D3001N65T [INFINEON]

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4040A, 6500V V(RRM), Silicon,;


型号：	D3001N65T
厂家：	Infineon
描述：	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4040A, 6500V V(RRM), Silicon, 二极管
文件：	总8页 (文件大小：228K)
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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D 3001N

Elektrisch e Eig enschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / M aximum rated values

Periodische Rüc kwärts-Spitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_RRM

5800

6500

6000 V

6800 V

Kenndaten

repetiti ve peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Periodische Rüc kwärts-Spitzensperrspannung

T_vj= 0°C... T_{vj max}

V_RRM

6000

6700

6200 V

7000 V

repetiti ve peak reverse voltages

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maxi mum RMS on-stat e current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

6340 A

Dauergrenzstrom

average on-state c urrent

T_C= 100 °C

T_C= 60 °C

2900 A

4040 A

Stoßstrom-Grenz wert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

57000 A

53000 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

16240 10³ A²s

14040 10³ A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

T_vj= T_{vj max}, i_F= 4000 A

T_vj= T_{vj max}

typ.

max.

1,58 V

1,7 V

on-state voltage

Schleus ens pannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

typ. 0,784 V

max. 0,840 V

Ersatzwi derstand

slope resistanc e

T_vj= T_{vj max}

typ. 0,199 mΩ

max. 0,215 mΩ

Durchlaßkennlinie

1500A ≤ i_F≤ 4000A

T_vj= T_{vj max}

typ.

0,40754

8,787E-5

0,0173

on-state c haracteristic

0,0108

v _F= A + B i_T+ C Ln(i_T+ 1) + D

i_T

max.

i_R

0,4421

9,715E-5

0,01875

0,01133

Rückwärts-Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

max.

100 mA

C. Schneider

date of publication:

revision:

2005-04-15

prepar ed by:

approved by: J. Przybilla

BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D 3001N

Elektrisch e Eig enschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Sperr verzögerungsladung

V_R= 1000V, T_vj= T_{vj max}

Q_r

recovered charge

C = 1µF, R = 22Ω

Thermische Eigenschaften

i_TM= 1000A, -di_T/dt = 10 A/µs

max.

11 mAs

Rückstr omspitze

peak reverse r ecover y c urrent

I_RM

Mechanische Eigenschaften

V_R= 1000V, T_vj= T_{vj max}

C = 1µF, R = 22Ω

i_TM= 1000A, -di_T/dt = 10 A/µs

300

Sperr verzögerungsladung

recovered charge

Q_r

V_R= 100V, T_vj= T_{vj max}

C = 1µF, R = 22Ω

i_TM= 1000A, -di_T/dt = 10 A/µs

typ.

mAs

Rückstr omspitze

peak reverse r ecover y c urrent

I_RM

V_R= 100V, T_vj= T_{vj max}

C = 1µF, R = 22Ω

i_TM= 1000A, -di_T/dt = 10 A/µs

240

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläc he / cooling surfac e

beids eitig / two-sided, θ = 180°sin

beids eitig / two-sided, DC

Anode / anode, DC

R_{thJ C}

max. 0,0092 °C/W

max. 0,0085 °C/W

max. 0,0149 °C/W

max. 0,0198 °C/W

Kathode / c athode, DC

Kühlfläc he / cooling surfac e

beids eitig / two-sided

Übergangs-Wärmewi derstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

max.

°C/W

0,0025

0,005

einseitig / single-sided

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maxi mum junction temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

160 °C

Betriebs temperatur

operating temperature

-40...+160 °C

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigen schaften / Mech anical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, s ee annex

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Si-Element mit Druc kkontakt

Si-pellet with press ure contac t

76DNE68

36...52 kN

1700

Anpress kraft

clampi ng force

Gewicht

weight

typ.

Kriechstrecke

40 mm

50 m/s²

creepage distance

Schwingfestigkeit

vibration r esistanc e

f = 50 Hz

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

D 3001N

Rectifier Diode

Maßbild

1: Anode/Anode

2: Kathode/Cathode

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

D 3001N

Rectifier Diode

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z _thJC

Analytical elements of transient thermal impedance Z _thJC

R,t – Werte

Pos. n

R,T-Werte

R_thn[°C/W]

0,0032

1,47

0,00278

0,186

0,00158

0,06

0,00076

0,01

0,00018

0,004

beidseitig

two-sided

τ_n[s]

R_thn[°C/W] 0,00928 0,00025

7,8 0,55

R_thn[°C/W] 0,01432 0,00013

7,68 1,205

0,00371

0,15

0,00101

0,03

0,00065

0,0055

0,00074

0,00658

anodenseitg

anode-sided

τ_n[s]

0,00325

0,18

0,00136

0,0408

kathodenseitig

cathode-sided

τ_n[s]

n_max

-t

τ_n

Analytische Funktion / Analytical function:

−

1 e

Z_thJC

thn

n=1

0, 02

0, 01 5

0, 01

0, 00 5

0 ,00 1

0 ,0 1

0 ,1

1 0

10 0

t / [se c. ]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z _{th JC}= f(t) for DC

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

D 3001N

Rectifier Diode

Diagramme

Durchlasskennlinie

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i_F= f(v_F)

T_vj= T_{vj max}

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D 3001N

Tc beidseitig

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q_r= f(-di/dt)

T_vj=T_vjmax, C = 1µF, R = 22Ω

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D 3001N

Ta bei Sinus

Rückstromspitze / Peak reverse recovery current I_RM= f(-di/dt)

T_vj=T_vjmax, C = 1µF, R = 22Ω

BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller

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