元器件型号: | ATC200B103KT50XT |
生产厂家: | FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC |
描述和应用: | RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
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型号参数:ATC200B103KT50XT参数 | |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
IHS 制造商 | AMERICAN TECHNICAL CERAMICS CORP |
包装说明 | CHIP |
Reach Compliance Code | compliant |
风险等级 | 5.75 |
其他特性 | MIL-PRF-55681; MIL-PRF-123 |
电容 | 0.01 µF |
电容器类型 | CERAMIC CAPACITOR |
介电材料 | CERAMIC |
高度 | 2.59 mm |
长度 | 2.79 mm |
安装特点 | SURFACE MOUNT |
多层 | Yes |
负容差 | 10% |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装形式 | SMT |
正容差 | 10% |
额定(直流)电压(URdc) | 50 V |
尺寸代码 | 1111 |
表面贴装 | YES |
温度特性代码 | BX |
温度系数 | 15% ppm/ °C |
端子形状 | WRAPAROUND |
宽度 | 2.79 mm |
RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET