C4532X7R1H685K [FREESCALE]

RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs; RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
C4532X7R1H685K
元器件型号: C4532X7R1H685K
生产厂家: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC    FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC
描述和应用:

RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET

晶体 晶体管
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型号参数:C4532X7R1H685K参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
IHS 制造商TDK CORP
包装说明, 1812
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8532.24.00.20
风险等级5.62
电容6.8 µF
电容器类型CERAMIC CAPACITOR
介电材料CERAMIC
高度2.5 mm
JESD-609代码e3
长度4.5 mm
安装特点SURFACE MOUNT
多层Yes
负容差10%
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装形状RECTANGULAR PACKAGE
封装形式SMT
包装方法TR, PLASTIC, 7/13 INCH
正容差10%
额定(直流)电压(URdc)50 V
尺寸代码1812
表面贴装YES
温度特性代码X7R
温度系数15% ppm/ °C
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形状WRAPAROUND
宽度3.2 mm