2SJ0364(2SJ364) [ETC]
小信号デバイス － 小信号FET － 接合形FET ; 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n
| 型号： | 2SJ0364(2SJ364) |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | 小信号デバイス － 小信号FET － 接合形FET
|
| 文件： | 总3页 (文件大小：195K) |
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シリコン接合形FET (小信号)
2SJ0364 (2SJ364)
シリコンPチャネル接合形
アナログスイッチ用
unit: mm
+0.10
+0.1
0.15
0.3
–0.05
–0.0
I 特 長
G オン抵抗が低い。
3
G 低雑音特性
1
2
(0.65) (0.65)
I 絶対最大定格 (Ta = 25°C)
1.3 0.1
2.0 0.2
項目
ゲート·ドレイン電圧
ドレイン電流
ゲート電流
記号
VGDS
ID
定格
65
単位
V
10°
−20
mA
mA
mW
°C
IG
−10
許容損失
PD
150
1: Source
2: Drain
3: Gate
チャネル部 温度
保存温度
Tch
150
EIAJ: SC-70
SMini3-G1 Package
Tstg
−55 ~ +150
°C
形名表示記号 (例): 4M
I 電気的特性 (Ta = 25°C)
項目
記号
条件
最小
標準
最大
−6
単位
mA
nA
V
*
ドレイン·ソースしゃ断電流
ゲート·ソース漏れ電流
ゲート·ドレイン電圧
ゲート·ソースしゃ断電圧
順方向伝達アドミタンス
IDSS
VDS = −10V, VGS = 0
VGS = 30V, VDS = 0
− 0.2
IGSS
10
VGDS
VGSC
| Yfs |
IG = 10µA, VDS = 0
65
VDS = −10V, ID = −10µA
VDS = −10V, ID = −1mA, f = 1kHz
VDS = −10mV, VGS = 0
1.5
2.5
300
3.5
V
1.8
mS
Ω
ドレイン·ソース間オン抵抗 RDS(on)
地) Ciss
地) Crss
入力容量 (ソース接
12
pF
VDS = −10V, VGS = 0, f = 1MHz
帰還容量 (ソース接
4
pF
*
IDSS ランク分類
ランク
O
P
Q
R
IDSS (mA)
− 0.2 ~ −1 − 0.6 ~ −1.5
4MO 4MP
−1 ~ −3
4MQ
−2.5 ~ −6
4MR
形名表示記号
注) ( )内は, 従来品
番です
239
シリコン接合形FET (小信号)
2SJ0364
PD Ta
ID VDS
ID VGS
200
–4.0
–3.5
–3.0
–2.5
–2.0
–1.5
–1.0
–0.5
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
VDS=10V
Ta=25˚C
175
150
125
100
75
VGS=0V
0.2V
0.4V
50
0.6V
0.8V
25
0
0
20 40 60 80 100 120 140 160
0
–2
–4
–6
–8
–10 –12
0
1
2
3
4
5
(
)
(
)
( )
ゲート・ソース電圧 VGS V
周囲温度 Ta ˚C
ドレイン・ソース電圧 VDS
V
| Yfs | VGS
| Yfs | ID
Ciss, Coss, Crss VDS
4.0
16
14
12
10
8
24
20
16
12
8
f=1MHz
VGS=0
Ta=25˚C
VDS=10V
3.5 f=1kHz
Ta=25˚C
VDS=–10V
f=1kHz
Ta=25˚C
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
Ciss
6
4
4
Coss
Crss
2
0
0
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
–2
–4
–6
–8
–10 –12
1
3
10
30
100
(
)
(
)
( )
ドレイン・ソース電圧 VDS V
ゲート・ソース電圧 VGS
V
ドレイン電流 ID mA
2
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—
一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電
(3) 本資料に記載されている製品
は、標準用途
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品
質、信
頼性が要
求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす
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弊社営業窓口までご相談願います。
—
恐れのある用途
に
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いては弊社として責
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2001 MAR
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