STM32G474QCY6XXX
Arm® Cortex®-M4 32-bit MCUFPU, 170 MHz / 213 DMIPS, 128 KB SRAM, rich analog, math acc, 184 ps 12 chan Hi-res timer
静态存储器
STMICROELECTR
IPD18DP10LM
DPAK 封装型 100 V OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、负载开关和反极性保护应用的全新技术。P 沟道器件的主要优势在于降低中低功率应用的设计复杂度。此类产品可轻松连接 MCU,开关速度快且雪崩能力强,尤其适合质量要求高的应用。器件支持逻辑电平,具备较宽的 RDS(on) 范围和低 Qg,低负载下效率较高。
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