DT210N08KOF [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 210000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element,;
| 型号： | DT210N08KOF |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 210000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, |
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European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information
TT 210 N
28,5
35
5
6
115
80
9
18
M8
92
18
AK
K
A
K1 G1
K2 G2
VWK February 1996
TT 210 N, TD 210 N, DT 210 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzulässige Werte
Periodische Vorwärts- und
Rückwärts-Spitzensperrspannung
Maximum rated values
repetitive peak forward off-state
and reverse voltages
tvj = -40°C...tvj max
VDRM, VRRM
600 800 1000
1200 1400 1600
1800
V
Vorwärts-
Stoßspitzensperrspannung
Rückwärts-
non-repetitive peak forward off-
state voltage
non-repetitive peak reverse
tvj = -40°C...tvj max
tvj = +25°C...tvj max
VDSM = VDRM
VRSM = VRRM
V
V
+ 100
Stoßspitzensperrspannung
voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
ITRMSM
ITAVM
410
210
A
A
A
A
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
surge current
òi2t-value
tc = 85°C
tc = 73°C
261
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
ITSM
6600
5800
218000 A2s
168000 A2s
150 A/µs
òi2dt
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
current
v
D £ 67%, VDRM, fo = 50 Hz
(di/dt)cr
(dv/dt)cr
vL =10V,iGM = 1A,diG/dt = 1 A/µs
tvj = tvj max, vD = 0,67 VDRM
voltage
1000 V/µs
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Characteristic values
on-state voltage
tvj = tvj max, iT = 700 A
tvj = tvj max
vT
max.1,65
1
V
V
threshold voltage
VT(TO)
rT
slope resistance
tvj = tvj max
0,85 mW
Zündstrom
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
tvj = 25 °C, vD = 6 V
tvj = 25 °C, vD = 6 V
tvj = tvj max, vD = 6 V
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 W
IGT
max. 200 mA
Zündspannung
VGT
IGD
VGD
IH
max. 2
max.10
max.0,2
V
mA
V
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
max. 300 mA
max.1,2 A
Einraststrom
latching current
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > = 10 W IL
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, t g = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-
forward off-state and reverse
tvj = tvj max, vD=VDRM, vR=VRRM
iD, iR
max. 50 mA
Sperrstrom
Zündverzug
currents
gate controlled delay time
tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs tgd
max. 3
typ.200
3
µs
µs
kV
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
insulation test voltage
siehe Techn.Er./see Techn.Inf.
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
tq
Isolations-Prüfspannung
VISOL
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction
Q =180°el,sinus: pro Modul/per module RthJC
max.0,065 °C/W
to case
pro Zweig/per arm
max.0,13 °C/W
max.0,062 °C/W
DC:
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
pro Modul/per module
max.0,124 °C/W
max.0,02 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
heatsink
RthCK
pro Zweig/per arm
max.0,04 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
tvj max
tc op
tstg
125
-40...+125
-40...+130
°C
°C
°C
Lagertemperatur
Mechanische Eigenschaften Mechanical properties
Gehäuse, siehe Seite
Si-Elemente mit Druckkontakt
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment für
mechanische Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische terminal connection torque
Anschlüsse
Gewicht
case, see page
1
Si-pellet with pressure contact
internal insulation
mounting torque
AlN
6
Toleranz/tolerance +/- 15%
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M1
M2
G
Nm
12 Nm
weight
typ.800
g
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
creepage distance
vibration resistance
17 mm
f = 50 Hz
5 . 9,81 m/s²
Diese Module können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
These modules can also be supplied with common anode or common cathode.
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
TT 210 N
400
300
130
120
110
100
180°
120°
90°
0
q
q
0
t
C
60°
P
TAV
[°C]
q = 30°
90
[W]
80
200
70
60
50
100
40
30
20
90°
60°
q = 30°
180°
120°
0
0
50
100
150
200
250
TAV
50
100
300
0
300
250
[A]
150
200
I
[A]
I
TT 210 N/2
TT 210 N/1
TAVM
Bild / Fig. 1
Durchlaßverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
= f(I
Bild / Fig. 2
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature
= f(I
P
)
t
)
TAVM
TAV
TAV
C
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle q
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle q
600
500
130
DC
q
q
0
0
t
[°C]
100
C
P
TAV
[W]
400
180°
120°
90°
60°
80
60
300
200
q = 30°
40
20
100
60°
90° 120°
200
180°
DC
q = 30°
0
50
150
200
250
300
350
[A]
100
400
0
0
50
