BR9040-W [ETC]
メモリLSI ; メモリLSI
| 型号： | BR9040-W |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | メモリLSI
|
| 文件： | 总14页 (文件大小：178K) |
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BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W /
RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
メモリIC
1k, 2k, 4k ビットシリアルポート
直結可能EEPROM
BR9010-W / BR9010F-W / BR9010FV-W /
BR9010RFV-W / BR9010RFVM-W
BR9020-W / BR9020F-W / BR9020FV-W /
BR9020RFV-W / BR9020RFVM-W
BR9040-W / BR9040F-W / BR9040FV-W /
BR9040RFV-W / BR9040RFVM-W
BR90XX シリーズは、電気的に消去書き込み可能なシリアルポート直結タイプのシリアルEEPROM です。
4 種類の動作命令によってワード単位の読み出し、書き込みを行います。
通信はCS、SK、DI、DO で行い、WC 端子制御により書き換え禁止状態とし、ワンタイムROM としても使用できま
す。書き込み中の状態は、内部ステータスチェックによりチェックできます。
z用途
ムービー、カメラ、携帯電話、カーステレオ、VTR、TV 他、その他DIP SW の置き換え等
z特長
1) BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W (1k bit) : 64 ワード×16 ビット
BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W (2k bit) : 128 ワード×16 ビット
BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W (4k bit) : 256 ワード×16 ビット
2) 単一電源動作。
3) シリアルデータ入出力。
4) データ書き換え時の自動消去機能内蔵。
5) 低消費電流である。
動作時 (5V 時) : 2mA (max.)
待機時 (5V 時) : 3µA (max.)
6) SK 端子にノイズフィルタ内蔵。
7)低電源電圧時の誤書き込み禁止回路。WC pin による誤書き込み禁止機能。
8) DIP8 / SOP8 / SSOP-B8 / MSOP8 と小型パッケージ。
9) ローム独自のW-Cell 構造で高信頼性。
10) 100,000 回のデータ書き換えが可能。
11) 10 年間のデータ保持が可能。
12) シリアルポートと容易に接続可能。
13) 出荷時データ 全アドレスFFFFh。
1/14
BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W /
RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
メモリIC
zブロックダイアグラム
R / B
CS
SK
Command decode
Control
Power supply
voltage detector
Clock generation
High voltage
WC
Write disable
generator
6bitBR9010
7bitBR9020
8bitBR9040
6bitBR9010
7bitBR9020
8bitBR9040
Address
buffer
Address
decoder
1,024bit BR9010
2,048bit BR9020
4,096bit BR9040
Command
register
DI
EEPROM
array
Data
R / W
16bit
register
amplifier
16bit
DO
z各端子説明
Pin No.
Pin name
Function
BR90xxF-W/FV-W
BR90xx-W/RFV-W/RFVM-W
1
2
3
4
5
6
7
8
3
4
5
6
7
8
1
2
チップセレクト入力
CS
SK
シリアルデータクロック入力
オペコード、アドレス、及びシリアルデータ入力
DI
DO
GND
シリアルデータ出力
全入出力の基準電圧、0V
ライトコントロール入力
READY、BUSYステータス信号出力
電源を接続
WC
R / B
VCC
2/14
BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W /
RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
メモリIC
z絶対最大定格 (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
V
印加電圧
VCC
−0.3 +7.0
BR9010-W,
BR9020-W,
BR9040-W
1
2
3
4
800
DIP8
SOP8
BR9010F-W,
BR9020F-W,
BR9040F-W
450
300
310
許容損失
Pd
mW
BR9010FV-W, BR9010RFV-W,
BR9020FV-W, BR9020RFV-W,
BR9040FV-W, BR9040RFV-W
SSOP-B8
MSOP8
BR9010RFVM-W,
BR9020RFVM-W,
BR9040RFVM-W
保存温度範囲
−65 +125
Tstg
Topr
−
°C
°C
V
動作温度範囲
各端子電圧
−40 +85
−0.3 VCC+0.3
1 Ta=25
2 Ta=25
3 Ta=25
4 Ta=25
°
°
°
°
C以上で使用する場合は、1
C以上で使用する場合は、1
C以上で使用する場合は、1
C以上で使用する場合は、1
°
°
°
°
Cにつき8.0mWを減じる。
Cにつき4.5mWを減じる。
Cにつき3.0mWを減じる。
Cにつき3.1mWを減じる。
z推奨動作条件 (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Min.
