DBTDB6HK205N [ETC]
Bridge Rectifier · AC-Switches ; 桥式整流器· AC开关\n
| 型号： | DBTDB6HK205N |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | Bridge Rectifier · AC-Switches
|
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TD B6HK 205 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Tvj = - 40°C...Tvj max
Tvj = - 40°C...Tvj max
VDRM, VRRM
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
1200, 1400
1600, 1800
V
V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDSM
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
1200, 1400
1600, 1800
V
V
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = + 25°C...T
VRSM
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
1300, 1500
1700, 1900
V
V
vj max
non-repetitive peak reverse voltage
ITRMSM
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS on-state current (per chip)
120
A
TC = 85°C
Id
Ausgangsstrom
205
208
55
A
A
A
A
A
A
TC = 84°C
output current
TA = 45°C, KM 11
TA = 45°C, KM 33
82
TA = 35°C, KM 14 (V = 45l/s)
153
186
L
TA = 35°C, KM 33 (V = 90l/s)
L
Tvj = 25°C, tp = 10ms
ITSM
Stoßstrom-Grenzwert
1500
1300
A
A
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
surge current
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Grenzlastintegral
I²t
11250
8450
A²s
A²s
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
I²t-value
DIN IEC 747-6
(di/dt)cr
(dv/dt)cr
Kritische Stromsteilheit
120
A/µs
f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
critical rate of rise of on-state current
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
Kritische Spannungssteilheit
8. Kennbuchstabe / 8th letter F
critical rate of rise of off-state voltage
1000
V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Tvj = Tvj max, iT = 200A
vT
Durchlaßspannung
on-state voltage
max. 1,64
0,95
V
Tvj = Tvj max
V(TO)
Schleusenspannung
threshold voltage
V
Tvj =Tvj max
rT
Ersatzwiderstand
slope resistance
2,2
mΩ
mA
V
Tvj = 25°C, vD = 6V
Tvj = 25°C, vD = 6V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
Zündstrom
max.
max.
150
2,5
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = Tvj max, vD = 6V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
max.
max.
5,0
2,5
mA
mA
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
max.
max.
max.
max.
0,2
200
600
20
V
Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω
Haltestrom
mA
mA
mA
holding current
Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 20Ω
IL
Einraststrom
iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs, tg = 10µs
latching current
Tvj = Tvj max
iD, iR
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
vD = VDRM, vR = VRRM
MOD-E1; R. Jörke
09. Feb 99
A /99
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TD B6HK 205 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
DIN IEC 747-6
tgd
Zündverzug
max.
1,2
µs
µs
Tvj = 25°C, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
gate controlled delay time
Tvj = Tvj max, iTM = 50A
tq
Freiwerdezeit
vRM = 100V, VDM = 0,67 VDRM
dVD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
7. Kennbuchstabe / 7th letter O
circuit commutated turn-off time
typ.
190
RMS, f = 50Hz, t = 1min
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
VISOL
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
3,0
3,6
kV
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
pro Modul / per module, Θ = 120°rect
pro Element / per chip, Θ = 120°rect
pro Modul / per module, DC
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
max. 0,068
max. 0,410
max. 0,057
max. 0,340
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
thermal resistance, junction to case
pro Element / per chip, DC
pro Modul / per module
pro Element / per chip
RthCK
Tvj max
Tc op
Tstg
Übergangs-Wärmewiderstand
max. 0,033
max. 0,200
°C/W
°C/W
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
125
- 40...+125
- 40...+130
°C
°C
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 3
page 3
Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
Al2O3
Innere Isolation
internal insulation
Toleranz / tolerance ±15%
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
M1
M2
G
6
Nm
Nm
g
mounting torque
Toleranz / tolerance +5% / -10%
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
6
Gewicht
weight
300
12,5
50
typ.
Kriechstrecke
mm
m/s²
creepage distance
f = 50Hz
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TD B6HK 205 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TD B6HK 205 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
[
]
Rthn °C / W
0,15200 0,21100 0,02960
0,31800 0,03870 0,00109
nmax
[ ]
τn s
t
−
τn
Analytische Funktion:
ZthJC
=
R
1−e
thn
∑
n=1
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TD B6HK 205 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
0,45
0,40
0,35
0,30
0,25
0,20
0,15
0,10
0,05
0,00
120° rect
DC
0,001
0,01
0,1
1
10
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z = f(t)
thJC
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angleΘ
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TD B6HK 205 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
Id [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur T= f(Id)
C
MOD-E1; R. Jörke
09. Feb 99
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