UNR511N(UN511N) [ETC]
複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ ;
| 型号： | UNR511N(UN511N) |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | 複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
| 文件： | 总17页 (文件大小：550K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
抵抗内蔵トランジスタ
UNR511xシリーズ (UN511xシリーズ)
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形
Unit : mm
デジタル回路用
+0.10
+0.1
0.15
0.3
–0.0
–0.05
3
■ 特ꢀ長
• 機器の小形化, 部品点数の削減によりコストダウン可能
•
Sミニ型パッケージのためテーピング，マガジン包装による
自動挿入が可能
1
2
(0.65) (0.65)
1.3 0.1
■ 品
種別抵抗値
2.0 0.2
形名表示記号
(R1)
47 kΩ
10 kΩ
22 kΩ
47 kΩ
10 kΩ
10 kΩ
4.7 kΩ
22 kΩ
0.51 kΩ
1 kΩ
47 kΩ
47 kΩ
4.7 kΩ
2.2 kΩ
4.7 kΩ
2.2 kΩ
4.7 kΩ
22 kΩ
2.2 kΩ
4.7 kΩ
(R2)
10˚
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
UNR5110 (UN5110)
UNR5111 (UN5111)
UNR5112 (UN5112)
UNR5113 (UN5113)
UNR5114 (UN5114)
UNR5115 (UN5115)
UNR5116 (UN5116)
UNR5117 (UN5117)
UNR5118 (UN5118)
UNR5119 (UN5119)
UNR511D (UN511D)
UNR511E (UN511E)
UNR511F (UN511F)
UNR511H (UN511H)
UNR511L (UN511L)
UNR511M (UN511M)
UNR511N (UN511N)
UNR511T (UN511T)
UNR511V (UN511V)
UNR511Z (UN511Z)
6L
6A
6B
6C
6D
6E
6F
10 kΩ
22 kΩ
47 kΩ
47 kΩ
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
EIAJ : SC-70
SMini3-G1 Package
内部接続図
6H
6I
5.1 kΩ
10 kΩ
10 kΩ
22 kΩ
10 kΩ
10 kΩ
4.7 kΩ
47 kΩ
47 kΩ
47 kΩ
2.2 kΩ
22 kΩ
6K
6M
6N
6O
6P
6Q
EI
EW
EY
FC
FE
R1
R2
C
E
B
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
項目
記号
定格
−50
単位
V
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) VCBO
コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) VCEO
−50
V
コレクタ電流
全許容損失
合温度
IC
PT
−100
150
mA
mW
接
Tj
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
注) 形名の( )内は, 従来品
番です
発行年月 : 2003年12月
SJH00022BJD
1
UNR511x シリーズ
■ 電気的特性 Ta = 25°C 3°C
項目
記号
VCBO
VCEO
ICBO
ICEO
条件
IC = −10 µA, IE = 0
最小 標準 最大
単位
V
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
コレクタ・ベース間遮断電流(E開放時)
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)
−50
IC = −2 mA, IB = 0
VCB = −50 V, IE = 0
VCE = −50 V, IB = 0
VEB = −6 V, IC = 0
−50
V
− 0.1
− 0.5
− 0.01
− 0.1
− 0.2
µA
µA
mA
エミッタ・
UNR5110/5115/5116/5117
UNR5113
IEBO
ベース間
遮断電流
(C 開放時)
UNR5112/5114/511D/
511E/511M/511N/511T
UNR511Z
− 0.4
− 0.5
−1.0
−1.5
−2.0
UNR5111
UNR511F/511H
UNR5119
UNR5118/511L/511V
UNR511V
直
流電流
hFE
VCE = −10 V, IC = −5 mA
6
20
30
35
60
60
80
80
160
20
増幅率
UNR5118/511L
UNR5119/511D/511F/511H
UNR5111
UNR5112/511E
UNR511Z
200
UNR5113/5114/511M
UNR511N/511T
UNR5110*/5115*/5116*/5117*
400
460
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
UNR511V
VCE(sat) IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA
IC = −10 mA, IB = −1.5 mA
− 0.25
V
出力電圧ハイレベル
出力電圧ローレベル
UNR5113
VOH
VOL
VCC = −5 V, VB = − 0.5 V, RL = 1 kΩ
VCC = −5 V, VB = −2.5 V, RL = 1 kΩ
VCC = −5 V, VB = −3.5 V, RL = 1 kΩ
VCC = −5 V, VB = −10 V, RL = 1 kΩ
VCC = −5 V, VB = −6 V, RL = 1 kΩ
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
VCB = −10 V, IE = 2 mA, f = 200 MHz
−4.9
V
V
− 0.2
UNR511D
UNR511E
トランジション周 波数
UNR5116
fT
80
MHz
150
入力抵抗
UNR5118
R1
−30% 0.51 +30%
kΩ
UNR5119
1.0
2.2
4.7
UNR511H/511M/511V
UNR5116/511F/511L
511N/511Z
UNR5111/5114/5115
UNR5112/5117/511T
UNR5110/5113/511D/511E
UNR511M
10
22
47
抵抗比率
R1/R2
0.047
0.1
UNR511N
UNR5118/5119
UNR511Z
0.08
0.10
0.21
0.12
SJH00022BJD
2
UNR511x シリーズ
■ 電気的特性 (つづき) Ta = 25°C 3°C
項目
記号
条件
最小 標準 最大
単位
抵抗比率
UNR5114
0.17
0.17
0.21
0.22
0.47
0.47
1.0
0.25
0.27
UNR511H
UNR511T
UNR511F
UNR511V
UNR5111/5112/5113/511L
UNR511E
UNR511D
0.37
0.57
0.8
1.70
3.7
1.0
1.2
2.60
5.7
2.14
4.7
