SG-710PTW [EPSONTOYOCOM]
Crystal oscillator; 晶体振荡器
| 型号： | SG-710PTW |
| 厂家： | 
EPSON TOYOCOM |
| 描述： | Crystal oscillator |
| 文件： | 总2页 (文件大小：425K) |
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項ꢀꢀꢀꢀꢀ目
記
号
条
件
Crystal oscillator
高 周波 水晶発振器
シリ ーズ
製品型番（１ページを参照）
●
1.5mm厚の薄型 セラミックパッケージ
●
高密度 実 装 で優れた耐 環境特 性
●
CMOS ICによる低消 費電流
●
アウトプットイネーブル機能（OE）、スタンバイ機能（ST）に
ꢀ
よる低消 費電流対応が可能
原
寸 大
■仕 ꢀ様（特性 ）
仕 ꢀꢀ様
SG-710PTK
SG-710ECK
SG-710PHK
出力周波 数範囲
f
0
P.31製品
別周波 数帯を参照してください
～
～
ꢀꢀ～
DD-GND
最大供 給 電圧
動ꢀ作 ꢀ電ꢀ圧
V
～
電 源 電 圧
V
DD
STG
OPR
単
品
での保存
P.31製品 周波 数帯を参照してください
B,C:-10 ～+70 -40 ～+85
保ꢀ ꢀ温ꢀ度
動ꢀ作 ꢀ温ꢀ度
T
～
（
ꢀ
～
温 度 範 囲
～
）
T
別
：
×
、 ：
×
、 ：
×
周波 数安 定度
△f/f
0
F
0
≦
25MHz, 無負荷（ECK： F0 ≦ 32MHz, 無負荷）
F0 ≦ 50MHz, 無
負荷
ꢀ費ꢀ電ꢀ流
l
OP
F0 ≦ 67MHz, 無
負荷
ー
ー
F0 ≦ 80MHz, 無
負荷
ー
ー
ー
F0 ≦ 25MHz, OE=GND (PTK,PHK)
F0 ≦ 50MHz, OE=GND (PTK,PHK)
F0 ≦ 67MHz, OE=GND (PTK,PHK)
F0 ≦ 80MHz, OE=GND (PTK,PHK)
デ
ィセーブル時電流
l
OE
ー
ー
ー
ー
ー
l
ST
スタンバイ時電流
ー
（
）
負
荷：
レベル
～
～
ー
ー
デ
ュ
ー テ
レベル出力電圧
レベル出力電圧
ィ
tW /t
～
～
負
荷：
レベル
“
H”
V
OH
×
（
）
（
（
）
）
“L”
VOL
（
）
×
ー
出力負荷条件 （T T L）
出力負荷条件 （CMOS
レベル入力電圧
レベル入力電圧
N
C
V
）
L
“
H”
IH
×
端子
（
）
端子
（
）
“
L”
VIL
×
ー
負
荷：
→
レベル
レベル
レベル
出力上 昇時間
t
TLH
ー
ー
負
荷：
→
負
荷：
→
ー
出力下降時間
t
THL
５
ー
ー
負 → レベル
荷：
振開始 時間 最小値動作 電圧 時の を とする
ꢀ時ꢀ変ꢀ化 初年 度
回または
発
t
OSC
経
fa
×
年
，
硬木上
×
耐ꢀ衝ꢀ撃ꢀ性
S.R.
