元器件型号: | 101474S15D |
生产厂家: | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY |
描述和应用: | Standard SRAM, 1KX4, 15ns, CDIP24 CD 静态存储器 内存集成电路 |
PDF文件: | 总9页 (文件大小:541K) |
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型号参数:101474S15D参数 | |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Active |
包装说明 | DIP, DIP24,.4 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
风险等级 | 5.69 |
最长访问时间 | 15 ns |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T24 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 4096 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 4 |
负电源额定电压 | -5.2 V |
端子数量 | 24 |
字数 | 1024 words |
字数代码 | 1000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 1KX4 |
输出特性 | OPEN-EMITTER |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP24,.4 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | -5.2 V |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | SRAMs |
最大压摆率 | 0.19 mA |
表面贴装 | NO |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
Base Number Matches | 1 |
Standard SRAM, 1KX4, 15ns, CDIP24
CD 静态存储器 内存集成电路