元器件型号: | ATC100B102JT50XT |
生产厂家: | FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC |
描述和应用: | RF Power Field--Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
PDF文件: | 总18页 (文件大小:1498K) |
下载文档: | 下载PDF数据表文档文件 |
型号参数:ATC100B102JT50XT参数 | |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
包装说明 | CHIP |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8532.24.00.20 |
风险等级 | 5.61 |
其他特性 | MIL-PRF-55681, MIL-PRF-123 |
电容 | 0.001 µF |
电容器类型 | CERAMIC CAPACITOR |
介电材料 | CERAMIC |
高度 | 2.59 mm |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 2.79 mm |
安装特点 | SURFACE MOUNT |
多层 | Yes |
负容差 | 5% |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装形式 | SMT |
包装方法 | TR |
正容差 | 5% |
额定(直流)电压(URdc) | 50 V |
参考标准 | MIL-PRF-55681 |
尺寸代码 | 1111 |
表面贴装 | YES |
温度特性代码 | P90 |
温度系数 | 90+/-20ppm/Cel ppm/ °C |
端子面层 | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形状 | WRAPAROUND |
宽度 | 2.79 mm |
Base Number Matches | 1 |
RF Power Field--Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
射频功率场 - 效果晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET