D4810N22T VF [INFINEON]

D4810N 整流二极管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳,外壳直径 111mm,高度 26mm。;
D4810N22T VF
型号: D4810N22T VF
厂家: Infineon    Infineon
描述:

D4810N 整流二极管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳,外壳直径 111mm,高度 26mm。

整流二极管
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Gleichrichterdiode  
Rectifier Diode  
D4810N  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
VRRM 2200  
2400  
2600 V  
2800 V  
Tvj = -40°C... Tvj max  
PeriodischeSpitzensperrspannung  
Durc  
hla  
ß
str  
repetitive peak reverse voltages  
om  
-
G
r
en  
ze  
ffek  
tivw  
ert
IFRMSM  
IFAVM  
IFAVM  
IFRMS  
8400 A  
maximum RMS on-state current  
TC = 100°C  
Dauergrenzstrom  
4810 A  
6940 A  
average on-state current  
Dauergrenzstrom  
average on-state current  
Durchlaßstrom-Effektivwert  
RMS on-state current  
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms  
10900 A  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge current  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
Tvj =25 °C, tP = 10 ms  
Tvj =Tvj max, tP = 10 ms  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
IFSM  
I²t  
80000 A  
60000 A  
32000 10³A²s  
18000 10³A²s  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Durchlaßspannung  
on-state voltage  
Tvj = Tvj max , iF = 10 kA  
Tvj = Tvj max , iF = 4 kA  
vF  
max.  
max.  
1,450 V  
1,078 V  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
Tvj = Tvj max  
Tvj = Tvj max  
Tvj = Tvj max  
V(TO)  
rT  
0,83 V  
mΩ  
0,062  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
A=  
1,181E+00  
1,391E-05  
-9,794E-02  
1,031E-02  
Durchlaßkennlinie  
on-state characteristic  
1500 A iF 20000 A  
B=  
C=  
D=  
vF = A + B iF + C ln ( iF + 1 ) + D  
iF  
max.  
Sperrstrom  
Tvj = Tvj max , vR = VRRM  
iR  
200 mA  
reverse current  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
Kühlfläche / cooling surface  
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin  
beidseitig / two-sided, DC  
Anode / anode, θ = 180°sin  
Anode / anode, DC  
RthJC  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
max. 0,0080 °C/W  
max. 0,0073 °C/W  
max. 0,0147 °C/W  
max. 0,0136 °C/W  
max. 0,0174 °C/W  
max. 0,0160 °C/W  
Kathode / cathode, θ = 180°sin  
Kathode / cathode, DC  
Kühlfläche / cooling surface  
beidseitig / two-sided  
einseitig / single-sided  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
RthCH  
0,0025  
0,0050  
max.  
max.  
°C/W  
°C/W  
160  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Tvj max  
Tc op  
Tstg  
°C  
Betriebstemperatur  
operating temperature  
-40...+150 °C  
-40...+150 °C  
Lagertemperatur  
storage temperature  
H.Sandmann  
date of publication: 2008-08-12  
prepared by:  
revision:  
1.0  
approved by: M.Leifeld  
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IFBIP D AEC / 2008-08-12, H.Sandmann  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Gleichrichterdiode  
D4810N  
Rectifier Diode  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage  
Seite 3  
page 3  
case, see annex  
Si-Element mit Druckkontakt  
Si-pellet with pressure contact  
Anpreßkraft  
clamping force  
F
42…95 kN  
Gewicht  
weight  
G
typ.  
1200 g  
Kriechstrecke  
creepage distance  
30 mm  
50 m/s²  
Schwingfestigkeit  
vibration resistance  
f = 50 Hz  
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IFBIP D AEC / 2008-08-12, H.Sandmann  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Gleichrichterdiode  
D4810N  
Rectifier Diode  
1: Anode/  
Anode  
1
2
2: Kathode/  
Cathode  
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IFBIP D AEC / 2008-08-12, H.Sandmann  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Gleichrichterdiode  
Rectifier Diode  
D4810N  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC  
Kühlung /  
Cooling  
Pos. n  
Rthn [°C/W] 0,000030 0,000390 0,00120  
0,000055 0,003920 0,01520  
Rthn [°C/W] 0,000009 0,000371 0,00190  
1
2
3
4
5
6
-
7
-
0,00262  
0,20680  
0,00306  
1,09140  
beidseitig  
two-sided  
-
-
τn [s]  
0,00110  
0,13500  