注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2. : ランク分類
*
ランク
Q
R
S
ノンランク品
hFE
160 ∼ 260
210 ∼ 340
290 ∼ 460
160 ∼ 460
共通特性図
PT Ta
250
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
(
囲温度 Ta °C
)
周
UNR5110特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−120
−100
−80
−60
−40
−20
0
−100
−10
400
300
200
100
0
I
C / IB = 10
Ta = 25°C
VCE = –10 V
IB = −1.0 mA
− 0.9 mA
− 0.8 mA
− 0.7 mA
− 0.6 mA
− 0.5 mA
− 0.4 mA
− 0.3mA
Ta = 75°C
−1
25°C
Ta = 75°C
− 0.2mA
− 0.1mA
−25°C
25°C
− 0.1
−25°C
− 0.01
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
− 0.1
−1
−10
−100
−1
−10
−100
−1000
( )
コレクタ電流 IC mA
(
)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE
V
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00022BJD
3
UNR511x シリーズ
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
6
−100
−10
VO = −5 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
IE = 0
Ta = 25°C
5
4
3
2
1
−1
− 0.1
− 0.01
0
−0.1
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
−1
−10
−100
− 0.1
−1
−10
−100
(
)
入力電圧 VIN
V
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
(
)
出力電流 IO mA
UNR5111特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
160
120
80
−100
−10
−1
−160
−120
−80
−40
0
IC / IB = 10
Ta = 75°C
25°C
VCE = −10 V
Ta = 25°C
−0.9 mA
IB = −1.0 mA
−0.8 mA
−25°C
−0.7 mA
−0.6 mA
−0.5 mA
−0.4 mA
−0.3 mA
Ta = 75°C
25°C
40
−0.1
−0.2 mA
−25°C
−0.1 mA
0
−1
−
0.01
−0.1
−10
−100
−1000
−1
−10
−100
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
−100
−10
6
5
4
3
2
1
0
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
VO = −5 V
Ta = 25°C
Ta = 25°C
−1
−0.1
−0.01
−0.1
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
入力電圧 VIN (V)
SJH00022BJD
4
UNR511x シリーズ
UNR5112特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−100
−10
−1
400
300
200
100
0
−160
−120
−80
−40
0
IC / IB = 10
VCE = −10 V
Ta = 25°C
−0.9mA
IB = −1.0 mA
−0.8mA
−0.7mA
−0.6mA
−0.5mA
−0.4mA
Ta = 75°C
25°C
−0.3mA
−0.2mA
Ta = 75°C
−25°C
25°C
−0.1
−25°C
−0.1mA
−
0.01
−0.1
−1
−10
−100
−1
−10
−100
−1000
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
6
−100
−10
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
4
3
2
1
−1
−0.1
−0.01
0
−0.1
−1
−10
−100
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
−0.1
−1
−10
−100
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
出力電流 IO (mA)
UNR5113特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−100
−10
−1
400
300
200
100
0
−160
−120
−80
−40
0
IC / IB = 10
IB = −1.0 mA
Ta = 25°C
VCE = −10 V
−0.9 mA
−0.8 mA
Ta = 75°C
25°C
−0.7 mA
−0.6 mA
−0.5 mA
−0.4 mA
−25°C
−0.3 mA
−0.2 mA
Ta = 75°C
25°C
−0.1
−25°C
− 0.1 mA
−
0.01
−0.1
−1
−10
−100
−1
−10
−100
−1000
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
SJH00022BJD
5
UNR511x シリーズ
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
−100
−10
6
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
VO = −5 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
4
3
2
1
−1
−0.1
−0.01
0
−0.1
−0.1
−1
−10
−100
−1
−10
−100
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR5114特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−160
−120
−80
−40
0
400
300
200
100
0
−100
−10
−1
IC / IB = 10
VCE = −10 V
Ta = 25°C
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
−0.8 mA
−0.7 mA
−0.6 mA
Ta = 75°C
−0.5 mA
−0.4 mA
−0.3 mA
−0.2 mA
25°C
Ta = 75°C
−25°C
25°C
−0.1
−0.1 mA
−25°C
−
0.01
−0.1
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−1
−10
−100
−1000
−1
−10
−100
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
6
5
4
3
2
1
0
−1000
−100
−10
