C105BJ-01 [HUASHAN]
NPN SILICON TRANSISTOR; NPN硅晶体管
| 型号： | C105BJ-01 |
| 厂家： | 
SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD |
| 描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 文件： | 总1页 (文件大小：30K) |
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NPN S I L I C O N
T R A N S I S T O R
汕头华汕电子器件有限公司
965 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
█ 管芯示意图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C105BJ-01
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：1050×1050µm 2
焊位尺寸：B 极 280×345µm 2；E 极 275×415µm 2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：2SD965，HD965
█ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）
Tstg——贮存温度
Tj——结温
- 55~150℃
150℃
0.75W
40V
PC——集电极耗散功率
V
V
V
CBO——集电极—基极电压
CEO——集电极—发射极电压
EBO——发射极—基极电压
20V
6V
IC——集电极电流
5A
█ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）
参数符号
符 号 说 明
最小值 典型值 最大值 单位
测 试 条 件
nA VCB=30V，IE=0
nA VEB=6V，IC=0
ICBO
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极电压
50
50
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
hFE
40
20
V
V
V
IC=1mA，IE=0
IC=1mA，IB=0
6
IE=10u A，IC=0
VCE=2V，IC=0.5A
VCE=2V，IC=2A
VCE=2V，IC=0.15A
IC=3A，IB=0.1A
直流电流增益
300
150
150
950
VCE(sat)
fT
集电极—发射极饱和电压
特征频率
0.35
50
V
150
MHz VCB=6V，IE=50mA
Cob
共基极输出电容
pF VCB=20V，IE=0，f=1MHz
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