2.7
2.0
0
Typ.
Max.
5.5
Unit
V
−
−
−
書き込み
電源電圧
VCC
5.5
V
読み出し
入力電圧
V
IN
VCC
V
3/14
BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W /
RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
メモリIC
z電気的特性
(特に指定のない限り Ta=−40~+85°C, VCC=2.7V~5.5V)
Symbol
Min.
Typ.
−
Max.
0.3×VCC
−
Unit
V
Conditions
Parameter
"LOW" 入力電圧1
"HIGH" 入力電圧1
"LOW" 入力電圧2
"HIGH" 入力電圧2
"LOW" 出力電圧
"HIGH" 出力電圧
入力リーク電流
出力リーク電流
V
IL1
IH1
IL2
IH2
OL
−
0.7×VCC
−
DI pin
V
−
V
DI pin
V
−
0.2×VCC
−
V
CS, SK, WC pin
CS, SK, WC pin
V
0.8×VCC
0
−
V
V
−
0.4
V
I
I
OL=2.1mA
V
OH
LI
V
CC−0.4
−
VCC
V
OH=−0.4mA
I
−1
−1
−
−
1
µA
µA
mA
mA
µA
MHz
V
V
IN=0V VCC
OUT=0V VCC, CS=VCC
I
LO
−
1
2
1
3
2
I
I
CC1
CC2
−
f
f
SK=2MHz, tE / W=10ms (WRITE)
SK=2MHz (READ)
動作時消費電流
−
−
I
SB
SK
−
−
CS, SK, DI, WC=VCC, DO, R / B=OPEN
スタンバイ電流
f
−
−
−
SK周波数
(特に指定のない限り Ta=−40~+85°C, VCC=2.7V~3.3V)
Symbol
Min.
Typ.
−
Max.
0.3×VCC
−
Unit
V
Conditions
DI pin
Parameter
"LOW" 入力電圧1
"HIGH" 入力電圧1
"LOW" 入力電圧2
"HIGH" 入力電圧2
"LOW" 出力電圧
"HIGH" 出力電圧
入力リーク電流
出力リーク電流
V
IL1
IH1
IL2
IH2
OL
−
0.7×VCC
−
V
−
V
DI pin
V
−
0.2×VCC
−
V
CS, SK, WC pin
CS, SK, WC pin
V
0.8×VCC
0
−
V
V
−
0.4
V
I
I
OL=100µA
V
OH
LI
V
CC−0.4
−
VCC
V
OH=−100µA
I
−1
−1
−
−
1
µA
µA
mA
mA
µA
MHz
V
IN=0V VCC
I
LO
−
1
1.5
0.5
2
VOUT=0V VCC, CS=VCC
I
I
CC1
−
f
f
SK=2MHz, tE / W=10ms (WRITE)
SK=2MHz (READ)
動作時消費電流
CC2
−
−
スタンバイ電流
I
SB
SK
−
−
CS, SK, DI, WC=VCC, DO, R / B=OPEN
SK周波数
f
−
−
2
−
4/14
BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W /
RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
メモリIC
z動作タイミング特性
(特に指定のない限り Ta=−40~+85°C, VCC=2.7~5.5V)
Parameter
Symbol Min.
Typ.
−
Max.
−
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CSのセットアップ時間
fCSS
tCSH
tDIS
tDIH
tPD1
tPD0
tE / W
tCS
100
100
100
100
−
CSのホールド時間
−
−
データセットアップ時間
−
−
データホールド時間
−
−
DOの立ち上がり遅延時間
−
150
150
10
−
DOの立ち下がり遅延時間
−
−
セルフタイム式プログラミングサイクル
CSの最短"HIGH" 時間
−
−
250
−
−
READY / BUSY 表示が有効になる時間
DOがHIGH-Zになる時間(CSより)
データクロック"HIGH"時間
データクロック"LOW"時間
ライトコントロールセットアップ時間
ライトコントロールホールド時間
tSV
−
150
150
−
tOH
0
−
tWH
tWL
230
230
0
−
−
−
tWCS
tWCH
−
−
0
−
−
5/14
BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W /
RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
メモリIC
z入出力回路図
(1) 入力回路図
CS int.