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
−1
−0.1
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
−0.1
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
出力電流 IO (mA)
SJH00022BJD
6
UNR511x シリーズ
UNR5115特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−100
−10
−1
400
300
200
100
0
−160
−120
−80
−40
0
IC / IB = 10
VCE = −10 V
Ta = 25°C
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
−0.8 mA
−0.7 mA
−0.6 mA
−0.5 mA
−0.4 mA
Ta = 75°C
25°C
−0.3 mA
−0.2 mA
Ta = 75°C
−25°C
25°C
−0.1
−0.1 mA
−25°C
−
0.01
−0.1
−1
−10
−100
−1
−10
−100
−1000
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
6
5
4
3
2
1
0
−100
−10
TVaO==2−50°C.2 V
VO = −5 V
Ta = 25˚C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
−1
−0.1
−0.01
−0.1
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR5116特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−160
−120
−80
−40
0
−100
−10
−1
400
300
200
100
0
IC / IB = 10
Ta = 25°C
VCE = −10 V
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
−0.8 mA
−0.7 mA
Ta = 75°C
−0.6 mA
−0.5 mA
−0.4 mA
25°C
−0.3 mA
−0.2 mA
Ta = 75°C
−25°C
25°C
−0.1
−0.1 mA
−25°C
−1
−
0.01
−0.1
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−10
−100
−1
−10
−100
−1000
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00022BJD
7
UNR511x シリーズ
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
6
−100
−10
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
4
3
2
1
−1
−0.1
−0.01
0
−0.1
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR5117特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−100
−10
−1
−120
−100
−80
−60
−40
−20
0
400
300
200
100
0
IC / IB = 10
Ta = 25°C
VCE = −10 V
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
−0.8 mA
−0.7 mA
−0.6 mA
−0.5 mA
−0.4 mA
Ta = 75°C
T
= 75°C
a
−0.3 mA
−0.2 mA
25°C
25°C
−0.1
−25°C
−25°C
−0.1 mA
−
0.01
−0.1
−1
−10
−100
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−1
−10
−100
−1000
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
6
5
4
3
2
1
0
−100
−10
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
−1
−0.1
−0.01
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
−0.1
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
SJH00022BJD
8
UNR511x シリーズ
UNR5118特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−240
−200
−160
−120
−80
−40
0
−100
−10
−1
160
120
80
40
0
IC / IB = 10
Ta = 25°C
VCE = −10 V
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
−0.8 mA
−0.7 mA
Ta = 75°C
25°C
Ta = 75°C
−0.6 mA
−25°C
−0.5 mA
−0.4 mA
−0.3 mA
−0.2 mA
25°C
−0.1
−25°C
−0.1 mA
−
0.01
−0.1
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−1
−10
−100
−1
−10
−100
−1000
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
−100
−10
6
5
4
3
2
1
0
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
−1
−0.1
−0.01
−0.1
−1
−10
−100
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
−0.1
−1
−10
−100
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR5119特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−240
−200
−160
−120
−80
−40
0
160
120
80
−100
−10
−1
IC / IB = 10
Ta = 25°C
VCE = −10 V
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
−0.8 mA
−0.7 mA
Ta = 75°C
Ta = 75°C
25°C
−25°C
−0.6 mA
−0.5 mA
25°C
40
−0.1
−0.4 mA
−0.3 mA
−0.2 mA
−0.1 mA
−10 −12
−25°C
0
−1
−
0.01
−0.1
0
−2
−4
−6
−8
−10
−100
−1000
−1
−10
−100
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00022BJD
9
UNR511x シリーズ
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
−100
−10
6
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
VO = −5 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
