2SC2429 概述
SILICON HIGH SPPED POWER TRANSISTORS SILICON高SPPED功率晶体管 功率双极晶体管
2SC2429 规格参数
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.76 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | RING EMITTER TRANSISTOR |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 15 A |
集电极-发射极最大电压: | 400 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 10 | JEDEC-95代码: | TO-3 |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | NPN |
功耗环境最大值: | 150 W | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 30 MHz |
最大关闭时间(toff): | 2800 ns | VCEsat-Max: | 1 V |
Base Number Matches: | 1 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
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