RESET int.
SK
CS
CS int.
WC
DI
(2) 出力回路図
DO
OE int.
R/B
6/14
BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W /
RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
メモリIC
z動作説明
(1) 命令モード
命 令
開始ビット オペコード
アドレス
データ
A0 A1 A2 A3 A4 A5 (A6) 2 (A7) 1
A0 A1 A2 A3 A4 A5 (A6) 2 (A7) 1
読み出し(READ)
書き込み(WRITE)
消去/書き込み可能(WEN)
1010
1010
1010
1010
1000
0100
0011
0000
D0 D1−D14 D15 (READ DATA)
D0 D1−D14 D15 (WRITE DATA)
消去/書き込み禁止(WDS)
はVIHまたはVILのいずれか。
アドレス、データはLSBファーストで入力してください。
BR9020-W/F-W/FV-W/RFV-W/RFVM-Wの場合
BR9010-W/F-W/FV-W/RFV-W/RFVM-Wの場合
1は"0"
1, 2は"0"
同期データ入出力タイミング
CS
t
CS
t
WH
t
CSS
tCSH
t
DIH
SK
t
WL
t
DIS
DI
t
PD
t
PD
tOH
DO
WC
Fig.1
・SKの立ち上がりエッジで入力データを読み込みます。
・SKの立ち下がりエッジに同期してデータ出力を行います。
・WCは書き込み命令のみに関係し、読み出し・書き込み可能・書き込み禁止についてはWCの状態に関係なく実行できます。
・各命令間にはCSをtCS以上"HIGH" にしてください。CSが"LOW" のままですと次の命令を受け付けません。
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BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W /
RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
メモリIC
(2) 書き込み可能 / 禁止
H
SK
1
4
8
12
16
L
ENABLE = 11
DISABLE = 00
H
CS
L
H
1
0
1
0
0
0
DI
L
High-Z
DO
H
R / B
WC
HIGH or LOW
Fig.2
1) 電源投入時は書き込み禁止モードを実行したと同様に書き込み確認用ラッチはリセットされた状態になっておりま
す。書き込みモードを入力する前に、書き込み可能モードを入力してください。
書き込み可能モードが一旦、認定されると書き込み禁止モードが入力されるか、電源がオフされるまで有効です。
2) 16 クロック以後のクロックは必要ありません。入力しましてもIC は無視します。
3) 書き込み可能／禁止のどちらのモードにおきましてもWC入力に依存しませんので、この命令入力中、WCは “HIGH”、
“LOW” どちらでもかまいません。
4) こちらのモードは、オペコード入力後のアドレス8 ビット分のクロック入力後受け付けます。 (ただし、両モードに
は、アドレスの内容は関係ないので無視します。)
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BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W /
RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
メモリIC
(3) 読み出しサイクル
H
SK
4
1
8
16
32
L
t
CS
H
CS
L
STANDBY
H
1
0
1
0
1
0
0
0
A0
A5
0
0
DI
L
HIGH-Z
HIGH-Z
D0
D15 D0
D15
DO
t
OH
H
n番地の
データ出力
n+1番地の
データ出力
R / B
WC
HIGH or LOW
Fig.3 BR9010-W / F--W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
H
SK
4
1
8
16
32
48
L
H
L
t
CS
CS
STANDBY
H
1
0
1
0
1
0
0
0
A0
A6
0
DI
L
HIGH-Z
HIGH-Z
D0
D15 D0
D15
DO
t
OH
H
n番地の
データ出力
n+1番地の
データ出力
R / B
WC
HIGH or LOW
Fig.4 BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
H
SK
CS
4
1
8
16
32
L
t
CS
H
L
H
L
STANDBY
HIGH-Z
1
0
1
0
1
0
0
0
A0
A6
A7
DI
HIGH-Z
D0
D15 D0
D15
DO
t
OH
H
n番地の
データ出力
n+1番地の
データ出力
R / B
WC
HIGH or LOW
Fig.5 BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
1) 16 クロックの立ち下がりより、出力されたアドレス (n 番地) のデータを、DO 端子より出力します。
