BSM15GD120DLCE3224 [EUPEC]

IGBT-Module; IGBT -模块


型号：	BSM15GD120DLCE3224
厂家：	EUPEC GMBH
描述：	IGBT-Module IGBT -模块双极性晶体管
文件：	总8页 (文件大小：98K)
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Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM15GD120DLC E3224

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

V_CES

1200

_C= 80 °C

I_C,nom.

I_C

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

T_C= 25 °C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_P= 1 ms, T_C= 80°C

I_CRM

145

+/- 20V

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C=25°C, Transistor

P_tot

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

t_P= 1 ms

I_FRM

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

A²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

2,5

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Transistor / Transistor

_C= 15A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V_{CE sat}

2,1

2,4

2,6

2,9

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 15A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 0,6mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

4,5

5,5

0,16

6,5

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V...+15V

Q_G

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

I_CES

0,07

V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

µA

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

200

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

400

prepared by: Mark Münzer

approved by: M. Hierholzer

date of publication: 09.09.1999

revision: 2

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Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM15GD120DLC E3224

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Transistor / Transistor

_C= 15A, V_CC= 600V

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn on delay time (inductive load)

t_d,on

V_GE= ±15V, R_G= 56Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 56Ω, T_vj= 125°C

0,07

0,08

µs

_C= 15A, V_CC= 600V

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

t_r

V_GE= ±15V, R_G= 56Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 56Ω, T_vj= 125°C

0,05

µs

_C= 15A, V_CC= 600V

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn off delay time (inductive load)

t_d,off

V_GE= ±15V, R_G= 56Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 56Ω, T_vj= 125°C

0,3

µs

0,34

_C= 15A, V_CC= 600V

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

t_f

V_GE= ±15V, R_G= 56Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 56Ω, T_vj= 125°C

0,03

0,05

µs

_C= 15A, V_CC= 600V, V_GE= 15V

R_G= 56Ω, T_vj= 125°C, L_S= 140nH

_C= 15A, V_CC= 600V, V_GE= 15V

R_G= 56Ω, T_vj= 125°C, L_S= 140nH

_P≤ 10µsec, V_GE≤ 15V, R_G= 56Ω

_Vj≤125°C, V_CC=900V, V_CEmax=V_CES-L_sCE·dI/dt

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn-on energy loss per pulse

E_on

E_off

mWs

Abschaltverlustenergie pro Puls

turn-off energy loss per pulse

1,5

Kurzschlußverhalten

SC Data

I_SC

130

Modulinduktivität

stray inductance module

L_sCE

Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip

module lead resistance, terminals – chip

T_C=25°C

R_CC‘+EE‘

5,9

mΩ

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Diode / Diode

I_F= 15A, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

Durchlaßspannung

V_F

I_RM

Q_r

1,8

1,7

2,3

2,2

forward voltage

I_F= 15A, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

I_F= 15A, - di_F/dt = 380A/µsec

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

V_R= 600V, VGE = -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, VGE = -15V, T_vj= 125°C

I_F= 15A, - di_F/dt = 380A/µsec

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

V_R= 600V, VGE = -15V, T_vj= 25°C

1,5

3,4

µAs

V_R= 600V, VGE = -15V, T_vj= 125°C

I_F= 15A, - di_F/dt = 380A/µsec

Abschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

V_R= 600V, VGE = -15V, T_vj= 25°C

E_rec

0,6

1,3

mWs

V_R= 600V, VGE = -15V, T_vj= 125°C

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IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM15GD120DLC E3224

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

min. typ. max.

R_thJC

Transistor / transistor, DC

Diode/Diode, DC

0,86

1,50

K/W

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro Modul / per module

λ_Paste= 1 W/m * K / λ_grease= 1 W/m * K

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCK

0,02

K/W

°C

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_vj

150

125

150

Betriebstemperatur

operation temperature

T_op

-40

°C

Lagertemperatur

storage temperature

T_stg

°C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Innere Isolation

internal insulation

AL₂O₃

225

CTI

comperative tracking index

terminals M5

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung

mounting torque

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse

terminal connection torque

Gewicht

weight

180

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.

Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is

valid in combination with the belonging technical notes.

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IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM15GD120DLC E3224

Ausgangskennlinie (typisch)

Output characteristic (typical)

I = f (V_CE)

V_GE= 15V

Tj = 25°C

Tj = 125°C

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

V_CE[V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch)

Output characteristic (typical)

I = f (V_CE)

T_vj= 125°C

VGE = 17V

VGE = 15V

VGE = 13V

VGE = 11V

VGE = 9V

VGE = 7V

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

V_CE[V]

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IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM15GD120DLC E3224

Übertragungscharakteristik (typisch)

Transfer characteristic (typical)

I = f (V_GE)

V_CE= 20V

Tj = 25°C

Tj = 125°C

V_GE[V]

Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)

I = f (V_F)

Forward characteristic of inverse diode (typical)

Tj = 25°C

Tj = 125°C

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

V_F[V]

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IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM15GD120DLC E3224

Schaltverluste (typisch)

E_on= f (I_C) , E_off= f (I_C) , E_rec= f (I_C)

Switching losses (typical) ^V_GE=15V, R_gon= R_goff=56 Ω, V_CE= 600V, T_j= 125°C

Eoff

Eon

Erec

I_C[A]

Schaltverluste (typisch)

Switching losses (typical)

E = f (R_G) , E_off= f (R_G) , E_rec= f (R_G)

V_GE=15V , I_C= 15A , V_CE= 600V , T_j= 125°C

Eoff

Eon

Erec

7,5

4,5

1,5

120

180

240

300

360

420

480

R_G[Ω]

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IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM15GD120DLC E3224

Transienter Wärmewiderstand

Transient thermal impedance

Z_thJC= f (t)

Zth:Diode

Zth:IGBT

0,1

0,01

0,001

0,01

0,1

100

t [sec]

r_i[K/kW]

: IGBT

: Diode

388

326,8

0,049

438,7

0,018

118,7

0,055

778,6

0,043

26,5

τ_i[sec]

r_i[K/kW]

τ_i[sec]

0,048

164,3

0,003

1,149

118,4

0,312

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA) V_GE= 15V, R_g= 56 Ohm, T_vj= 125°C

IC,Modul

IC,Chip

200

400

600

800

1000

1200

1400

V_CE[V]

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IGBT-Module

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BSM15GD120DLC E3224

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相关型号：

BSM15GD120DN1

BSM15GD120DN2

BSM15GD120DN2

BSM15GD120DN2E3224

BSM15GD60DN2

BSM15GP120

BSM15GP60

BSM15GP602

BSM180C12P2E202

BSM180C12P3C202

BSM180D12P2C101

BSM180D12P2E002