0,00781  
0,13500  
0,00404  
0,34700  
0,00451  
1,11000  
0,00618  
-
-
-
-
anodenseitig  
anode-sided  
0,000010 0,001820 0,00951  
1,54000  
τn [s]  
Rthn [°C/W] 0,000032 0,000728 0,00292  
-
-
kathodenseitig  
cathode-sided  
0,000035 0,003410 0,02150  
τn [s]  
nmax  
-t  
τn  
=
ZthJC  
Rthn 1 e  
Analytische Funktion / Analytical function:  
Σ
n=1  
0,018  
0,016  
0,014  
0,012  
0,010  
0,008  
0,006  
0,004  
0,002  
0,000  
c
a
b
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [s]  
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC  
Z thJC = f(t)  
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling  
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling  
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Gleichrichterdiode  
Rectifier Diode  
D4810N  
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ  
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ  
Zth Θ rec / Zth Θ sin  
Kühlung / Cooling  
Θ = 180°  
Θ = 120°  
Θ = 90°  
Θ = 60°  
Θ = 30°  
Zth Θ rec  
0,00082  
0,00068  
0,00166  
0,00110  
0,00166  
0,00141  
0,00128  
0,00159  
0,00198  
0,00256  
[°C/W]  
beidseitig  
two-sided  
Zth Θ sin  
0,00091  
0,00226  
0,00152  
0,00256  
0,00187  
0,00118  
0,00286  
0,00206  
0,00317  
0,00242  
0,00153  
0,00369  
0,00287  
0,00393  
0,00316  
0,00205  
0,00490  
0,00423  
0,00499  
0,00424  
[°C/W]  
Zth Θ rec  
[°C/W]  
anodenseitig  
anode-sided  
Zth Θ sin  
[°C/W]  
Zth Θ rec  
[°C/W]  
kathodenseitig  
cathode-sided  
Zth Θ sin  
[°C/W]  
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec  
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin  
25.000  
20.000  
15.000  
10.000  
5.000  
Tvj = Tvj max  
0
0,8  
1
1,2  
1,4  
1,6  
1,8  
2
2,2  
VF [V]  
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)  
Tvj = Tvj max  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Gleichrichterdiode  
Rectifier Diode  
D4810N  
12000  
a
10000  
8000  
6000  
4000  
2000  
0
b
c
d
e
f
Parameter:  
a - DC  
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)  
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)  
d - rec 60°el (M 6)  
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-  
belastung / Reverse voltage load)  
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-  
belastung / Reverse voltage load)  
0
1000  
2000  
3000  
4000  
IFAV [A]  
5000  
6000  
7000  
8000  
9000  
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV  
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling  
Parameter:  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
a - DC  
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)  
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)  
d - rec 60°el (M 6)  
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-  
belastung / Reverse voltage load)  
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-  
belastung / Reverse voltage load)  
60  
40  
a
c
f
e
d
b
20  
0
1000  
2000  
3000  
4000  
I FAV [A]  
5000  
6000  
7000  
8000  
9000  
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV  
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Gleichrichterdiode  
Rectifier Diode  
D4810N  
100000  
IF=  
2000A  
1000A  
500A  
200A  
100A  
10000  
1000  
di/dt [A/µs]  
1
10  
100  
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge  
Qr =f(-di/dt)  
Tvj= Tvjmax , vR 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM  
RC-Glied / RC-Network: R = 2,2, C = 2µF  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
0-50V  
0,33 VRRM  
0,67 VRRM  
1
3
5
7
9
11  
13  
15  
17  
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen  
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves  
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus  
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM  
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of  
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM  
I
F(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Gleichrichterdiode  
D4810N  
Rectifier Diode  
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