DO 出力は、SK 立ち下がりから内部回路遅延により、tPDO、tPD1 の時間遅れてデータ変化します。tPD0 及び tPD1 期間
中は前のデータ、もしくは不定となっていますので、データの取り込みはtPD の時間を確保した後に行ってください。
(Fig.1 同期データ入出力タイミング参照)
2) 32 クロックの立ち下がりより、出力された次のアドレス (n+1 番地) のデータを出力し、以降クロックを入力し続け
ると、16 クロック毎に次のアドレスのデータを出力します。ただし、CS 入力を “HIGH” とすると、リセットされ
ます。
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BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W /
RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
メモリIC
(4) 書き込みサイクル
H
SK
1
4
8
16
32
L
H
CS
L
t
CS
H
1
0
1
0
0
1
0
0
A0
A5
0
0
D0
D15
DI
L
High-Z
High-Z
DO
t
E/W
t
SV
H
R / B
H
t
WCS
t
WCH
WC
L
Fig.6 BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
H
L
SK
1
4
8
16
32
H
L
CS
DI
t
CS
H
L
1
0
1
0
0
1
0
0
A0
A6
0
D0
D15
High-Z
High-Z
DO
t
E/W
t
SV
H
R / B
WC
H
L
t
WCS
t
WCH
Fig.7 BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
H
L
SK
1
4
8
16
32
H
L
CS
DI
t
CS
H
L
1
0
1
0
0
1
0
0
A0
A6
A7
D0
D15
High-Z
High-Z
DO
t
E/W
t
SV
H
R / B
WC
H
L
t
WCS
t
WCH
Fig.8 BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
10/14
BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W /
RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
メモリIC
1) 書き込みモード入力中、CS は“LOW”である必要がありますが、書き込みが開始されると、CS は “HIGH”、“LOW”
どちらでもかまいません。しかし、CS とWC を共通接続して使用の場合、書き込み実行中のCS、WC は “LOW” に
してください。
(端子WC を書き込み中に “HIGH” にされますと、その時点で書き込みを強制終了します。その場合、その番地のデ
ータは不定となりますので再書き込みをお願いいたします。)
2) R / B 端子がBUSY からREADY になった後、CS を一旦 “HIGH” にした後、“LOW” にしていると、コマンド受付状
態になっておりますので、SK、DI よりデータを受け取ります。
ただし、コマンド入力後 CS を “HIGH” とせず “LOW” のままの場合には、一旦 “HIGH” とするまで、コマンド入
力はキャンセルされます。
3) 32 クロックの立ち上がりより、tSV 経過後R / B 端子は “LOW” になります。
4) 書き込み実行中は、R / B 端子は “LOW” になります。 (最後のデータD15 を取り込んだSK の立ち上がりエッジ後
にIC 内部のタイマ回路が作動しはじめ、tE / W の期間中にメモリセルのデータを書き換え、自動終了します。)
このとき、tE / W の期間中SK 入力は “HIGH”、“LOW” のいずれでも可能。
5) 書き込み命令入力後、SK が “LOW” の時にCS を立ち下げるとDO 端子からR / B ステータス表示が可能です。
(READY / BUSY の項 参照)
(5) READY / BUSY 表示 ( R / B 端子、DO 端子)
1) この表示は内部のステータス信号を出力し、R / B 端子は常時“HIGH”or“LOW”を出力します。DO 端子からも出
力が可能で、書き込みコマンド終了後、SK が“LOW”の時にCS を立下げると“HIGH”or“LOW”が出力されま
す。
（R / B 端子を使用しなく、オープンとしても差し支えありません。）
2) メモリセルへ書き込む時、SK 信号の32 クロックの立ち上がりからtSV のあとR / B 端子からREADY / BUSY 表示を
出力します。
R / B 表示 = “LOW”：書き込み中
（IC 内部のタイマ回路が作動して、tE / W の期間後、このタイマ回路は自動終了します。
またメモリセルへの書き込みはtE / W の期間に行われ、この間、他の命令は受け付けません。）
R / B 表示 = “HIGH”：命令待機状態
（メモリセルの書き込みが終了し次の命令を受け付けます。）
SK
クロック
CS
DI
書き込みコマンド
t
PD
tOH
HIGH-Z
HIGH-Z
READY
READY
DO
BUSY
R / B
READY
