A060AJ-00 [HUASHAN]
NPN SILICON TRANSISTOR; NPN硅晶体管
| 型号： | A060AJ-00 |
| 厂家： | 
SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD |
| 描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 文件： | 总1页 (文件大小：25K) |
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P N P S I L I C O N
T R A N S I S T O R
汕头华汕电子器件有限公司
8550 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
█ 管芯示意图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：A060AJ-00
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：600×600µm 2
焊位尺寸：B 极 130×150µm 2；E 极 140×130µm 2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：S8550，H8550
█ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）
Tstg——贮存温度
Tj——结温
- 55~150℃
150℃
1W
PC——集电极耗散功率
V
V
V
CBO——集电极—基极电压
CEO——集电极—发射极电压
EBO——发射极—基极电压
-40V
-25V
-6V
IC——集电极电流
-1.2A
█ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）
参数符号
符 号 说 明
最小值 典型值 最大值 单位
测 试 条 件
ICBO
IEBO
hFE
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
-0.1
-0.1
500
µA VCB=-35V，IE=0
µA VEB=-6V，IC=0
VCE=-1V，IC=-100mA
VCE=-1V，IC=-800mA
85
40
VBE(on)
基极—发射极导通电压
-1.0
-0.5
-1.2
V
V
V
V
V
V
VCE=-1V，IC=-10mA
IC=-800mA，IB=-80mA
IC=-800mA，IB=-80mA
IC=-100µA，IE=0
VCE(sat） 集电极—发射极饱和电压
VBE(sat)
BVCBO
BVCEO
BVEBO
fT
基极—发射极饱和电压
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
特征频率
40
25
6
IC=-2mA，IB=0
IE=-100µA，IC=0
100
MHz VCE=-10V，IC=-50mA
相关型号：
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