DF11MR12W1M1P_B11 [INFINEON]
PressFIT;
| 型号： | DF11MR12W1M1P_B11 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | PressFIT |
| 文件： | 总10页 (文件大小：512K) |
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DF11MR12W1M1P_B11
EasyPACK™ꢀModulꢀmitꢀCoolSiC™ꢀTrenchꢀMOSFETꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTCꢀ/ꢀTIM
EasyPACK™ꢀmoduleꢀwithꢀCoolSiC™ꢀTrenchꢀMOSFETꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTCꢀ/ꢀTIM
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
-
VDSS = 1200V
ID nom = 50A / IDRM = 100A
PotentielleꢀAnwendungen
PotentialꢀApplications
• SolarꢀAnwendungen
• Solarꢀapplications
ElektrischeꢀEigenschaften
• HoheꢀStromdichte
ElectricalꢀFeatures
• Highꢀcurrentꢀdensity
• Lowꢀinductiveꢀdesign
• NiederinduktivesꢀDesign
MechanischeꢀEigenschaften
• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor
• PressFITꢀVerbindungstechnik
MechanicalꢀFeatures
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor
• PressFITꢀcontactꢀtechnology
• Robuste Montage durch integrierte
• Rugged mounting due to integrated mounting
Befestigungsklammern
clamps
• Thermisches Interface Material bereits
• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial
aufgetragen
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ2.0
www.infineon.com
2020-02-27
DF11MR12W1M1P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
MOSFETꢀ/ꢀMOSFET
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Drain-Source-Spannung
Drain-sourceꢀvoltage
Tvj = 25°C
TH = 65°C
VDSS
ID nom
ID pulse
VGSS
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
50
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Drain-Gleichstrom
Tvj = 175°C, VGS = 15 V
DCꢀdrainꢀcurrent
GepulsterꢀDrainstrom
Pulsedꢀdrainꢀcurrent
verifiziertꢀdurchꢀDesign,ꢀtpꢀlimitiertꢀdurchꢀTvjmax
verifiedꢀbyꢀdesign,ꢀtpꢀlimitedꢀbyꢀTvjmax
100
Gate-SourceꢀSpannung
Gate-sourceꢀvoltage
-10 / 20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Einschaltwiderstand
Drain-sourceꢀonꢀresistance
ID = 50 A
VGS = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
22,5
29,5
33,0
RDS on
mΩ
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IDꢀ=ꢀ20,0ꢀmA,ꢀVDSꢀ=ꢀVGS,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
(testedꢀafterꢀ1msꢀpulseꢀatꢀVGSꢀ=ꢀ+20ꢀV)
VGS(th) 3,45 4,50 5,55
V
GesamtꢀGateladung
Totalꢀgateꢀcharge
VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V
Tvj = 25°C
QG
RGint
Ciss
Coss
Crss
Eoss
IDSS
IGSS
0,124
2,0
µC
Ω
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV
3,68
0,22
0,028
88,0
nF
nF
nF
µJ
Ausgangskapazität
Outputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV
COSSꢀSpeicherenergie
COSSꢀstoredꢀenergy
Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = -5 V / 15 V
Drain-Source-Reststrom
Zeroꢀgateꢀvoltageꢀdrainꢀcurrent
VDS = 1200 V, VGS = -5 V
Tvj = 25°C
0,20 210 µA
Gate-Source-Reststrom
Gate-sourceꢀleakageꢀcurrent
VDS = 0 V
Tvj = 25°C
VGS = 20 V
VGS = -10 V
400
nA
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turnꢀonꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
ID = 50 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGon = 1,00 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
10,0
10,0
10,0
td on
ns
ns
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
ID = 50 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGon = 1,00 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
9,60
9,60
9,60
tr
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turnꢀoffꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
ID = 50 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGoff = 1,00 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
43,5
43,5
43,5
td off
ns
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
ID = 50 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGoff = 1,00 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
12,0
12,0
12,0
tf
ns
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
ID = 50 A, VDS = 600 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 11,0 kA/µs (Tvj = 150°C)
VGS = -5 V / 15 V, RGon = 1,00 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,385
0,385
0,385
Eon
Eoff
ISC
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
ID = 50 A, VDS = 600 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 55,0 kV/µs (Tvj = 150°C)
VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 1,00 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,10
0,10
0,10
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGS = -5 V / 15 V, VDD = 800 V
VDSmax = VDSS -LsDS ·di/dt
RG = 10,0 Ω
tP ≤ 2 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 2 µs, Tvj = 150°C
420
410
A
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀMOSFETꢀ/ꢀperꢀMOSFET
RthJH
Tvj op
0,830 K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
BodyꢀDiodeꢀ/ꢀBodyꢀdiode
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
BodyꢀDiode-Gleichstrom
DCꢀbodyꢀdiodeꢀforwardꢀcurrent
Tvj = 175°C, VGS = -5 V
TH = 65°C
ISD
ꢀ
16
ꢀ
A
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
min. typ. max.
