08051J0R4BBT [FREESCALE]

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor; 砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管
08051J0R4BBT
元器件型号: 08051J0R4BBT
生产厂家: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC    FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC
描述和应用:

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
砷化镓PHEMT RF功率场效应晶体管

晶体 晶体管 功率场效应晶体管
PDF文件: 总12页 (文件大小:126K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:08051J0R4BBT参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
IHS 制造商AVX CORP
包装说明, 0805
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8532.25.00.55
风险等级5.65
其他特性CAPACITANCE TOLERANCE IS 0.02 PICO FARAD
电容4e-7 µF
电容器类型FILM CAPACITOR
自定义功能Consult Factory For .01pF Tolerance
介电材料SILICON
高度0.93 mm
JESD-609代码e3
长度2.01 mm
制造商序列号ACCU-P
安装特点SURFACE MOUNT
负容差5%
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装形状RECTANGULAR PACKAGE
封装形式SMT
包装方法TR
正容差5%
额定(直流)电压(URdc)100 V
系列08051J(ACCU-P)
尺寸代码0805
表面贴装YES
温度系数-/+30ppm/Cel ppm/ °C
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形状WRAPAROUND
宽度1.27 mm
Base Number Matches1