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
0,527
0,965
1,11
mJ
mJ
mJ
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJH
Tvj op
0,953
K/W
°C
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
Datasheet
4
Vꢀ3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
Diode,ꢀD5-D6ꢀ/ꢀDiode,ꢀD5-D6
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IFN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
650
120
100
240
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
ImplementierterꢀDurchlassstrom
Implementedꢀforwardꢀcurrent
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
IF
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
IFRM
I²t
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
700
690
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 100 A, VGE = 0 V
IF = 100 A, VGE = 0 V
IF = 100 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,38 1,65
1,49
1,52
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 100 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
VGE = -15 V
58,3
74,4
77,6
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 100 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
VGE = -15 V
3,10
5,40
5,50
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 100 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
0,50
0,57
0,69
mJ
mJ
mJ
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJH
Tvj op
1,15
K/W
°C
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TNTC = 25°C
R25
∆R/R
P25
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
TNTC = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Datasheet
5
Vꢀ3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2,5
ꢀ kV
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,5
6,3
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
10,0
5,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
RTI
> 200
RelativerꢀTemperaturindexꢀ(elektr.)
RTIꢀElec.
Gehäuse
housing
140
ꢀ °C
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
LsCE
Tstg
F
20
nH
°C
N
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
-40
40
125
80
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
-
Gewicht
Weight
G
39
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
Datasheet
6
Vꢀ3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ150°C
200
200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
180
160
140
120
100
80
180
160
140
120
100
80
60
60
40
40
20
20
0
0
0,0
0,5
1,0
VCE [V]
1,5
2,0
0,0
0,5
1,0
VCE [V]
1,5
2,0
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ20ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ39ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
200
10
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
180
160
140
120
100
80
8
6
4
2
0
60
40
20
0
3
4
5
6
7
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
VGE [V]
IC [A]
Datasheet
7
Vꢀ3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
SchaltzeitenꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
switchingꢀtimesꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(IC)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ100ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ20ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ39ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
25
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
tdon
tr
tdoff
1
tf
20
15
10
5
0,1
0
0,01
0
40 80 120 160 200 240 280 320 360 400
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
RG [Ω]
IC [A]
SchaltzeitenꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
switchingꢀtimesꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(RG)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ100ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
1
tdon
tr
ZthJH : IGBT
tdoff
tf
1
0,1
0,1
0,01
i:
ri[K/W]: 0,0195
τi[s]: 0,000923 0,0173 0,184 0,539
1
2
3
4
0,0945 0,534 0,166
0,001
0,01
0,001
0
40 80 120 160 200 240 280 320 360 400
RG [Ω]
0,01
0,1
t [s]
1
10
Datasheet
8
Vꢀ3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(RBSOA)
KapazitätsꢀCharakteristikꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
capacityꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
Cꢀ=ꢀf(VCE)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ39ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
VGEꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ100kHz
100000
IC, Modul
IC, Chip
Cies
Coes
Cres
400
300
200
100
0
10000
1000
100
10
1
0
100
200
300
400
500
600
700
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
VCE [V]
VCE [V]
GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
VGEꢀ=ꢀf(QG)
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀ200ꢀA,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
15
200
VCC = 400V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
180
160
140
120
100
80
10
5
0
-5
60
40
-10
-15
20
0
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
0,0
0,5
1,0
VCE [V]
1,5
2,0
QG [µC]
Datasheet
9
Vꢀ3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE)
Tvjꢀ=ꢀ150°C
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
200
200
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
180
160
140
120
100
80
180
160
140
120
100
80
60
60
40
40
20
20
0
0
0,0
0,5
1,0
VCE [V]
1,5
2,0
3,0
4,0
5,0
VGE [V]
6,0
7,0
