SB850 [DIOTEC]
Schottky Barrier Rectifiers; 肖特基势垒整流器器
| 型号： | SB850 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Schottky Barrier Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：59K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
SB820 ... SB8100
SB820 ... SB8100
Schottky Barrier Rectifiers
Schottky-Barrier-Gleichrichter
Version 2005-07-12
Nominal current
Nennstrom
8 A
20...100 V
Ø 5.4±0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 5.4 x 7.5 [mm]
1.0 g
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 1.2±0.05
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1)
V
RRM [V]
V
RSM [V]
IF = 5 A
< 0.52
< 0.52
< 0.52
< 0.61
< 0.61
< 0.75
< 0.75
IF = 8 A
< 0.55
< 0.55
< 0.55
< 0.68
< 0.68
< 0.83
< 0.83
SB820
SB830
SB840
SB850
SB860
SB890
SB8100
20
30
20
30
40
40
50
50
60
60
90
90
100
100
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
8 A2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
30 A 2)
155/180 A
132 A2s
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
-50...+150°C
-50...+175°C
Tj
TS
1
2
Tj = 25°C
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
SB820 ... SB8100
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C VR = VRRM
Tj = 100°C VR = VRRM
IR
IR
< 500 µA
< 20 mA
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 19 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
RthL
< 8 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
102
[A]
120
[%]
100
SB820...SB840
SB850, SB860
10
80
60
1
40
SB890, SB8100
10-1
IF
20
IFAV
0
10-2
VF
0
0.4
0.6
1.0
[V]
0
TA
100
150
50
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
相关型号：
SB850-LF
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220A, 2 PIN
WTE
SB850CT-LF
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
WTE
SB850D
D2PAK SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER(VOLTAGE - 20 to 100 Volts CURRENT - 8.0 Amperes)
PANJIT
SB850D-T3-LF
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 50V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
WTE
SB850DC
D2PAK SURFACE MOUNTSCHOTTKY BARRIER RECTIFIER(VOLTAGE- 20 to 100 Volts CURRENT - 8.0 Amperes)
PANJIT
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明