08051J3R9BBT [FREESCALE]

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor; 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管
08051J3R9BBT
元器件型号: 08051J3R9BBT
生产厂家: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC    FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC
描述和应用:

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管

晶体 晶体管 功率场效应晶体管
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型号参数:08051J3R9BBT参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
IHS 制造商AVX CORP
包装说明, 0805
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8532.25.00.45
Factory Lead Time14 weeks
风险等级5.72
电容0.0000039 µF
电容器类型FILM CAPACITOR
介电材料SILICON DIOXIDE AND OXYNITRIDE
高度0.93 mm
JESD-609代码e3
长度2.01 mm
安装特点SURFACE MOUNT
负容差6.41%
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装形状RECTANGULAR PACKAGE
封装形式SMT
包装方法TR, 7/13 INCH
正容差6.41%
额定(直流)电压(URdc)100 V
参考标准AEC-Q200
尺寸代码0805
表面贴装YES
温度系数30ppm/Cel ppm/ °C
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形状WRAPAROUND
宽度1.27 mm
Base Number Matches1