ATC100B430JT500XT [FREESCALE]

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET; 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
ATC100B430JT500XT
元器件型号: ATC100B430JT500XT
生产厂家: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC    FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC
描述和应用:

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET

晶体 晶体管 功率场效应晶体管 射频
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型号参数:ATC100B430JT500XT参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
包装说明CHIP
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8532.24.00.20
风险等级5.55
其他特性MIL-PRF-55681, MIL-PRF-123
电容0.000043 µF
电容器类型CERAMIC CAPACITOR
介电材料CERAMIC
高度2.59 mm
JESD-609代码e3
长度2.79 mm
安装特点SURFACE MOUNT
多层Yes
负容差5%
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装形式SMT
包装方法TR
正容差5%
额定(直流)电压(URdc)500 V
参考标准MIL-PRF-55681
尺寸代码1111
表面贴装YES
温度特性代码P90
温度系数90+/-20ppm/Cel ppm/ °C
端子面层Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形状WRAPAROUND
宽度2.79 mm
Base Number Matches1