BUSY
Fig.9 R / B ステータス出力タイミング図
11/14
BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W /
RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
メモリIC
(6) DI、DO 端子の直結について
DI、DO 端子を直結しての通信は可能ですが、前頁のREADY / BUSY 信号出力時におきましても、コントローラ側
のポートについては、データの衝突が起こらないように注意してください。
z使用上の注意
(1) 電源ON / OFF 時
1) 電源ON / OFF 時は、CS を“HIGH”（=VCC）にしてください。
2) CS が“LOW”では入力受け付け状態（アクティブ）になります。このままで電源を立ち上げると、ノイズ等の影響
により誤動作、誤書き込みを起こす恐れがあります。これらを防止するためにも電源ON時には、CS=“HIGH”（=VCC）
として立ち上げてください。
（良い例） CS 端子がVCC にPULL UP されている。
電源OFF 時は再投入まで10ms 以上としてください。
この条件を守らないで再び電源を立ち上げた場合IC 内部回路がリセットされない場合がありますのでご
注意ください。
（悪い例） CS 端子が電源ON / OFF 時“LOW”になっている。
この場合常にCS=“LOW”となり、EEPROM はノイズ等の影響により誤動作、誤書き込みする恐れが
あります。
∗ CS 入力がHIGH-Z でもこの例のようになる場合がありますのでご注意ください。
VCC
VCC
GND
VCC
CS
GND
良い例
悪い例
Fig.10
(2) ノイズ対策
1) SK ノイズ
SK クロック入力の立ち上がりにノイズが乗るとクロックが余計にはいったと認識し、ビットずれによる誤動作の原
因となります。
2) WC ノイズ
書き込み実行中、WC 端子にノイズが乗りますと誤認識し、書き込み動作を強制キャンセルする恐れがありますので
ご注意ください。
3) VCC ノイズ
電源ラインへノイズやサージが乗りますと誤動作を起こす可能性がありますので、これらを取り除くために電源とグ
ランド間にパスコンをとりつけることをおすすめします。
12/14
BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W /
RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
メモリIC
(3) 各モードのキャンセル方法
1) 読み出し命令の場合
32クロック
SK
CS
DI
開始ビット
オペコード
アドレス
8ビット
4ビット
4ビット
16ビット
データ
DO
D15
DO
リードモードの全区間において、いつでもキャンセルが可能です。
WC
HIGH or LOW
Fig.11
キャンセル方法 : CS 端子を “High”
2) 書き込み命令の場合
32クロック
SK
CS
DI
DO
16ビット
D15
開始ビット オペコード アドレス
4ビット 4ビット 8ビット
データ
tE / W
R / B
WC
a
b
c
d
Fig.12
キャンセル方法
a：CS 端子を“HIGH”でキャンセルします。WC 端子には依存しません。
b：WC 端子が一瞬でも“HIGH”になりますと書き込みを強制キャンセルします。また、CS 端子が“HIGH”でもキャ
ンセルします。この時、書き込みは実行しておりませんので指定したアドレスのデータは書き変わっておりません。
c：WC 端子“HIGH”または、電源OFF（ただし、この方法はあまり推奨しません）により強制キャンセルされますが、
その時指定しました番地のデータは保証しかねますので再書き込みをお願いいたします。
d：R / B 信号が“HIGH”（tE / W 期間後）時にCS を“HIGH”にしますとIC 内部はリセットされ、次のコマンドの入力
待機状態となります。
13/14
BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W /
RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W
メモリIC
z外形寸法図 (Units : mm)
BR9010-W, BR9020-W, BR9040-W
BR9010FV-W, BR9010RFV-W
BR9020FV-W, BR9020RFV-W
BR9040FV-W, BR9040RFV-W
9.3±0.3
8
5
4
3.0±0.2
8
5
1
1
4
0.15±0.1
7.62
0.1
0.22±0.1
(0.52) 0.65
2.54
0.5±
0.1
0° ~ 15°
DIP8
SSOP-B8
BR9010F-W, BR9020F-W, BR9040F-W
BR9010RFVM-W, BR9020RFVM-W, BR9040RFVM-W
2.9±0.1
5.0±0.2
8
5
8
5
1
4
0.145+−00..0035
0.475
1
4
0.15±0.1
0.1
0.22+−00..0054
0.08
M
1.27
0.65
0.08 S
0.4±0.1
SOP8
MSOP8
14/14
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