E = 0
Ta = 25°C
I
5
4
3
2
1
−1
−0.1
−0.01
0
−0.1
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
−0.1
−1
−10
−100
−1
−10
−100
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR511D特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
160
120
80
−60
−
100
IC / IB = 10
IB = − 1.0 mA
− 0.9 mA
Ta = 25˚C
VCE = −10 V
− 0.8 mA
−50
−40
−30
−20
−10
0
Ta = 75°C
−
10
25°C
− 0.3 mA
− 0.2 mA
−25°C
−
1
− 0.7 mA
− 0.6 mA
− 0.5 mA
− 0.4 mA
Ta = 75°C
25°C
40
−
0.1
− 0.1 mA
−25°C
0
−1
−
0.01
−0.1
−10
−100
−1000
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−1
−10
−100
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
6
−100
−10
f = 1 MHz
IE = 0
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
Ta = 25°C
5
4
3
2
1
−1
−0.1
−0.01
0
−0.1
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
−1.5
−2.0
−2.5
−3.0
−3.5
−4.0
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
SJH00022BJD
10
UNR511x シリーズ
UNR511E特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
400
300
200
100
0
−60
−50
−40
−30
−20
−10
0
−100
−10
IC / IB = 10
IB = −1.0 mA
− 0.9 mA
Ta = 25°C
VCE = −10 V
− 0.8 mA − 0.7 mA
− 0.3 mA
− 0.2 mA
−1
Ta = 75°C
− 0.6 mA
− 0.5 mA
− 0.4 mA
Ta = 75°C
25°C
− 0.1 mA
−0.1
25°C
−25°C
−25°C
−0.01
−1
−10
−100
−1000
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−0.1
−1
−10
−100
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
6
5
4
3
2
1
0
−100
−10
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
−1
−0.1
−0.01
−1.5
−2.0
−2.5
−3.0
−3.5
−4.0
−0.1
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR511F特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−100
−10
−1
160
120
80
−240
−200
−160
−120
−80
−40
0
IC / IB = 10
Ta = 25°C
VCE = −10 V
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
−0.8 mA
−0.7 mA
−0.6 mA
Ta = 75°C
25°C
−25°C
Ta = 75°C
−0.5 mA
−0.4 mA
−0.3 mA
−0.2 mA
25°C
−0.1
40
−25°C
−0.1 mA
−10 −12
−
0.01
−0.1
0
−1
−1
−10
−100
−10
−100
−1000
0
−2
−4
−6
−8
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
SJH00022BJD
11
UNR511x シリーズ
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
6
−104
−103
−102
−10
−1
−100
−10
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
4
3
2
1
−1
−0.1
−0.01
0
−0.1
−1
−10
−100
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
−0.1
−1
−10
−100
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR511H特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
240
200
160
120
80
−100
−10
−120
−100
−80
−60
−40
−20
0
IC / IB = 10
VCE = −10 V
Ta = 25°C
IB = −0.5 mA
−0.4 mA
Ta = 75°C
25°C
−1
Ta = 75°C
25°C
−0.3 mA
−25°C
−0.2 mA
−0.1 mA
−0.1
−0.01
40
−25°C
0
−0.1
−1
−10
−100
−1
−10
−100
−1000
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
Cob VCB
VIN IO
−100
−10
6
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
4
3
2
1
0
−1
−0.1
−0.01
−0.1
−1
−10
−100
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
SJH00022BJD
12
UNR511x シリーズ
UNR511L特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−100
−10
240
200
160
120
80
−240
−200
−160
−120
−80
−40
0
IC / IB = 10
VCE = −10 V
Ta = 25°C
IB = −1.0 mA
− 0.8 mA
−1
Ta = 75°C
Ta = 75°C
25°C
− 0.6 mA
25°C
−25°C
−0.1
−25°C
− 0.4 mA
− 0.2 mA
40
− 0.01
0
−1
−1
−10
−100
−1000
−10
−100
−1000
0
–2
–4
–6
–8
–10 –12
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
Cob VCB
VIN IO
6
5
4
3
2
1
0
−100
−10
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
−1
− 0.1
− 0.01
−1
−10
−100
− 0.1
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR511M特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
500
400
300
200
100
0
240
−10
−1
IC / IB = 10
Ta = 25°C
VCE = −10 V
200
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
−0.8 mA
−0.7 mA
160
−0.6 mA
Ta = 75°C
25°C
120
− 0.1
− 0.01
− 0.001
Ta = 75°C
25°C
−25°C
−0.5 mA
−0.4 mA
−0.3 mA
80
−25°C
40
−0.2 mA
−0.1 mA
0
−1
−10
−100
−1000
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−1
−10
)
コレクタ電流 IC mA
−100
−1000
(
)
(
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE
V
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00022BJD
13
UNR511x シリーズ
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
10−4
10−3
10−2
10−1
1
−100
−10
10
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
8
6
4
2
−1
− 0.1
− 0.01
0
− 0.4 − 0.6 − 0.8 −1.0
入力電圧 VIN
−1.2
−1.4
− 0.1
−1
−10
−100
− 0.1
−1
−10
−100
(
)
(
)
V
出力電流 IO mA
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR511N特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−10
−200
−150
−100
−50
0
300
250
200
150
100
50
IC / IB = 10
VCE = −10 V
Ta = 25°C
IB = −1.0 mA
Ta = 75°C
−1
− 0.9 mA
− 0.8 mA
− 0.7 mA
− 0.6 mA
− 0.5 mA
− 0.4 mA
25°C
−25°C
Ta = 75°C
25°C
− 0.1
− 0.3 mA
− 0.2 mA
−25°C
− 0.1 mA
− 0.01
0
−1
−10
−100
−1000
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−1
−10
−100
−1 000
(
)
コレクタ電流 IC mA
(
)
V
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
6
−104
−103
−102
–10
–1
−100
−10
f = 1 MHz
IE = 0
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
Ta = 25°C
5
4
3
2
1
0
−1
− 0.1
− 0.01
–1
–10
–100
− 0.4 − 0.6 − 0.8 −1.0
−1.2
−1.4
− 0.1
−1
−10
−100
(
)
V
入力電圧 VIN
(
)
出力電流 IO mA
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
SJH00022BJD
14
UNR511x シリーズ
UNR511T特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
300
250
200
150
100
50
−200
−150
−100
−50
0
−10
−1
IC / IB = 10
VCE = −10 V
Ta = 25°C
Ta = 75°C
IB = −1.0 mA
– 0.9 mA
– 0.8 mA
– 0.7 mA
– 0.6 mA
– 0.5 mA
− 0.4 mA
25°C
Ta = 75°C
25°C
−25°C
− 0.1
− 0.3 mA
− 0.2 mA
− 0.1 mA
−25°C
0
−1
− 0.01
−10
−100
−1000
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−1
−10
−100
−1000
(
)
コレクタ電流 IC mA
(
)
V
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE
コレクタ電流 IC (mA)
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
−100
−10
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−1
− 0.1
− 0.01
− 0.4 − 0.6 − 0.8
−1
−1.2
−1.4
− 0.1
−1
−10
−100
(
)
(
)
入力電圧 VIN
V
出力電流 IO mA
UNR511V特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−12
−10
−8
−6
−4
−2
0
−10
12
10
8
IC / IB = 10
Ta = 25°C
VCE = −10 V
IB = −1.0 mA
Ta = 75°C
− 0.9 mA
− 0.8 mA
25°C
−1
− 0.7 mA
− 0.6 mA
Ta = 75°C
25°C
6
−25°C
− 0.5 mA
− 0.4 mA
− 0.1
4
−25°C
− 0.3 mA
2
− 0.2 mA
− 0.1 mA
− 0.01
0
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−1
−10
−100
−1000
−1
−10
−100
−1000
(
)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE
V
( )
コレクタ電流 IC mA
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00022BJD
15
UNR511x シリーズ
IO VIN
VIN IO
−104
−100
−10
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−103
−102
−10
−1
−1
− 0.1
− 0.01
− 0.1
−1
−10
−100
− 0.4 − 0.6 − 0.8 −1.0
−1.2
−1.4
(
)
出力電流 IO mA
(
)
V
入力電圧 VIN
UNR511Z特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−10
−1
−200
−150
−100
−50
0
300
250
200
150
100
50
IC / IB = 10
VCE = −10 V
Ta = 25°C
IB = −1.0 mA
Ta = 75°C
−25°C
− 0.9 mA
− 0.8 mA
− 0.7 mA
− 0.6 mA
− 0.5 mA
25°C
Ta = 75°C
−25°C
− 0.1
25°C
− 0.4 mA
− 0.3 mA
− 0.2 mA
− 0.1 mA
− 0.01
0
−1
−1
−10
−100
−1000
−10
−100
−1000
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
(
)
(
)
V
コレクタ電流 IC mA
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE
