SBX3050 [DIOTEC]
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2;
| 型号： | SBX3050 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 二极管 |
| 文件： | 总2页 (文件大小：110K) |
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SBX3020 ... SBX30100
Version 2009-07-06
SBX3020 ... SBX30100
Schottky Barrier Rectifiers
Schottky-Barrier-Gleichrichter
Nominal current
Nennstrom
30 A
20...100 V
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Ø 8±0.1
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 8 x 7.5 [mm]
2.0 g
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 1.6±0.05
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1)
IF = 5 A
< 0.42
< 0.42
< 0.42
< 0.61
< 0.61
< 0.75
< 0.75
IF = 30 A
< 0.55
< 0.55
< 0.55
< 0.68
< 0.68
< 0.83
< 0.83
SBX3020
SBX3030
SBX3040
SBX3050
SBX3060
SBX3090
SBX30100
20
30
20
30
40
40
50
50
60
60
90
90
100
100
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
30 A 2)
60 A 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
300/340 A
450 A2s
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Tj
-50...+150°C
≤ 200°C
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
-50...+175°C
1
Tj = 25°C
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
SBX3020 ... SBX30100
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 500 µA
typ. 40 mA
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 9 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
RthL
< 1.9 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdrähte
102
[A]
120
[%]
SBX3020 … SBX3040
100
10
80
1
60
40
10-1
IF
20
IFAV
0
10-2
0
0.4
0.6
1.0
VF
[V]
0
TA
100
150
50
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
相关型号：
SBX3060
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