D2200N24TVFHOSA1 [INFINEON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2200A, 2400V V(RRM), Silicon,;型号: | D2200N24TVFHOSA1 |
厂家: | Infineon |
描述: | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2200A, 2400V V(RRM), Silicon, 二极管 |
文件: | 总8页 (文件大小:240K) |
中文: | 中文翻译 | 下载: | 下载PDF数据表文档文件 |
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D2200N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
VRRM
2000 V
2200 V
2400 V
Tvj = -40°C... Tvj max
PeriodischeSpitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
IFRMSM
IFAVM
IFAVM
IFRMS
4900 A
maximum RMS on-state current
TC = 100 °C
Dauergrenzstrom
2200 A
3150 A
average on-state current
Dauergrenzstrom
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
average on-state current
4950 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj =25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max tP = 10 ms
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM
I²t
41000 A
35000 A
8405 10³A²s
6125 10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 9,4 kA
Tvj = Tvj max , iF = 2,0 kA
vF
max.
max.
2,3 V
1,2 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
0,83 V
mΩ
0,145
Ersatzwiderstand
slope resistance
A=
B=
C=
D=
-4,860E-01
1,750E-04
2,311E-01
-9,977E-03
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
600 A ≤ iF ≤ 11000 A
vF = A + B iF + C ln ( iF + 1 ) + D
iF
max.
Sperrstrom
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
150 mA
reverse current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
max. 0,0169 °C/W
max. 0,0160 °C/W
max. 0,0329 °C/W
max. 0,0320 °C/W
max. 0,0329 °C/W
max. 0,0320 °C/W
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
0,0025
beidseitig / two-sided
max.
max.
°C/W
0,0050 °C/W
einseitig / single-sided
160
°C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
Tvj max
Tc op
-40...+160 °C
-40...+160 °C
operating temperature
Tstg
Lagertemperatur
storage temperature
H.Sandmann
date of publication: 2009-06-15
prepared by:
revision:
2.0
approved by: M.Leifeld
A 18/09
1/8
IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
D2200N
Rectifier Diode
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Seite 3
page 3
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
24...60 kN
Gewicht
weight
G
typ.
600 g
Kriechstrecke
creepage distance
25 mm
50 m/s²
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
A 18/09
2/8
IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
D2200N
Rectifier Diode
1: Anode/
Anode
1
2
2: Kathode/
Cathode
A 18/09
3/8
IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D2200N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Cooling
Pos. n
Rthn [°C/W] 0,000037 0,000393 0,00138
0,000204 0,001180 0,01030
Rthn [°C/W] 0,000042 0,000578 0,00184
1
2
3
4
5
6
7
-
0,00177
0,05420
0,00503
0,21900
0,00739
1,15000
beidseitig
two-sided
-
τn [s]
0,00617
0,16400
0,00617
0,16400
0,00487
2,46000
0,00487
2,46000
0,0185
6,1100
0,0185
6,1100
-
-
-
-
anodenseitig
anode-sided
0,000193 0,001660 0,01610
τn [s]
Rthn [°C/W] 0,000042 0,000578 0,00184
kathodenseitig
cathode-sided
0,000193 0,001660 0,01610
τn [s]
nmax
-t
τn
=
−
ZthJC
Rthn 1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,035
0,030
0,025
0,020
0,015
0,010
0,005
0,000
c
a
b
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
A 18/09
4/8
IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D2200N
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
0,00136
0,00088
0,00448
0,00334
0,00448
0,00334
0,00219
0,00284
0,00384
0,00568
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆Zth Θ sin
0,00123
0,00759
0,00489
0,00759
0,00489
0,00172
0,00985
0,00693
0,00985
0,00693
0,00257
0,01292
0,01005
0,01292
0,01005
0,00441
0,01725
0,01518
0,01725
0,01518
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
12.000
10.000
8.000
6.000
4.000
2.000
Tvj = Tvj max
0
0,8
1
1,2
1,4
1,6
VF [V]
1,8
2
2,2
2,4
2,6
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
A 18/09
5/8
IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D2200N
8000
a
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
b
c
d
e
f
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
0
1000
2000
3000
FAV [A]
4000
5000
6000
I
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
180
160
140
120
100
80
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
60
40
20
a
c
f
e
d
b
0
0
1000
2000
3000
FAV [A]
4000
5000
6000
I
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
A 18/09
6/8
IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D2200N
100000
iFM
=
3200A
1600A
800A
400A
200A
10000
1000
100A
-di/dt [A/µs]
0,1
1
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM
RC-Glied / RC-Network: R = 2,7Ω, C = 1,5µF
40
35
30
25
20
15
10
5
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
0
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
I
F(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
A 18/09
7/8
IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
D2200N
Rectifier Diode
Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung
der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten
Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine
solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien
jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine
spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in
Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in
diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden
Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
Terms & Conditions of usage
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will
have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such
application.
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted
exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its
characteristics.
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of
our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com). For those that are specifically interested
we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the
sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please
note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.
A 18/09
8/8
IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann
Seite/page
相关型号:
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明