CDR33BX104AKYS [FREESCALE]

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs; 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
CDR33BX104AKYS
元器件型号: CDR33BX104AKYS
生产厂家: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC    FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC
描述和应用:

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET

晶体 电容器 晶体管 功率场效应晶体管 射频
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型号参数:CDR33BX104AKYS参数
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
生命周期Active
IHS 制造商VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
包装说明, 1210
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8532.24.00.20
风险等级5.09
Is SamacsysN
电容0.1 µF
电容器类型CERAMIC CAPACITOR
介电材料CERAMIC
高度1.5 mm
JESD-609代码e3
长度3.2 mm
安装特点SURFACE MOUNT
多层Yes
负容差20%
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装形状RECTANGULAR PACKAGE
封装形式SMT
包装方法TR, EMBOSSED PLASTIC, 11.25/13 INCH
正容差20%
额定(直流)电压(URdc)50 V
参考标准MIL-PRF-55681/9
尺寸代码1210
表面贴装YES
温度特性代码BX
温度系数15% ppm/ °C
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形状WRAPAROUND
宽度2.5 mm
Base Number Matches1