100
150
250
300
350
[A]
400
I
I
TAVM
TT 210 N/3
TT 210 N/4
TAV
Bild / Fig. 3
Durchlaßverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
= f(I
Bild / Fig. 4
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature
= f(I
P
)
t
)
TAVM
TAV
TAV
C
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle q
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle q
2000
1600
2400
2000
0.02
R
[°C/W]
thCA
R
[°C/W]
thCA
0.02
0.03
0.04
0.03
P
tot
[W]
P
tot
[W]
R-Last
R-Load
0.04
0.05
0.06
0.08
1600
0.05
0.06
0.08
1200
L-Last
L-Load
1200
800
400
0
800
400
0
0.10
0.12
0.15
0.20
0.25
0.30
0.40
0.60
0.10
0.12
0.15
0.20
0.25
0.30
0.40
0.60
0
20
40
60
80 100
[°C]
0
100
20
40
60
80
[°C]
0
100 200 300 400 500 600
[A]
0
200
400
600
I [A]
d
800
t
t
I
A
A
TT 210 N/5
d
TT 210 N/6
Bild / Fig. 5
Bild / Fig. 6
B2 - Zweiplus-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
B6 - Sechpuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
d
d
Gesamtverlustleist. der Schaltung / total power dissip. of the circuit P
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung /
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung /
tot
tot
thermal resistance case to ambient R
thermal resistance case to ambient R
thCA
thCA
TT 210 N
2400
2000
800
0.04
0.05
0.06
0.08
0.02
0.03
R
[°C/W]
thCA
R
[°C/W]
thCA
P
tot
600
P
[W]
0.10
0.12
tot
0.04
[W]
1600
0.05
0.06
0.08
0.15
0.20
1200
800
400
0
400
0.25
0.30
0.10
0.12
0.15
0.20
0.25
0.30
0.40
0.60
0.40
200
0
0.50
0.60
0.80
1.00
1.20
0
100
0
100
100 200 300
600
20
40
60
80
[°C]
20
40
60
80
[°C]
400 500
I [A]
RMS
0
100 200 300 400 500 600
0
t
t
I
[A]
A
A
TT 210 N/8
TT 210 N/7
RMS
Bild / Fig. 7
Bild / Fig. 8
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Höchstzulässiger Effektivstrom je Phase / Maximum ratet RMS current per
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum ratet RMS current I
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the
RMS
phase I
RMS
circuit P
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/
tot
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R
thermal resistance case to ambient R
thCA
thCA
4
10
5
8
Q
[µAs]
r
4
4
2
i
=
TM
I
T(0V)M
1000A
200 A 500 A
[kA]
3
2
100 A
50 A
a
b
3
10
8
6
20 A
4
1
0
2
2
10
2
3
4
5
6
7 8
2
3
4
5 6 7 8
0
1
2
10
10
10
10
20
40
60 80 100
200
400 600 800 1s
t [ms]
-di/dt [A/µs]
TT 210 N/9
TT 210 N/10
Bild / Fig. 9
Bild / Fig. 10
Sperrverzögerungsladung / Recovery charge Q = f(-di/dt)
Grenzstrom je Zweig I
. Belastung aus Leerlauf, V
= 0,8 V
r
T(OV)M
Maximum overload on- state current per arm I
RM
RRM
t
= t
, v £ 0,5 V
, v = 0,8 V
vj
vjmax
R
RRM RM RRM
. Surge current under
T(OV)M
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i
TM
no-load conditions, V = 0,8 V
R
RRM
a - t = 35 °C, verstärkte Luftkühlung / forced cooling
A
b - t = 45 °C, Luftselbstkühlung / natural cooling
A
100
30
20
60
10
5
v
[V]
t
[µs]
20
G
gd
d
c
b
a
10
6
4
2
a
b
2
1
1
0,5
0,6
0,4
0,2
0,1
0,2
0,1
10
20
40 60 100
mA
200
400 600
1
2
4
6
10
10
20 40 60 100 200 400 600 1
mA
2
4
6
10 20 40 60 100
A
A
TT 210 N/11
i
i
G
TT 210 N/12
G
Bild / Fig. 11
Bild / Fig. 12
Zündverzug / Gate controlled delay time t = f(i )
Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with triggering
areas, v = f(i ), v = 6 V
gd
G
t
= 25°C, di /dt = i /1µs
GM
vj
G
G
G
D
a - äußerster Verlauf / limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
Parameter:
a
b
c
d
________________________________________________________
Steuerimpulsdauer / Pulse duration t [ms] 10
1
0,5
0,1
______________________________g__________________________
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power [W] 40 100 150
80
________________________________________________________
TT 210 N
0,16
0,18
0,16
thJC
Z
thJC
Z
[°C/W]
0,12
0
q
0
q
[°C/W]
0,12
0,10
0,10
0,08
0,06
0,08
0,06
q =
30°
q =
30°
0,04
0,02
0
60°
60°
90°
0,04
0,02
90°
120°
180°
120°
180°
DC
-3
0
10
2
4
6
2
4
6
2
4
6
2
4
6
2
4
6
8
2
4
6
8
2
-1
4
6 8
2
4
6 8
2
4
6
8
2
-1
10
1
2
0
1
-2
0
-2
10
10
10
10
10
10
10
10
10
TT 210 N/14
t [s]
t [s]
TT 210 N/13
Bild / Fig. 13
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z = f(t)
Bild / Fig. 14
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z = f(t)
(th)JC
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle q
(th)JC
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle q
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
pro Zweig für DC
per arm for DC
thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
Pos. n
[°C/W]
1
2
3
4
5
6
7
R
0,0031 0,0097 0,0257 0,0429 0,0426
0,0009 0,008 0,11 0,61 3,06
thn
t
[s]
n
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
t
-
t n
)
Z
=
R
(1-e
thn
thJC
S
n=1
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