×
×
×
×
方向
■外形 寸法 図 （単位： ） ■推奨はんだ付けパターン図 （単位： ）
1.4
#3
#4
#4
#3
1.8
NO. ピン端子
1ꢀ OE orST
2
GND
3ꢀꢀ OUT
4ꢀꢀꢀVDD
5.08
#2
#1
L
#2
#1
■端子
説明
OE端子（PTK,PHK,PTW,PHW,PCW）
OE端子 =“H”o“r Open”：OUT端子 に所定の周波 数を出力
5.08
Ｋ
OE端子 =“L”：出力停止 、OUT端子 は、ハイインピーダンス
ST端子（STW,SHW,SCW）
ST端子 =“H”o“r Open”：OUT端子 に所定の周波 数を出力
L
W
H
ST端子 =“L”：発
振 停止 、OUT端子 は、ウィークプルダウン
5.08
ST端子（ECK）
ST端子 =“H”o“r Open”：OUT端子 に所定の周波 数を出力
＊＊
＊＊
SG-710
SG-710
7.3± 0.2 4.8± 0.2 1.3± 0.1
7.0± 0.2 5.0± 0.2 1.4ꢀꢀ
+0.1
W
-0.15
ST端子 =“L”：発
振 停止 、OUT端子 は、ハイインピーダンス
37
Crystal oscillator
■仕 ꢀ様（特性 ）
仕 ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ様
条ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ件
項ꢀꢀꢀꢀꢀ
記ꢀ
SG-710PTW
SG-710STW
SG-710PHW
SG-710PCW
SG-710SHW
SG-710SCW
67.0001MHz
fO
80.0001MHz～135.0000MHz
0.5V～
5.0V±0.5V
55˚C～
70˚C
出力周波 数範囲
P.31製品別周波 数帯を参照してください
～135.0000MHz
-
+7.0V
最大供 給 電圧
-
VDD GND
電 源 電 圧
動ꢀ作 ꢀ電ꢀ圧
VDD
TSTG
TOPR
3.3V±0.3V
単
品
での保存
保ꢀ ꢀ温ꢀ度
動ꢀ作 ꢀ温ꢀ度
-
+125˚C
温 度 範 囲
P.31製品 周波 数帯を参照してください
別
-20˚C～
+
-
40˚C～+85˚C
-6
-6
Ｂ: ±50
×
10 Ｃ: ±100
×
10
-20˚C～+70˚C
-40˚C～+80˚C
周波 数安 定度
ꢀf/fO
-6
ー
M: ±100
×
10
45mAMax.
30mAMax.
ꢀ費ꢀ電ꢀ流
28mAMax.
無
負
荷 (fo=Max. 値 )
lOP
デ ィセーブル時電流
OE=GND (P
＊
W)
lOE
16mAMax.
スタンバイ時電流
50µAMax.
lST
ST=GND (S
＊
W)
40%～60%
CMOS負
荷： 1/2VDDレベル
ー
デ
ュ
ー
テ
ィ
tW /t
40%～60%
TTL負
荷： 1.4Vレベル
ー
I
OH=-16mA(
＊
TW/
＊
HW)/-8mA(
＊
CW)
“
H”
レベル出力電圧
レベル出力電圧
VOH
VOL
VDD
-
0.4V Min.
“
L”
0.4V Max.
I
OL=16mA(
＊
TW/＊
HW)/8mA(
＊
CW)
15pF
5TTL + 15pF
–
–
f0≦ 135MHz
f0≦ 90MHz
–
–
出力負
荷条件
（
CMOS
）
CL
–
15pF
25pF
15pF
–
f0≦ 135MHz
f0≦ 125MHz
–
OE,ST端子
“
H”
レベル入力電圧
レベル入力電圧
VIH
VIL
2.0V Min.
0.7VDD Min.
0.2VDD Max.
ー
“
L”
0.8V Max.
2.0ns Max.
OE,ST端子
ー
ー
TTL負荷: 0.8V → 2.0V, CL=Max.
出力上 昇時間
tTLH
ー
3.0ns Max.
ー
4.0ns Max.
ー
2.0ns Max.
4.0ns Max.
ー
TTL負荷: 0.4V → 2.4V, CL=Max.
3.0ns Max.
CMOS負
荷: 20% VDD → 80% VDD, CL=Max.
TTL負
荷: 2.0V → 0.8V, CL=Max.
ー
ー
出力下降時間
tTHL
ー
TTL負荷: 2.4V → 0.4V, CL=Max.
3.0ns Max.
CMOS負
荷: 80% VDD → 20% VDD, CL=Max.
3.0ns Max.
発
振開始 時間
tOSC
10ms Max.
最小値動作 電圧 のtを０とする
-6
経
ꢀ時ꢀ変ꢀ化
fa
±5
×
10 /年 Max.
Ta=+25˚C, VDD=5V /3.3V, 初年 度
硬木上 750 mm
×
3回または
-6
耐ꢀ衝ꢀ撃ꢀ性
S.R.
±20
×
10 Max.
29400 m/s2 × 0.3 ms × 1/2 Sine Wave × 3方
向
38
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