DDB2U30N08VR [EUPEC]

IGBT-modules; IGBT模块
DDB2U30N08VR
型号: DDB2U30N08VR
厂家: EUPEC GMBH    EUPEC GMBH
描述:

IGBT-modules
IGBT模块

双极性晶体管
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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
DDB2U30N08VR  
Diode-Gleichrichter / diode-rectifier  
Vorläufige Daten / preliminary data  
chstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
IŒç¢»¢  
I碻¢  
IŒ»¢  
800  
48  
V
A
A
Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.  
T† = 80°C  
forward current RMS maximum per diode  
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom  
T† = 80°C  
50  
maximum RMS current at Rectifier output  
Stoßstrom Grenzwert  
surge forward current  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C  
480  
380  
A
A
Grenzlastintegral  
I²t - value  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C  
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C  
1150  
720  
A²s  
A²s  
I²t  
Charakteristische Werte / characteristic values  
Durchlassspannung  
TÝÎ = 150°C, IŒ = 48 A  
forward voltage  
min. typ. max.  
1,10  
VŒ  
VÅ¥  
rÅ  
V
V
Schleusenspannung  
TÝÎ = 150°C  
0,75  
6,95  
0,10  
threshold voltage  
Ersatzwiderstand  
TÝÎ = 150°C  
m  
mA  
slope resistance  
Sperrstrom  
TÝÎ = 150°C, Vç = 800 V  
reverse current  
Iç  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode  
per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
1,15 1,30 K/W  
0,55 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Peter Kanschat  
approved by: Ralf Keggenhoff  
date of publication: 2004-8-27  
revision: 2.1  
1
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
DDB2U30N08VR  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
IGBT-Brems-Chopper / IGBT-brake-chopper  
chstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
600  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 70°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I†ÒÓÑ  
I†  
20  
25  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
40  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
83,5  
+/-20  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 20 A, V•Š = 15 V  
I† = 20 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,95 2,55  
2,20  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 0,50 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
4,5  
5,5  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
0,11  
0,00  
0,88  
0,08  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 600 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
I†Š»  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
1,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
I•Š»  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 20 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 27 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,018  
0,018  
µs  
µs  
tÁ ÓÒ  
tØ  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 20 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 27 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,02  
0,02  
µs  
µs  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 20 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 27 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,10  
0,11  
µs  
µs  
tÁ ÓËË  
tË  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 20 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 27 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,025  
0,035  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 20 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 27 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,40  
0,50  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 20 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 27 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,35  
0,55  
mJ  
mJ  
Kurzschlußverhalten  
SC data  
t« ù 10 µs, V•Š ù 15 V  
TÝÎ = 125°C, V†† = 360 V, V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š · di/dt  
I»†  
90  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
1,35 1,50 K/W  
0,60 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
prepared by: Peter Kanschat  
approved by: Ralf Keggenhoff  
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revision: 2.1  
2
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
DDB2U30N08VR  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Brems-Chopper / Diode-brake-chopper  
chstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
600  
10  
V
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IŒ  
IŒç¢  
I²t  
Periodischer Spitzenstrom  
tÔ = 1 ms  
20  
A
repetitive peak forw. current  
Grenzlastintegral  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
I²t - value  
12,0  
A²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlaßspannung  
forward voltage  
IŒ = 10 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 10 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,85 2,25  
1,90  
V
V
VŒ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 950 A/µs  
Vç = 300 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
9,40  
12,0  
A
A
Iç¢  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 950 A/µs  
Vç = 300 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,35  
0,65  
µC  
µC  
QØ  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 950 A/µs  
Vç = 300 V  
V•Š = -15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,07  
0,15  
mJ  
mJ  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode  
per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
3,90 4,30 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) /ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
1,20  
K/W  
NTC-Widerstand / NTC-thermistor  
Charakteristische Werte / characteristic values  
Nennwiderstand  
rated resistance  
min. typ. max.  
5,00  
T† = 25°C  
Rèë  
ÆR/R  
Pèë  
k  
%
Abweichung von Ræåå  
deviation of Ræåå  
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â  
-5  
5
Verlustleistung  
power dissipation  
T† = 25°C  
20,0 mW  
K
B-Wert  
B-value  
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]  
Bèëõëå  
3375  
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3
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
DDB2U30N08VR  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
insulation test voltage  
Vš»¥¡  
2,5  
kV  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
AlèOé  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
5,0  
5,0  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
3,2  
3,2  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
> 225  
min. typ. max.  
20  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
LÙ†Š  
nH  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
R††óôŠŠó  
Rƒƒóô††ó  
4,00  
3,00  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà  
150  
°C  
°C  
°C  
N
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ  
-40  
-40  
30  
125  
125  
50  
Lagertemperatur  
storage temperature  
TÙÚÃ  
F
Anpreßkraft für mech. Bef. pro Feder  
mountig force per clamp  
-
Gewicht  
weight  
G
10  
g
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4
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
DDB2U30N08VR  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Durchlaßkennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch)  
forward characteristic of diode-rectifier (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
Ausgangskennlinie IGBT-Brems-Copper (typisch)  
output characteristic IGBT-brake-chopper (typical)  
I† = f (V†Š)  
V•Š = 15 V  
48  
40  
36  
32  
28  
24  
20  
16  
12  
8
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 150°C  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
41  
34  
27  
21  
14  
7
4
0
0
0,0  
0,2  
0,4  
0,6  
VŒ [V]  
0,8  
1,0  
1,2  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5 2,0  
V†Š [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Brems-Chopper (typisch)  
output characteristic IGBT-brake-chopper (typical)  
I† = f (V†Š)  
Übertragungscharakteristik IGBT-Brems-Chopper  
(typisch)  
transfer characteristic IGBT-brake-chopper (typical)  
I† = f (V•Š)  
V†Š = 20 V  
TÝÎ = 125°C  
40  
40  
36  
32  
28  
24  
20  
16  
12  
8
36  
32  
28  
24  
20  
16  
12  
8
V•Š = 20V  
V•Š = 15V  
V•Š = 12V  
V•Š = 10V  
V•Š = 9V  
V•Š = 8V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
4
4
0
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
V†Š [V]  
5
6
7
8 9  
V•Š [V]  
10  
11  
12  
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revision: 2.1  
5
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
DDB2U30N08VR  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-BC (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-BC (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlaßkennlinie der Diode-Brems-Chopper (typisch)  
forward characteristic of diode-brake-chopper (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 27 Â, TÝÎ = 125°C  
44  
40  
36  
32  
28  
24  
20  
16  
12  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
6
4
8
I†, Modul  
I†, Chip  
2
4
0
0
0
100  
200  
300 400  
VCE [V]  
500  
600  
700  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
VŒ [V]  
2,0  
2,5  
3,0  
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)  
NTC-temperature characteristic (typical)  
R = f (T)  
100000  
RÚáÔ  
10000  
1000  
100  
0
20  
40  
60  
80  
T† [°C]  
100 120 140 160  
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approved by: Ralf Keggenhoff  
date of publication: 2004-8-27  
revision: 2.1  
6
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
DDB2U30N08VR  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Schaltplan / circuit diagram  
ϑ
Gehäuseabmessungen / package outlines  
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approved by: Ralf Keggenhoff  
date of publication: 2004-8-27  
revision: 2.1  
7
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
DDB2U30N08VR  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Nutzungsbedingungen  
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