D083AJ-00 [HUASHAN]
NPN SILICON TRANSISTOR; NPN硅晶体管
| 型号： | D083AJ-00 |
| 厂家： | 
SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD |
| 描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 文件： | 总1页 (文件大小：25K) |
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N P N S I L I C O N
T R A N S I S T O R
汕头华汕电子器件有限公司
13001 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
█ 管芯示意图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：D083AJ-00
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：830×830µm 2
焊位尺寸：B 极 140×144µm 2，E 极 180×140µm 2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：KSE13001，HE13001
█ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）
Tstg——贮存温度
Tj——结温
- 55~150℃
150℃
900mW
600V
PC——集电极耗散功率
VCBO——集电极—基极电压
VCEO——集电极—发射极电压
VEBO——发射极—基极电压
400V
9V
IC——集电极电流（DC）
0.25A
█ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）
参数符号
符 号 说 明
最小值 典型值 最大值 单 位
测 试 条 件
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICBO
集电极—发射极击穿电压
集电极—基极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
400
600
9
V
V
IC=10mA，IB=0
IC=1mA，IE=0
V
IE=1mA，IC=0
100
100
70
µA
µA
VCB=500V，IE=0
VEB=9V，IC=0
IEBO
hFE
8
8
VCE=10V，IC=20mA
IC=100mA，IB=20mA
IC=100mA，IB=20mA
VCE(sat)
VBE(sat）
fT
集电极—发射极饱和压降
基极—发射极饱和压降
特征频率
0.6
1.2
V
V
MHz VCE=10V，IC=20mA
相关型号：
D09523B4PA00LF
D Subminiature Connector, 9 Contact(s), Female, Solder Terminal, Socket, LEAD FREE
AMPHENOL
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