D2520N22T VF [INFINEON]

整流二极管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 172mm，高度 40mm。;


型号：	D2520N22T VF
厂家：	Infineon
描述：	整流二极管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 172mm，高度 40mm。整流二极管
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Datenblatt / Data sheet

Vorläufige Daten

preliminary data

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D2520N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM

2200 V

4950 A

T_vj= -40°C... T_{vj max}

^PerK^iode^isn^cn^heda^St^pe^itzn^{ensperrspannung}

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FRMS

T_C= 100 °C

Dauergrenzstrom

2520 A

3450 A

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms

5420 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj=25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}t_P= 10 ms

I_FSM

41000 A

35000 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

8405 10³A²s

6125 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

T_vj= T_{vj max}, i_F= 10.2kA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 2kA

v_F

max.

1,75 V

0,93 V

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

0,73 V

mΩ

0,1

Ersatzwiderstand

slope resistance

r_T

3,891E-01

6,013E-05

2,545E-02

5,110E-03

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

600 A ≤ i_F≤ 13000 A

v_F= A + B ⋅ i_F+ C ⋅ ln ( i_F+ 1 ) + D ⋅

Thermische Eigenschaften

max.

Sperrstrom

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

75 mA

reverse current

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

max. 0,0220 °C/W

max. 0,0200 °C/W

max. 0,0397 °C/W

max. 0,0375 °C/W

max. 0,0453 °C/W

max. 0,0429 °C/W

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

0,005

0,010

max.

°C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

T_{vj max}

T_{c op}

175 °C

-40...+175 °C

operating temperature

T_stg

Lagertemperatur

storage temperature

C.Drilling

date of publication: 2008-11-25

prepared by:

revision:

1.0

approved by: M.Leifeld

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Vorläufige Daten

preliminary data

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D2520N

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

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Gehäuse, siehe Anlage

Mechanische Eigenschaften

case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

15…24 kN

clamping force

Gewicht

weight

typ.

520 g

Kriechstrecke

25 mm

50 m/s²

creepage distance

Schwingfestigkeit

f = 50 Hz

vibration resistance

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in

Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging

technical notes.

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Datenblatt / Data sheet

Vorläufige Daten

preliminary data

Netz-Gleichrichterdiode

D2520N

Rectifier Diode

Maßbild

1: Anode/

Anode

2: Kathode/

Cathode

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Vorläufige Daten

preliminary data

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D2520N

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z _thJCfür DC

Analytical elements of transient thermal impedance Z _thJCfor DC

Transienter Wärmewiderstand

Kühlung /

Cooling

Pos. n

R_thn[°C/W]

τ_n[s]

0,0008

0,00189

0,001

0,012

0,0025

0,0038

0,00725

0,2

0,00845

1,134

beidseitig

two-sided

R_thn[°C/W] 0,00066

0,00291

0,00614

0,0026

0,0037

0,0765

0,00623

0,00783

0,374

0,0224

6,66

anodenseitig

anode-sided

0,00138

τ_n[s]

R_thn[°C/W] 0,00127

0,0046

0,0282

kathodenseitig

cathode-sided

0,00201

0,0065

0,126

0,57

7,83

τ_n[s]

n_max

-t

τ_n

−

Z_thJC

R_thn1 e

Analytische Funktion / Analytical function:

n=1

0,050

0,040

0,030

0,020

0,010

0,000

t [s]

0,001

0,01

0,1

100

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC

Z _thJC= f(t)

a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Vorläufige Daten

preliminary data

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D2520N

Erhöhung des Z_{th DC}bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ

Rise of Z_{th DC}for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ

Diagramme

∆Z_{th Θ rec}/ ∆Z_{th Θ sin}

Kühlung / Cooling

Θ = 180°

Θ = 120°

Θ = 90°

Θ = 60°

Θ = 30°

∆Z_{th Θ rec}

[°C/W]

0,00357

0,00613

0,00804

0,0107

0,0144

beidseitig

two-sided

∆Z_{th Θ sin}

0,002

0,00384

0,0049

0,00555

0,0063

0,00433

0,0071

0,0049

0,0082

0,0083

0,00625

0,0094

0,0072

0,0126

0,0113

0,00973

0,0127

0,0111

[°C/W]

∆Z_{th Θ rec}

[°C/W]

0,00298

0,0022

anodenseitig

anode-sided

∆Z_{th Θ sin}

[°C/W]

0,00312

0,0055

∆Z_{th Θ rec}

[°C/W]

0,00324

0,00236

kathodenseitig

cathode-sided

∆Z_{th Θ sin}

[°C/W]

0,00344

Z_{th Θ rec}= Z_{th DC}+ ∆Z_{th Θ rec}

Z_{th Θ sin}= Z_{th DC}+ ∆Z_{th Θ sin}

14.000

12.000

10.000

8.000

6.000

4.000

2.000

Durchlasskennlinie

T_vj= T_{vj max}

0,6

0,8

1,2

1,4

1,6

1,8

V_F[V]

Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i_F= f(v_F)

T_vj= T_{vj max}

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Vorläufige Daten

preliminary data

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D2520N

7000

Durchlassverluste

6000

5000

4000

3000

2000

1000

Parameter:

a - DC

b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)

c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)

d - rec 60°el (M 6)

e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

1000

2000

3000

_FAV[A]

4000

5000

6000

Durchlassverlustleistung / On-state power loss P_FAV= f(I_FAV

)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Tc beidseitig

180

160

140

120

100

Parameter:

a - DC

b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)

c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)

d - rec 60°el (M 6)

e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

1000

2000

3000

I _FAV[A]

4000

5000

6000

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T_C= f(I_FAV

)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

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Vorläufige Daten

preliminary data

Netz-Gleichrichterdiode

D2520N

Rectifier Diode

10000

Qr Diagramm

3000 A

2000 A

1000 A

500 A

200A

100A

1000

100

di/dt [A/µs]

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge

Q_r=f(-di/dt)

T_vj= T_vjmax, v_R≤ 0,5 V_RRM, v_RM= 0,8 V_RRM

RC-Glied / RC-Network: R = 2,7Ω, C = 1,5µF

0-50V

0,33 V_RRM

0,67 V_RRM

Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen

Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I_F(OV)Mvon der Anzahl für eine Folge von Sinus

Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V_RM

Typical dependency of maximum overload on-state current I_F(OV)Mas a number of a sequence of

sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V_RM

_F(OV)M= f (pulses, V_RM) ; T_vj= T_{vj max}

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preliminary data

Netz-Gleichrichterdiode

D2520N

Rectifier Diode

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Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung

der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten

Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine

solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien

jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine

spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in

Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in

diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden

Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend

empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig

machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

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- to perform joint Risk and Quality Assessments;

- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on

the realization of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

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