AUIRL7732S2TR [INFINEON]

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 40V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3;
AUIRL7732S2TR
元器件型号: AUIRL7732S2TR
生产厂家: INFINEON TECHNOLOGIES AG    INFINEON TECHNOLOGIES AG
描述和应用:

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 40V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3

开关 脉冲 晶体管
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型号参数:AUIRL7732S2TR参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
IHS 制造商INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time16 weeks
风险等级1.15
其他特性HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)124 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)58 A
最大漏极电流 (ID)14 A
最大漏源导通电阻0.0066 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XBCC-N3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)41 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)230 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1