D2700U45X122 [INFINEON]
IGBT 的超软续流二极管以现有的 IGCT 续流二极管 系列为基础。这些二极管非常适合现代 IGBT 应用，如 HVDC 电压源转换器和中压驱动器。;
| 型号： | D2700U45X122 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | IGBT 的超软续流二极管以现有的 IGCT 续流二极管 系列为基础。这些二极管非常适合现代 IGBT 应用，如 HVDC 电压源转换器和中压驱动器。 驱动 双极性晶体管 二极管 驱动器 转换器 |
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose
Diode Fast Hard Drive Diode
D2700U
Key Parameters
VRRM
4500 V
IFAVM
2700 A (TC=65 °C)
48000 A
IFSM
VT0
1,38 V
rT
0,447 mΩ
5,6 K/kW
50 … 100 kN
121 mm
RthJC
Clamping Force
Max. Diameter
Contact Diameter
Height
86 mm
26 mm
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking capability 50/60Hz over a wide
temperature range
Hohe DC Sperrstabilität
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hoher Gehäusebruchstrom
High DC blocking stability
High surge current capability
High case non-rupture current
Sanftes Ausschaltverhalten bei hohen
Stromsteilheiten
Soft turn-off behavior at high turn-off di/dt
Typische Anwendungen
Typical Applications
Hochspannungsgleichstrom Übertragung HGÜ
Mittelspannungsumrichter
High Voltage Direct Current Transmission HVDC
Medium voltage converters
Freilaufdiode für IGCT - Applikationen
Freilaufdiode für IGBT - Applikationen
Pulsed Power - Applikationen
Freewheeling Diode for IGCT - applications
Freewheeling Diode for IGBT - applications
Pulsed power applications
content of customer DMX code
DMX code
digit
DMX code
digit quantity
1
2
serial number
1..7
8..16
7
9
2
2
2
4
4
SP material number
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class (optional)
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
QR class (optional)
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
Date of Publication: 2017-12-13
Revision: 1.2
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose
Diode Fast Hard Drive Diode
D2700U
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Tvj = 0°C... Tvj max
VRRM
4500 V
4240 A
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Tc = 65°C
IFRMSM
IFAVM
IFSM
I²t
Dauergrenzstrom
average on-state current
2700
2900
TC = 65°C, f=50Hz
TC = 55°C, f=50Hz
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
48000 A
48000 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
11500 10³A²s
10³ A²s
11500
Max. Ausschaltverluste
max. turn-off losses
Tvj = Tvjmax
IFM=4500A, -di/dt=5000A/µs,
VDC=3000V, Ls<240nH, ton=40µs
PRQ
9 MW
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
failure rate < 100
Tvj = Tvj max , iF = 2500A
Tvj = Tvj max
VR(D)
vF
estimate 2800 V
value
Durchlaßspannung
on-state voltage
typ. 2,39 V
max. 2,50 V
Schleusenspannung
threshold voltage
V(TO)
rT
typ. 1,16 V
max. 1,38 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
typ. 0,493 mΩ
max. 0,447 mΩ
Tvj = Tvj max
typ.
A
0,0368569
0,0001655
0,1142139
0,0210034
0,0405637
0,0001809
0,1179378
0,0216799
Durchlaßkennlinie
800A iF 2500A
on-state characteristic
B
C
D
A
B
C
D
vF A B iF C Ln (iF 1) D iF
max.
Spitzenwert der Durchlassverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Tvj = Tvjmax, diF/dt = 5000A/µs
IFM = 4000A
VFRM
iR
typ.
max.
max.
180 V
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max, vR = VRRM
150 mA
9,5 mAs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
Tvj = Tvjmax
IFM=4500A, -di/dt=5000A/µs,
VDC=3000V, Ls<240nH, ton=40µs
Rückstromspitze
IRM
max. 4200 A
peak reverse recovery current
Ausschaltverlust Energie
turn-off energy
WRQ
FRRS
max.
19 Ws
Abklingsanftheit
Tvj = Tvjmax
typ. t.b.d.
reverse recovery softness factor
IFM = 2500A, VR = 2800 V,
-dirr/dt(i=0) = 1000A/µs, Δtrf = 200ns
TM
date of publication:
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2017-12-13
1.2
prepared by:
approved by: JP
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Revision: 1.2
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose
Diode Fast Hard Drive Diode
D2700U
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
max.
max.
max.
max.
5,94 K/kW
5,60 K/kW
9,95 K/kW
12,85 K/kW
Thermische Eigenschaften
RthJC
Anode / anode, DC
Mechanische Eigenschaften
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
K/kW
K/kW
max.
max.
2,50
5,00
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
140 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
0...+140 °C
Lagertemperatur
-40...+150 °C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 4
page 4
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
F
50...100 kN
clamping force
Gewicht
weight
G
typ.
1500 g
Kriechstrecke
creepage distance
40 mm
22 mm
C
Luftstrecke
air distance
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
f = 50 Hz
Schwingfestigkeit
50 m/s²
vibration resistance
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose
Diode Fast Hard Drive Diode
D2700U
Maßbild
1: Anode/Anode
1
2
2: Kathode/Cathode
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Revision: 1.2
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose
Diode Fast Hard Drive Diode
D2700U
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
R,t – Werte
R
Pos. n
1
1,4
10
2
2,1
0,4
1
3
4
5
6
7
R,T-Werte
1,8
0,3
Rthn [K/kW]
beidseitig
two-sided
0,07
1,4
0,005
1,7
τn [s]
5,55
25
0,3
Rthn [K/kW]
anodenseitig
anode-sided
2
0,3
0,07
0,3
0,005
τn [s]
8,55
19
2,3
0,4
1,7
Rthn [K/kW]
kathodenseitig
cathode-sided
0,07
0,005
τn [s]
nmax
-t
n
Analytische Funktion / Analytical function:
ZthJC
Rthn 1 e
n=1
14
12
10
8
c
a
b
6
4
2
0
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t[s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance Z thJC = f(t)
for DC
a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose
Diode Fast Hard Drive Diode
D2700U
3000
Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
2500
2000
1500
1000
500
typ.
max.
0
0
1
2
3
vF [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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Revision: 1.2
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose
Diode Fast Hard Drive Diode
D2700U
200
180
160
140
120
100
80
typ.
60
40
20
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
diF/dt [A/µs]
Spitzenwert-Durchlassverzögerungsspannung / peak value forward recovery voltage VFRM
f(diF/dt)
=
Tvj=Tvjmax, IFM = 4000A
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Technische Information /
Schnelle beschaltungslose
Diode Fast Hard Drive Diode
D2700U
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