ISD = 50 A, VGS = -5 V
ISD = 50 A, VGS = -5 V
ISD = 50 A, VGS = -5 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
4,60 5,65
4,35
4,30
VSD
Datasheet
2
Vꢀ2.0
2020-02-27
DF11MR12W1M1P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Diode,ꢀHochsetzstellerꢀ/ꢀDiode,ꢀBoost
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
40
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
80
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
320
295
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 40 A, VGE = 0 V
IF = 40 A, VGE = 0 V
IF = 40 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,40 1,85
1,70
1,85
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 40 A, - diF/dt = 9500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
60,0
57,0
57,0
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 40 A, - diF/dt = 9500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
0,523
0,531
0,531
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 40 A, - diF/dt = 9500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
0,089
0,096
0,096
mJ
mJ
mJ
VR = 600 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJH
Tvj op
1,03 K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Bypass-Diodeꢀ/ꢀBypass-Diode
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IFRMSM
IRMSM
IFSM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
50
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
DurchlassstromꢀGrenzeffektivwertꢀproꢀChip
TH = 80°C
MaximumꢀRMSꢀforwardꢀcurrentꢀperꢀchip
GleichrichterꢀAusgangꢀGrenzeffektivstrom
TH = 80°C
50
MaximumꢀRMSꢀcurrentꢀatꢀrectifierꢀoutput
StoßstromꢀGrenzwert
Surgeꢀforwardꢀcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
450
360
A
A
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
1010
648
A²s
A²s
I²t
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 30 A
Forwardꢀvoltage
min. typ. max.
0,95
VF
IR
V
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1200 V
Reverseꢀcurrent
0,10
mA
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJH
Tvj op
1,18 K/W
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
3
Vꢀ2.0
2020-02-27
DF11MR12W1M1P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
VerpolschutzꢀDiodeꢀAꢀ/ꢀInverse-polarityꢀprotectionꢀdiodeꢀA
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IFRMSM
IRMSM
IFSM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
50
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
DurchlassstromꢀGrenzeffektivwertꢀproꢀChip
TH = 80°C
MaximumꢀRMSꢀforwardꢀcurrentꢀperꢀchip
GleichrichterꢀAusgangꢀGrenzeffektivstrom
TH = 80°C
50
MaximumꢀRMSꢀcurrentꢀatꢀrectifierꢀoutput
StoßstromꢀGrenzwert
Surgeꢀforwardꢀcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
450
360
A
A
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
1010
648
A²s
A²s
I²t
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 30 A
Forwardꢀvoltage
min. typ. max.
0,95
VF
IR
V
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1200 V
Reverseꢀcurrent
0,10
mA
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJH
Tvj op
0,990 K/W
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
VerpolschutzꢀDiodeꢀBꢀ/ꢀInverse-polarityꢀprotectionꢀdiodeꢀB
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IFRMSM
IRMSM
IFSM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
50
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
DurchlassstromꢀGrenzeffektivwertꢀproꢀChip
TH = 80°C
MaximumꢀRMSꢀforwardꢀcurrentꢀperꢀchip
GleichrichterꢀAusgangꢀGrenzeffektivstrom
TH = 80°C
50
MaximumꢀRMSꢀcurrentꢀatꢀrectifierꢀoutput
StoßstromꢀGrenzwert
Surgeꢀforwardꢀcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
450
360
A
A
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
1010
648
A²s
A²s
I²t
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 30 A
Forwardꢀvoltage
min. typ. max.
0,95
VF
IR
V
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1200 V
Reverseꢀcurrent
0,10
mA
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJH
Tvj op
0,990 K/W
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
4
Vꢀ2.0
2020-02-27
DF11MR12W1M1P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TNTC = 25°C
R25
5,00
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
DeviationꢀofꢀR100
∆R/R
P25
-5
5
%
Verlustleistung
TNTC = 25°C
20,0 mW
Powerꢀdissipation
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
3,0
ꢀ kV
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,5
6,3
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
10,0
5,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
RTI
> 200
RelativerꢀTemperaturindexꢀ(elektr.)