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ20ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ39ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ100ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
20
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
18
16
14
12
10
8
Eoff, Tvj = 150°C
6
5
4
3
2
1
0
6
4
2
0
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
0
40 80 120 160 200 240 280 320 360 400
IC [A]
RG [Ω]
Datasheet
10
Vꢀ3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
SchaltzeitenꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
SchaltzeitenꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
switchingꢀtimesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(IC)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ20ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ39ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
switchingꢀtimesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(RG)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ100ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
10
tdon
tr
tdon
tr
tdoff
tf
tdoff
tf
1
1
0,1
0,1
0,01
0,01
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
0
40 80 120 160 200 240 280 320 360 400
RG [Ω]
IC [A]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(RBSOA)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ39ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
1
ZthJH : IGBT
IC, Modul
IC, Chip
400
300
200
100
0
0,1
i:
ri[K/W]: 0,0195
τi[s]: 0,000923 0,0173 0,184 0,539
1
2
3
4
0,0945 0,534 0,166
0,01
0,001
0,01
0,1
1
10
0
100
200
300
400
500
600
700
t [s]
VCE [V]
Datasheet
11
Vꢀ3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
KapazitätsꢀCharakteristikꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
capacityꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
VGEꢀ=ꢀf(QG)
Cꢀ=ꢀf(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ100kHz
ICꢀ=ꢀ200ꢀA,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
100000
15
Cies
Coes
Cres
VCC = 400 V
10
5
10000
1000
100
10
0
-5
-10
1
-15
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
VCE [V]
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
QG [µC]
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
RGonꢀ=ꢀ20ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
200
1,00
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
180
160
140
120
100
80
Tvj = 150°C
0,75
0,50
0,25
0,00
60
40
20
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
VF [V]
IF [A]
Datasheet
12
Vꢀ3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
IFꢀ=ꢀ100ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
1,00
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
ZthJH : Diode
0,75
0,50
0,25
0,00
1
0,1
i:
ri[K/W]: 0,067
τi[s]: 0,00106 0,0156 0,203 0,203
1
2
3
4
0,204 0,438 0,441
0,01
0,001
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
0,01
0,1
1
10
RG [Ω]
t [s]
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
RGonꢀ=ꢀ20ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
200
2,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
180
160
140
120
100
80
Tvj = 150°C
1,5
1,0
0,5
0,0
60
40
20
0
0,0
0,5
1,0
VF [V]
1,5
2,0
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
IF [A]
Datasheet
13
Vꢀ3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
IFꢀ=ꢀ100ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
1,5
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
ZthJH : Diode
1,0
0,5
0,0
1
0,1
i:
ri[K/W]: 0,032
τi[s]: 0,000674 0,0117 0,0873 0,307
1
2
3
4
0,129 0,382 0,41
0,01
0,001
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
0,01
0,1
1
10
RG [Ω]
t [s]
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
RGonꢀ=ꢀ20ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
200
1,00
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
180
160
140
120
100
80
Tvj = 150°C
0,75
0,50
0,25
0,00
60
40
20
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
VF [V]
IF [A]
Datasheet
14
Vꢀ3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
IFꢀ=ꢀ100ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ300ꢀV
1,00
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
ZthJH : Diode
0,75
0,50
0,25
0,00
1
0,1
i:
ri[K/W]: 0,067
τi[s]: 0,00106 0,0156 0,203 0,203
1
2
3
4
0,204 0,438 0,441
0,01
0,001
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
0,01
0,1
1
10
RG [Ω]
t [s]
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(TNTC
)
100000
Rtyp
10000
1000
100
0
25
50
75
TNTC [°C]
100
125
150
Datasheet
15
Vꢀ3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
J
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Infineon
Datasheet
16
Vꢀ3.0
2020-06-29
Trademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2020-06-29
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ꢀ
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
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相关型号：
F3L200R12W2H3B11BPSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-32
INFINEON
F3L300R07PE4
EasyPACK module with Trench/Fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC
INFINEON
F3L30R06W1E3-B11
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-20
INFINEON
F3L30R06W1E3_B11
EasyPACK module with Trench/Feldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC
INFINEON
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