AT24CSW016-UUMXX-T
I²C-Compatible (Two-Wire) Serial EEPROM with a Security Register and Software Write Protection 1âKbit (128 x 8), 2âKbit (256 x 8)
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
MICROCHIP
BD733U2EFJ-C
BD733U2EFJ-C是50V耐压、输出电压精度±2%、输出电流200mA、静态电流6μA(Typ)的低静态电流稳压器，非常适合用来降低电池直连系统中的消耗电流。输出的相位补偿电容器可使用陶瓷电容器。本系列产品中的BD733L2EFJ-C是为提高生产效率而变更生产线后的型号。在新项目选型时，建议选择该型号。另外，在技术规格书中的保证特性并没有差异。除非另有说明，否则我们还会披露文档和设计模型的 BD733L2EFJ-CE2 数据。
电池 生产线 电容器 陶瓷电容器 稳压器
ROHM
AT24CSW011-ST11MXX-T
I²C-Compatible (Two-Wire) Serial EEPROM with a Security Register and Software Write Protection 1âKbit (128 x 8), 2âKbit (256 x 8)
可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器
MICROCHIP
ISP14EP15LM
SOT-223 封装型 100 V OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 是面向电池管理、负载开关和反极性保护应用的全新技术。P 沟道器件的主要优势在于降低中低功率应用的设计复杂度。此类产品可轻松连接 MCU，开关速度快且雪崩能力强，尤其适合质量要求高的应用。器件支持逻辑电平，具备较宽的 RDS(on) 范围和低 Qg，低负载下效率较高。
电池 开关
INFINEON