RTIꢀElec.
Gehäuse
housing
140
ꢀ °C
min. typ. max.
10
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
LsCE
Tstg
nH
°C
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
-40
125
125
50
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumꢀbaseplateꢀoperationꢀtemperature
TBPmax
°C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
20
-
N
g
Gewicht
Weight
G
24
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design
guidelines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime.
Storage and Shipment of modules with TIM => see AN2012-07
Datasheet
5
Vꢀ2.0
2020-02-27
DF11MR12W1M1P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
AusgangskennlinieꢀMOSFETꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)
ÜbertragungscharakteristikꢀMOSFETꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)
IDꢀ=ꢀfꢀ(VGS
IDꢀ=ꢀfꢀ(VDS
)
)
VGSꢀ=ꢀ15ꢀV
VDSꢀ=ꢀ20ꢀV
100
100
Tvj = 25°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125 °C
Tvj = 150°C
90
80
70
60
50
40
30
20
10
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
3
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VDS [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
4
5
6
7
8
9
10
11
12
VGS [V]
SchaltverlusteꢀMOSFETꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀMOSFETꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(ID),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(ID)
SchaltverlusteꢀMOSFETꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀMOSFETꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
VGSꢀ=ꢀ-ꢀ5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ1,0ꢀꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ1,0ꢀΩ,ꢀVDSꢀ=ꢀ600ꢀV
VGSꢀ=ꢀ-ꢀ5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀVꢀ,ꢀIDꢀ=ꢀꢀ50ꢀA,ꢀVDSꢀ=ꢀ600ꢀV
0,6
1,0
Eon, Tvj = 125°C; Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C; Eoff, Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C; Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C; Eoff, Tvj = 150°C
0,9
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
ID [A]
RG [Ω]
Datasheet
6
Vꢀ2.0
2020-02-27
DF11MR12W1M1P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀMOSFETꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀMOSFETꢀ(RBSOA)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀMOSFETꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀMOSFETꢀ
IDꢀ=ꢀfꢀ(VDS
)
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ15ꢀV,ꢀRGꢀ=ꢀ1ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
120
10
ID, Modul
ZthJH: MOSFET
ID, Chip
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
0,1
i:
ri[K/W]: 0,047
τi[s]: 0,00177 0,0159 0,105 0,105
1
2
3
4
0,153 0,43 0,2
0,01
0,001
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0,01
0,1
1
10
VDS [V]
t [s]
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀHochsetzstellerꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀBoostꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀHochsetzstellerꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀBoostꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
80
10
Tvj = 25°C
ZthJH : Diode
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
70
60
50
40
30
20
10
0
1
0,1
i:
ri[K/W]: 0,078
τi[s]:
1
2
3
4
0,151
0,301 0,5
0,00147 0,00825 0,0343 0,169
0,01
0,001
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
0,01
0,1
t [s]
1
10
Datasheet
7
Vꢀ2.0
2020-02-27
DF11MR12W1M1P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
DurchlasskennlinieꢀderꢀBypass-Diodeꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀBypass-Diodeꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
DurchlasskennlinieꢀderꢀVerpolschutzꢀDiodeꢀAꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀInverse-polarityꢀprotectionꢀdiodeꢀA
(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
60
60
Tvj = 25°C
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
Tvj = 150°C
55
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0,0
0,2
0,4
0,6
VF [V]
0,8
1,0
1,2
0,0
0,2
0,4
0,6
VF [V]
0,8
1,0
1,2
DurchlasskennlinieꢀderꢀVerpolschutzꢀDiodeꢀBꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀInverse-polarityꢀprotectionꢀdiodeꢀB
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(TNTC
)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
60
100000
Tvj = 25°C
Rtyp
Tvj = 150°C
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
10000
1000
0
100
0
0,0
0,2
0,4
0,6
VF [V]
0,8
1,0
1,2
20
40
60
80
TNTC [°C]
100 120 140 160
Datasheet
8
Vꢀ2.0
2020-02-27
DF11MR12W1M1P_B11
VorläufigeꢀDaten
PreliminaryꢀData
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
-
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Infineon
Datasheet
9
Vꢀ2.0
2020-02-27
Trademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2020-02-27
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ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
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