コレクタ電流 IC (mA)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
6
5
4
3
2
1
0
−104
−103
−102
−10
–1
−100
−10
VO = –5 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
VO
0.2 V
Ta = 25°C
=
Ta = 25°C
−1
− 0.1
− 0.01
− 0.4 − 0.6 − 0.8
−1
−1.2
−1.4
−1
−10
−100
− 0.1
−1
−10
−100
(
)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
入力電圧 VIN
V
(
)
出力電流 IO mA
SJH00022BJD
16
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1) 本資
料に記載の製品および技術情 報のうちで「、外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸
出する時、または、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2) 本資
しくは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあ
りません。
料に記載の技術情 報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、弊社も
(3) 上記技術情 報のご使用
に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、当社はそ
の責を負うものではありません。
料に記載されている製品は、標準用途 一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家
(4) 本資
電製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直 人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼ
す恐れのある用 特定用途(航 空・宇 宙 用 、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)
にご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事
に弊社営業窓口までご相談願 います。
接
途
前
(5) 本資
ありますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前
最新の製品規格書または仕様書をお求め願 い、ご確認ください。
料に記載しております製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合が
に
(6) 設計に際して、特に最大定格、動作電源
だきますようお願 い致します。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の欠陥に
ついては弊社として責任を負いません。
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モー
ドをご考慮の上、弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを
電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いた
生じさせない冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きます
ようお願 い致します。
(7) 防湿包装を必要
とする製品につきましては、個々の仕様書取り交わしの折、取り決めた条件(保
存期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8) 本資
料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断
り致します。
2003 SEP
相关型号：
UNR511NGQ
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PINWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
PANASONIC
UNR511NQ
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-G1, SC-70, 3 PINWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
PANASONIC
UNR511NR
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-G1, SC-70, 3 PINWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
PANASONIC
UNR511NS
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-G1, SC-70, 3 PINWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
PANASONIC
UNR511N|UN511N
Composite Device - Transistors with built-in ResistorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ETC
UNR511T
Silicon PNP epitaxial planar typeWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
PANASONIC
UNR511T(UN511T)
複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
ETC
UNR511TG
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PINWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
PANASONIC
UNR511TGQ
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PINWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
PANASONIC
UNR511TGR
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PINWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
PANASONIC
UNR511TQ
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-G1, SC-70, 3 PINWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
PANASONIC
UNR511TR
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMINI3-G1, SC-70, 3 PINWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
PANASONIC
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明