IMW120R140M1H
IMW120R140M1H是采用TO247-3封装的1200 V、140 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
开关 栅 DC-DC转换器 双极性晶体管 功率因数校正 二极管 栅极 半导体
INFINEON
MAX5703AUB+
Ultra-Small, Single-Channel, 8-/10-/12-Bit Buffered Output Voltage DACs with Internal Reference and SPI Interface
暂无信息
MAXIM
PE7039-2_16
2 dB Fixed Attenuator, 7/16 DIN Male to 7/16 DIN Female Brass Tri-Metal Body
暂无信息
PASTERNACK
QT8E_1203S1U
0.25W - Single Output DC-DC Converter - Fixed Input - Isolated & Unregulated
暂无信息
GAPTEC
